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Invention Grant
US09256133B2 Apparatus and method for developing process 有权
开发过程的装置和方法

Apparatus and method for developing process
Abstract:
An apparatus includes at least two tanks, at least two pumps, at least one nozzle, and a chuck. The apparatus provides multiple developers with different polarities during a developing process to target portions of a latent resist profile having different polarities, and thus different solubility. This apparatus also allows a mixture of two developers to be used for the resist film developing. A polarity of the mixture is adjustable by controlling a ratio of one pump flow rate to another pump flow rate and further controlling the resist pattern profile.
Abstract(Chinese):

一种装置包括至少两个罐，至少两个泵，至少一个喷嘴和卡盘。 该装置在显影过程中提供具有不同极性的多个显影剂，以靶向具有不同极性的潜像抗蚀剂图案的部分，因此具有不同的溶解度。 该装置还允许将两种显影剂的混合物用于抗蚀剂膜显影。 通过控制一个泵流量与另一个泵流量的比率并进一步控制抗蚀剂图形轮廓，可以调节混合物的极性。

Public/Granted literature
Information query
Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34 ...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46 ....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/469 ......在半导体材料上形成绝缘层的，例如，用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）以及这些层的后处理
H01L21/47 .......有机层，例如光刻胶（H01L21/475，H01L21/4757优先）
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