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Invention Grant
US09196636B2 TFT and manufacturing method thereof, array substrate and display device 有权
TFT及其制造方法，阵列基板和显示装置

TFT and manufacturing method thereof, array substrate and display device
Abstract:
The present invention provides a thin film transistor. An active layer of the thin film transistor comprises a plurality of active semiconductor sub-layers and a plurality of insulation sub-layers, which are stacked alternately. A source and a drain of the thin film transistor are electrically connected to the plurality of active semiconductor sub-layers. Correspondingly, the present invention further provides a method for manufacturing a thin film transistor, and an array substrate. The present invention can effectively increase channel current of the active layer in a thin film transistor, and solves the problem of small channel current resulted from low carrier mobility of the active layer.
Abstract(Chinese):

本发明提供一种薄膜晶体管。 薄膜晶体管的有源层包括交替堆叠的多个有源半导体子层和多个绝缘子层。 薄膜晶体管的源极和漏极电连接到多个有源半导体子层。 相应地，本发明还提供一种制造薄膜晶体管和阵列基板的方法。 本发明可以有效地增加薄膜晶体管中有源层的沟道电流，并且解决了由有源层的低载流子迁移率导致的小沟道电流的问题。

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Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34 ...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46 ....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/469 ......在半导体材料上形成绝缘层的，例如，用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）以及这些层的后处理
H01L21/47 .......有机层，例如光刻胶（H01L21/475，H01L21/4757优先）
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