公开(公告)号：CN115295521A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210387423.8

申请日：2022-04-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任忠彬 ,  金知晃 ,  沈钟辅

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L25/18

Abstract: 提供了半导体封装结构、半导体封装件和堆叠半导体封装件，所述半导体封装结构包括：封装基板；半导体芯片，所述半导体芯片位于所述封装基板上并且电连接到所述封装基板；中介基板，所述中介基板位于所述封装基板和所述半导体芯片上方，其中，所述中介基板包括从所述中介基板的下表面向里凹入的腔，其中，至少从俯视图看，所述半导体芯片设置在所述腔内；以及粘合层，所述粘合层设置在所述腔的内部和外部，其中，所述粘合层形成在所述半导体芯片的上表面和侧表面上，或者形成在所述半导体芯片的所述侧表面上。

公开(公告)号：CN115910978A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210724273.5

申请日：2022-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任忠彬 ,  金知晃 ,  沈钟辅 ,  朴镇右

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体封装件包括：第一封装基板，具有分别包括多个第一下表面焊盘和多个第一上表面焊盘的下表面和上表面；第二封装基板，具有分别包括多个第二下表面焊盘和多个第二上表面焊盘的下表面和上表面，其中，所述多个第二上表面焊盘包括位于所述第二封装基板的上表面处的所有上表面焊盘；半导体芯片，设置在所述第一封装基板和所述第二封装基板之间并且附接到所述第一封装基板上；以及多个金属芯结构，将所述多个第一上表面焊盘中的一些第一上表面焊盘连接到所述多个第二下表面焊盘中的一些第二下表面焊盘并且不与所述多个第二上表面焊盘中的任何第二上表面焊盘垂直交叠，每个所述金属芯结构具有金属芯。

公开(公告)号：CN113345858A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202011264611.9

申请日：2020-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任忠彬 ,  金正雨 ,  金知晃 ,  卞贞洙 ,  沈钟辅 ,  李斗焕 ,  崔敬世 ,  崔正坤 ,  表声磤

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L25/10 ,  H01L25/16 ,  H01L25/00 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体封装件包括：再分布层，其包括多个再分布绝缘层、构成下布线层的多个再分布线图案、以及在穿透多个再分布绝缘层中的至少一个再分布绝缘层的同时连接到多个再分布线图案中的一些再分布线图案的多个再分布通孔；至少一个半导体芯片，其被布置在再分布层上；扩展层，其围绕再分布层上的至少一个半导体芯片；以及覆盖布线层，其包括至少一个基本绝缘层、构成上布线层的多个布线图案、以及在穿透至少一个基本绝缘层的同时连接到多个布线图案中的一些布线图案的多个导电通孔。

公开(公告)号：CN107154388A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201710117489.4

申请日：2017-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泳龙 ,  朴镇右 ,  任忠彬 ,  闵胤智

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/568 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1082 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/481

Abstract: 提供了一种半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：基底；半导体芯片，位于基底上；互连基底，在基底上与半导体芯片分隔开并包括位于其中的导电构件；焊球，位于互连基底上并电连接到导电构件；聚合物层，位于互连基底和半导体芯片上，并且包括通过其暴露焊球的开口；以及聚合物颗粒，位于焊球中，并且包括与聚合物层相同的材料。

公开(公告)号：CN101004729A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200710001985.X

申请日：2007-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋允范 ,  任忠彬 ,  文相峻

IPC: G06F13/38

CPC classification number: G06F13/4072 ,  G06F2213/0042

Abstract: 提供了一种通用串行总线(USB)装置，所述USB装置包括：接收器，通过数据线从USB主机接收信号；和上拉电阻电路，响应于控制信号将上拉电阻连接到数据线。上拉电阻响应于控制信号选择性地将多个上拉电阻与数据线连接。上拉电阻电路控制与数据线连接的多个上拉电阻的数目，以使当USB主机对USB装置复位时信号的电压低于阈值电压。

公开(公告)号：CN118824975A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202311478605.7

申请日：2023-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任忠彬 ,  金钟局 ,  吴政达

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/373 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体封装可以包括：重分布层结构；半导体结构，在重分布层结构上；印刷电路板，在重分布层结构上并绕半导体结构的侧表面延伸；模制材料，重分布层结构上绕半导体结构延伸；以及硅中介层，在印刷电路板和模制材料上。

公开(公告)号：CN117238880A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310331827.X

申请日：2023-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任忠彬 ,  朴智镛 ,  朴镇右

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48

Abstract: 一种半导体封装包括：封装衬底；衬底焊盘，设置在封装衬底的顶表面上；至少一个芯球，在至少一个衬底焊盘上；重分布衬底，设置在封装衬底的顶表面上；以及半导体芯片，安装在重分布衬底上。重分布衬底通过设置在重分布衬底的底表面上的多个焊球电连接到封装衬底。至少一个芯球电连接到重分布衬底。至少一个芯球的直径大于多个焊球中的每个焊球的直径。

公开(公告)号：CN107154388B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN201710117489.4

申请日：2017-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泳龙 ,  朴镇右 ,  任忠彬 ,  闵胤智

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56

Abstract: 提供了一种半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：基底；半导体芯片，位于基底上；互连基底，在基底上与半导体芯片分隔开并包括位于其中的导电构件；焊球，位于互连基底上并电连接到导电构件；聚合物层，位于互连基底和半导体芯片上，并且包括通过其暴露焊球的开口；以及聚合物颗粒，位于焊球中，并且包括与聚合物层相同的材料。

公开(公告)号：CN119314971A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202410175447.6

申请日：2024-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任忠彬 ,  金钟局

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H10B80/00

Abstract: 根据实施例的半导体封装可以包括：再分布层结构；第一半导体堆叠结构，位于再分布层结构的上表面上，其中，第一半导体堆叠结构包括第一小芯片和设置在第一小芯片上的第二小芯片；第二半导体堆叠结构，位于再分布层结构的上表面上，并且与第一半导体堆叠结构并排。桥接管芯，在第一半导体堆叠结构和第二半导体堆叠结构之间形成电连接，桥接管芯设置在第一半导体堆叠结构和第二半导体堆叠结构的上方；以及表面安装器件(SMD)，设置在第一半导体堆叠结构和第二半导体堆叠结构中的至少一个的上表面上。

公开(公告)号：CN117012723A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310049527.2

申请日：2023-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任忠彬 ,  金圣凡 ,  朴智镛 ,  朴镇右 ,  沈钟辅

IPC: H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/14 ,  H01L23/16 ,  H01L23/48 ,  H01L23/06 ,  H01L23/498

Abstract: 提供了一种半导体封装件，其包括：支撑布线结构；半导体芯片，位于所述支撑布线结构上；覆盖布线结构，位于所述半导体芯片上；以及填充构件，填充在所述支撑布线结构与所述覆盖布线结构之间，其中，所述覆盖布线结构包括：腔，所述腔从所述覆盖布线结构的下表面延伸到所述覆盖布线结构中并且所述半导体芯片的上部位于所述腔中；以及第一槽和第二槽，在第一水平方向上分别具有第一宽度和第二宽度，所述第一槽和所述第二槽与所述腔连通并且分别延伸到所述覆盖布线结构的在与所述第一水平方向正交的第二水平方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面。