公开(公告)号：CN101276690A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810088819.2

申请日：2008-03-28

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李承恩 ,  郑栗教 ,  李汀苑 ,  李寅衡 ,  宋秉翼

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/10 ,  H01G4/008 ,  H05K1/16 ,  H05K1/18 ,  C23C14/46 ,  H01G13/00

CPC classification number: H05K1/162 ,  H01G4/105 ,  H01G4/33 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  Y10T29/435

Abstract: 本发明提供了在泄漏电流特性方面有所改进的薄膜电容器和电容器嵌入式印刷电路板。介电层由不需高温热处理就具有预定介电常数的BiZnNb－基非晶质金属氧化物制成，并且调整BiZnNb－基非晶质金属氧化物的金属相铋含量以获得期望的介电常数。同样，可形成具有不同金属相铋含量的另一介电层。所述薄膜电容器包括：第一电极；包括形成于所述第一电极上的第一介电膜的介电层，所述介电层包括BiZnNb－基非晶质金属氧化物；以及形成于所述介电层上的第二电极，其中所述BiZnNb－基非晶质金属氧化物包含金属相铋。

公开(公告)号：CN101276690B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200810088819.2

申请日：2008-03-28

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李承恩 ,  郑栗教 ,  李汀苑 ,  李寅衡 ,  宋秉翼

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/10 ,  H01G4/008 ,  H05K1/16 ,  H05K1/18 ,  C23C14/46 ,  H01G13/00

CPC classification number: H05K1/162 ,  H01G4/105 ,  H01G4/33 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  Y10T29/435

Abstract: 本发明提供了在泄漏电流特性方面有所改进的薄膜电容器和电容器嵌入式印刷电路板。介电层由不需高温热处理就具有预定介电常数的BiZnNb-基非晶质金属氧化物制成，并且调整BiZnNb-基非晶质金属氧化物的金属相铋含量以获得期望的介电常数。同样，可形成具有不同金属相铋含量的另一介电层。所述薄膜电容器包括：第一电极；包括形成于所述第一电极上的第一介电膜的介电层，所述介电层包括BiZnNb-基非晶质金属氧化物；以及形成于所述介电层上的第二电极，其中所述BiZnNb-基非晶质金属氧化物包含金属相铋。