Abstract:
게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 각각 갖는 6개의 박막 트랜지스터로 구성되는 정적램 코어 셀이고, 정적램 코어 셀은 비트 라인과 워드 라인에 각각 연결되어 데이터의 기록 및 독출을 선택하는 2개의 스위칭용 박막 트랜지스터; 및 전원전압(Vdd) 또는 접지전압(Vss)에 연결되어 데이터가 기록 및 독출되는 4개의 데이터 저장용 박막 트랜지스터를 포함하고, 정적램 코어셀은 6개의 박막 트랜지스터 중에서 선택된 2개의 박막 트랜지스터를 포함하는 제1 트랜지스터층; 제1 트랜지스터층 상에 위치하고, 나머지 4개의 박막 트랜지스터 중에서 선택된 2개의 박막 트랜지스터를 포함하는 제2 트랜지스터층; 및 제2 트랜지스터층 상에 위치하고, 나머지 2개의 박막 트랜지스터를 포함하는 제3 트랜지스터층;을 포함하고, 제1 트랜지스터층의 1종 이상의 전극과 제2 트랜지스터층의 1종 이상의 전극이 전기적 연결되고, 제2 트랜지스터층의 1종 이상의 전극과 제3 트랜지스터층의 1종 이상의 전극이 전기적 연결된 것인 수직적층구조의 3차원 정적램 코어 셀이 제공된다. 이에 의하여, 본 발명의 수직적층구조의 3차원 정적램 코어 셀은 동일한 평면상에 동일한 타입의 유기 트랜지스터를 배치하여 수직으로 적층시킴으로써 메모리 소자 제조시 상이한 타입의 유기 트랜지스터를 형성하기 위한 복잡한 패터닝 공정을 생략할 수 있고, 메모리 소자가 차지하는 면적을 줄여 반도체 회로의 집적도를 향상시킬 수 있다.
Abstract:
본 발명은 전자주개 작용기를 포함하는 제 1그래핀층; 및 제 1그래핀층 상에 위치하고, 그래핀을 포함하는 제 2그래핀층;을포함하고,제 2그래핀층은 상기 제 1그래핀층에 의해 n-도핑되는 그래핀 적층체에 관한 것이다. 이에 의하여, 그래핀을 아미노기로 개질된 그래핀으로 도핑하여 그래핀의 투명도를 저하시키지 않고,그래핀의 도핑정도를 조절할 수 있으며,보호층 없이 장시간 도핑효과가 지속될수 있다.
Abstract:
금속촉매를 수소 기체와 접촉시키는 단계(단계 a); 단계 a의 금속촉매를 탄화수소 기체, 질소 기체 및 불활성 기체 중에서 선택된 1종 이상과 접촉시키는 단계(단계 b); 및 단계 b의 금속촉매를 수소 기체 및 탄화수소 기체와 접촉시켜 금속촉매상에 그래핀을 형성하는 단계(단계 c);를 포함하는 그래핀의 제조방법이 제공된다. 이에 의하여, 최초의 금속촉매층 표면의 거칠기와 상관없이 필요에 따라 그래핀층의 수를 다양하게 조절할 수 있고, 나아가 그래핀 형성 시간을 단축시켜 공정비용을 절감할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 기판; 상기 기판 상에 위치하는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 위치하고, 통형 중공을 포함하는 지지부; 및 상기 지지부 상에 위치하는 박막 및 상기 박막 상에 위치하는 제 2전극을 포함하는 진동판(diaphragm);을 포함하는 진동센서를 제공한다. 본 발명은 사람이 말할 때 사람의 목에 부착하여 목 피부의 진동 가속도를 감지함으로써, 사람의 목소리 주파수 영역 내에서 음성 인식 민감도가 일정하고 높은 특성이 있는 초박막의 피부부착형 성대 마이크로폰을 제조할 수 있다. 또한 진동을 민감하게 감지하여 외부 소음이나 바람에도 영향을 받지 않으며, 입을 가린 상황에서도 목소리를 감지할 수 있으며, 유기소재를 이용한 초박막 구조로 되어 있는 피부부착형 진동센서는 피부 적합성이 좋아 굴곡진 피부에서의 진동 신호 왜곡 현상을 최소화할 수 있으며, 피부에 대한 착용감이 우수하고 심미성이 있는 효과가 있다.
Abstract:
본 발명은 유연기판; 및 상기 유연 기판의 일면에 유연 기판의 스트레인을 감소시키는 기재;를 포함하는 유연 기판 적층체에 관한 것이다. 본 발명의 유연 기판 적층체는 표면 스트레인 감소시키는 기재를 포함하여 표면의 전단 응력 및 표면 스트레인을 감소시켜 소자의 성능 저하를 최소화할 수 있다. 또한, 이와 같은 유연 기판 적층체를 적용하여 굽힘 후에도 성능이 저하되지 않는, 내굴곡 특성이 향상된 다양한 전자 소자에 응용할 수 있다.
Abstract:
본 발명의 실시예는 그래핀 및 그의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 그래핀의 제조방법은 기재상에 금속 촉매층을 형성하는 단계(단계 a); 단계 a의 금속 촉매층상에 커버 부재를 도입하는 단계(단계 b); 및 화학기상증착을 수행하여 단계 b의 금속 촉매층 상에 그래핀을 성장시키는 단계(단계 c);를 포함한다. 이에 의하여, 화학기상증착 장치 내에서 금속 촉매 분자의 응집을 촉진함과 동시에, 커버 부재의 영향으로 금속 촉매의 기상 증발을 방지함으로써 금속 촉매 표면의 마이크로 단위의 그레인 바운더리(Grain Boundary)의 크기를 줄여 합성된 그래핀의 투명성 등의 퀄리티를 향상시킬 수 있다. 또한, 탄소 원천(source)의 가스의 다양한 농도에서 성장하는 그래핀 시트를 합성할 수 있으며, 화학기상증착 장치 내의 한정된 공간 내에서 효율적으로 대량생산을 할 수 있다.
Abstract:
본발명은하기구조식 1로표시되는고분자화합물에관한것이다. 본발명의고분자화합물은곁사슬에알콕시-페닐기를도입함으로써 HOMO 에너지레벨을낮추고, 2차원적으로컨쥬게이션을확장시킬수 있다. 또한, 이와같은고분자화합물을적용하여, 높은곁사슬규칙성및 고분자화합물의평면성증가로인해고분자결정의결정성이향상됨으로써유기태양전지의광흡수효율및 광전변환효율을향상시킬수 있다. [구조식 1]
Abstract:
본발명은하기구조식 1로표시되는고분자화합물에관한것이다. 본발명의고분자화합물은곁사슬에알콕시-페닐기를도입함으로써 HOMO 에너지레벨을낮추고, 2차원적으로컨쥬게이션을확장시킬수 있다. 또한, 이와같은고분자화합물을적용하여, 높은곁사슬규칙성및 고분자화합물의평면성증가로인해고분자결정의결정성이향상됨으로써유기태양전지의광흡수효율및 광전변환효율을향상시킬수 있다. [구조식 1]