中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up
Invention Grant
US09048129B2 Method for forming fully relaxed silicon germanium on silicon 有权
在硅上形成完全松弛的硅锗的方法

Method for forming fully relaxed silicon germanium on silicon
Abstract:
Semiconductor devices are formed with a thin layer of fully strain relaxed epitaxial silicon germanium on a substrate. Embodiments include forming a silicon germanium (SiGe) epitaxial layer on a semiconductor substrate, implanting a dopant into the SiGe epitaxial layer, and annealing the implanted SiGe epitaxial layer.
Abstract(Chinese):

半导体器件在衬底上形成有完全应变弛豫外延硅锗的薄层。 实施例包括在半导体衬底上形成硅锗（SiGe）外延层，将掺杂剂注入到SiGe外延层中，以及退火注入的SiGe外延层。

Public/Granted literature
Information query
Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02 .按其半导体本体的特征区分的
H01L29/06 ..按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的
H01L29/10 ...具有连接到1个不通有待整流、放大或切换的电流的电极上去的半导体区域的；并且这样的电极又是包含3个或更多个电极的半导体器件的组成部分的
Patent Agency Ranking
0/0