Resist composition and method for producing semiconductor device

Invention Grant

US09304399B2 Resist composition and method for producing semiconductor device 有权

Title translation: 抗蚀剂组合物和半导体器件的制造方法

Patent Title: Resist composition and method for producing semiconductor device
Patent Title (中): 抗蚀剂组合物和半导体器件的制造方法
Application No.: US14279795

Application Date: 2014-05-16
Publication No.: US09304399B2

Publication Date: 2016-04-05
Inventor: Nobuyuki Matsuzawa , Isao Mita , Koji Arimitsu
Applicant: Sony Corporation
Applicant Address: JP Tokyo
Assignee: SONY CORPORATION
Current Assignee: SONY CORPORATION
Current Assignee Address: JP Tokyo
Agency: Hazuki International, LLC
Priority: JP2010-217862 20100928
Main IPC: G03F7/40
IPC: G03F7/40 ; G03F7/30 ; H01L21/027

Abstract:

A resist composition includes: a crosslinking material that is crosslinked in the presence of an acid; an acid amplifier; and a solvent.

Abstract(Chinese):

抗蚀剂组合物包括：在酸存在下交联的交联材料; 酸放大器; 和溶剂。

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IPC分类:

G	物理
G03	摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F	图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G）
G03F7/00	图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L21/00，H05K）
G03F7/26	.感光材料的处理及其设备（G03F7/12至G03F7/24优先）
G03F7/40	..去除影像之后的处理，例如，烘干