公开(公告)号：TW200739744A

公开(公告)日：2007-10-16

申请号：TW095124834

申请日：2006-07-07

Applicant: ST微電子股份有限公司 STMICROELECTRONICS S.R.L.

Inventor： 紀瑟沛 阿瑞納 GIUSEPPE ARENA ,  卡提利納 杜納多 CATERINA DONATO ,  卡提諾 馬可 卡馬雷利 CATENO MARCO CAMALLERI ,  安傑洛 馬格利 ANGELO MAGRI'

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/511 ,  H01L29/66734

Abstract: 一種具有絕緣閘成型在槽中之半導體功率裝置之製造方法,一槽成型於一半導體本體內;該槽之槽壁及底部被第一絕緣材料層所覆蓋;該槽充滿了第二絕緣材料層;該第一,第二絕緣材料層經局部,同步及控制蝕刻如具有同樣蝕刻率之絕緣材料所蝕刻。一閘極氧化層,其具有小於第一絕緣材料層之厚度且沉澱於該槽之槽壁。一傳導性閘極區域,其成型於該槽內,本體區域及源極區域成型於該半導體本體內,並與該閘極區域相絕緣。因此,該閘極區域只延伸於第一,第二絕緣材料層其它部份之頂端。

Abstract in simplified Chinese: 一种具有绝缘闸成型在槽中之半导体功率设备之制造方法,一槽成型于一半导体本体内;该槽之槽壁及底部被第一绝缘材料层所覆盖;该槽充满了第二绝缘材料层;该第一,第二绝缘材料层经局部,同步及控制蚀刻如具有同样蚀刻率之绝缘材料所蚀刻。一闸极氧化层,其具有小于第一绝缘材料层之厚度且沉淀于该槽之槽壁。一传导性闸极区域,其成型于该槽内,本体区域及源极区域成型于该半导体本体内,并与该闸极区域相绝缘。因此,该闸极区域只延伸于第一,第二绝缘材料层其它部份之顶端。