Methods of laser marking semiconductor substrates

Invention Grant

US09099481B2 Methods of laser marking semiconductor substrates 有权

Title translation: 激光标记半导体衬底的方法

Patent Title: Methods of laser marking semiconductor substrates
Patent Title (中): 激光标记半导体衬底的方法
Application No.: US14200283

Application Date: 2014-03-07
Publication No.: US09099481B2

Publication Date: 2015-08-04
Inventor: Jan {hacek over (S)}ik , Petr Kostelník , Luká{hacek over (s)} Válek , Michal Lorenc , Milo{hacek over (s)} Pospí{hacek over (s)}il , David Lysá{hacek over (c)}ek , John Michael Parsey, Jr.
Applicant: Semiconductor Components Industries, LLC
Applicant Address: US AZ Phoenix
Assignee: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC
Current Assignee: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC
Current Assignee Address: US AZ Phoenix
Agency: Noon Intellectual Property Law, P.C.
Main IPC: H01L21/302
IPC: H01L21/302 ; H01L31/113 ; H01L29/06 ; H01L23/544 ; H01L21/268 ; H01L21/66

Abstract:

In one embodiment, methods for making semiconductor devices are disclosed.

Abstract(Chinese):

在一个实施例中，公开了制造半导体器件的方法。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割