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Invention Grant
US09343565B2 Semiconductor device having a dense trench transistor cell array 有权
具有致密沟槽晶体管单元阵列的半导体器件

Semiconductor device having a dense trench transistor cell array
Abstract:
One embodiment of a semiconductor device includes a dense trench transistor cell array. The dense trench transistor cell array includes a plurality of transistor cells in a semiconductor body. A width w3 of a transistor mesa region of each of the plurality of transistor cells and a width w1 of a first trench of each of the plurality of transistor cells satisfy the following relationship: w3
Abstract(Chinese):

半导体器件的一个实施例包括致密沟槽晶体管单元阵列。 密集沟槽晶体管单元阵列包括半导体本体中的多个晶体管单元。 多个晶体管单元的晶体管台面区域的宽度w3和多个晶体管单元中的每一个的第一沟槽的宽度w1满足以下关系：w3 <1.5×w1。 半导体器件还包括半导体二极管。 至少一个半导体二极管布置在多个晶体管单元的第一和第二部分之间，并且包括邻接第二沟槽的相对壁的二极管台面区域。 第一沟槽的深度d1和第二沟槽的深度d2相差至少20％。

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Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
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