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Invention Grant
US09054184B2 Semiconductor device and method of forming the same 有权
半导体器件及其形成方法

  • Patent Title: Semiconductor device and method of forming the same
  • Patent Title (中): 半导体器件及其形成方法
  • Application No.: US14183097
    Application Date: 2014-02-18
  • Publication No.: US09054184B2
    Publication Date: 2015-06-09
  • Inventor: Noriaki Mikasa
  • Applicant: PS4 Luxco S.a.r.l.
  • Applicant Address: LU Luxembourg
  • Assignee: PS4 LUXCO S.A.R.L.
  • Current Assignee: PS4 LUXCO S.A.R.L.
  • Current Assignee Address: LU Luxembourg
  • Priority: JP2010-266916 20101130; JP2011-105376 20110510
  • Main IPC: H01L29/78
  • IPC: H01L29/78 ;  H01L27/108
Semiconductor device and method of forming the same
Abstract:
A semiconductor device includes a semiconductor substrate having a first gate groove having first and second side walls facing to each other. A first gate insulating film covers the first and second side walls. A first gate electrode is disposed on the first gate insulating film and in a lower portion of the first gate groove. A first burying insulating film buries the first gate groove and covers the first gate electrode. A first diffusion region is adjacent to a first upper portion of the first gate insulating film. The first upper portion is positioned on an upper portion of the first side wall of the first gate groove. A second diffusion region is in contact with an upper portion of the second side wall of the first gate groove.
Abstract(Chinese):

半导体器件包括具有第一栅极沟槽的半导体衬底，第一栅极沟槽具有彼此面对的第一和第二侧壁。 第一栅极绝缘膜覆盖第一和第二侧壁。 第一栅电极设置在第一栅极绝缘膜上和第一栅极沟槽的下部。 第一掩埋绝缘膜将第一栅极沟槽覆盖并覆盖第一栅电极。 第一扩散区域与第一栅极绝缘膜的第一上部相邻。 第一上部位于第一门槽的第一侧壁的上部。 第二扩散区域与第一栅极沟槽的第二侧壁的上部接触。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
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