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WO2010011036A2 습식공정으로 제작된 광결정 소자 및 그 제조방법 审中-公开
通过湿法生产的光电晶体装置及其生产方法

습식공정으로 제작된 광결정 소자 및 그 제조방법
Abstract:
본 발명은 실리콘 웨이퍼의 결정 방향 (100)으로의 비등방적 습식공정과 반도체 공정기술을 적용하여 원하는 전자기파 대역에서 이용할 수 있는 광도파로, 공진기, 필터, 안테나, 스미스-퍼셀(Smith-Purcell) 자유전자레이저 등의 광결정 소자에 사용될 수 있는 광결정 구조를 제조할 수 있고, 일정한 형태를 갖는 실리콘 결정이 주기적으로 배열된 광결정 부분과 광도파로, 공진기 등으로 사용하기 위해 축 방향으로의 광 손실을 줄이는 덮개부분으로 이루어지도록 하여 원하는 전자기파 대역에 적용될 수 있는 소자로 사용할 수 있으며, 실리콘 결정을 도전성이 있는 물질로 코팅을 하지 않고 사용한 유전체 광결정 특성과 실리콘 결정을 도전성이 있는 물질로 코팅하여 금속 광결정 특성을 모두 이용할 수 있도록 한 광결정 구조를 갖는 광결정 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 이를 이용하여 상대적으로 가격이 저렴하며, 높이가 큰 광결정 구조를 빠른 시간 안에 대량으로 제작할 수 있다.
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的(在半导体材料上制作电极的入H01L21/28)
H01L21/302 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的,例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306 ......化学或电处理,例如电解腐蚀(形成绝缘层的入H01L21/31;绝缘层的后处理入H01L21/3105)
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