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发明公开
半导体装置审中-公开

公开(公告)号：CN117917773A

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202311270775.6

申请日：2023-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊起 , 金成焕 , 金完敦 , 柳兴硕

IPC: H01L27/092 , H01L23/48

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源图案，在第一方向上延伸；多个栅极结构，在第一方向上间隔开，并且包括在第二方向上延伸的栅电极；源极/漏极图案，在相邻的栅极结构之间；硅化物掩模图案，在源极/漏极图案上，硅化物掩模图案的上表面低于栅电极的上表面；源极/漏极接触件，在源极/漏极图案上连接到源极/漏极图案；以及接触件硅化物膜，在源极/漏极接触件和源极/漏极图案之间与硅化物掩模图案的底表面接触，其中，从源极/漏极图案的最下面的部分到源极/漏极接触件的最下面的部分的高度小于从源极/漏极图案的最下面的部分到硅化物掩模图案的底表面的高度。

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