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公开(公告)号：CN100388422C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510129143.3
申请日：2005-10-08
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , B41M5/38207 , B41M5/42 , B41M5/46 , B41M2205/12 , B41M2205/36 , H01L51/56 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10S430/136
Abstract: 本发明涉及施主衬底及有机发光显示器的制造方法。制造施主衬底的方法包括：准备包含至少一个转移区和至少一个非转移区的基衬，在基衬上形成光热转换层，使用遮蔽掩模在基衬的至少一个转移区中的光热转换层上选择性地沉积转移层，其中形成在该转移区中的该转移层比受主衬底上的对应显示区宽。然后为了制造有机发光显示器，使用激光诱导热成像来将图案化的转移层从施主衬底转移至受主衬底上的显示区。
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公开(公告)号：CN1958302A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610143367.4
申请日：2006-11-06
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 一种用于成像施主薄膜的成像层到受体基板上的激光诱导热成像设备。该激光诱导热成像设备包括：基板台和施主薄膜，其中，该基板台包括磁铁，并且适于容放具有有机光发射装置的象素区的受体基板，该施主薄膜包括成像在该象素区上的有机光发射层；激光振荡器，其发射激光到该施主薄膜上；接触框架，其适应于设置在该基板台和该激光振荡器之间，并且包括对应于施主薄膜的成像部分的图案的开口部分和用于与该基板台形成磁力的永磁铁；和接触框架移动机构，其用于向该基板台移动该接触框架。
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公开(公告)号：CN1824518A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610067365.1
申请日：2006-02-22
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B23K26/0661 , B23K26/0604 , B23K26/0648 , B23K26/066 , B41J2/4753 , B41M5/38221
Abstract: 激光照射装置包括用于构图的激光发生器和用于预热的激光发生器。激光生热成像(LITI)方法，包括准备受体衬底；将施主衬底层叠在所述受体衬底上；和将激光束照射到施主衬底的预定区域上，并且使用包括用于构图的激光发生器和用于预热的激光发生器的激光照射装置执行转移。有利地，由用于构图的激光发生器产生的高强度激光束用于防止转移层被侵害，由用于预热的激光发生器产生的激光束同时用于预热，使得不发生边缘断开缺陷，并且即使在受体衬底具有梯级的部分中也可以容易地进行转移。
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公开(公告)号：CN1816236A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510129760.3
申请日：2005-12-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0009 , B23K26/073 , H01L51/0013 , H01L51/5012 , Y10T428/10
Abstract: 本发明公开了一种激光照射装置、一种构图方法和使用该方法的制备OLED的方法。激光照射装置包括：光源、掩模以及投影透镜，菲涅耳透镜形成在掩模的预定部分以改变光路。当使用该激光照射装置形成有机层图案时，将激光辐射照射到待切割的有机层的区域上，并且激光辐射适当地照射到待从施主基板分离的有机层的区域上。照射到有机层图案的边缘上的激光辐射具有的能量密度大于照射到有机层图案的其它部分上的激光辐射的能量密度。于是，可以形成均匀的有机层图案，并且减少对有机层图案的损伤。
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公开(公告)号：CN1789006A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510112769.3
申请日：2005-10-12
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41J3/407 , B41J11/0015 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供了一种用于激光转写法的施体基板和利用该方法制造的有机发光显示器。激光转写设备包括通过接地装置接地的载物台，并且制造有机发光显示器的方法能控制利用该设备形成有机层的同时所堆积的静电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1747611A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200410095453.3
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , B41M5/385 , B41M5/42 , B41M5/426 , B41M5/46 , B41M2205/38 , C23C14/048 , H01L51/56 , Y10S428/917 , Y10T428/24479
Abstract: 提供一种用于激光诱导热成像法的供体衬底和一种使用其制造的有机场致发光显示设备。该供体衬底包括：基膜；在该基膜上形成的光－热转换层；在该光热转换层整个表面上形成的缓冲层；在该缓冲层上形成的金属层和由有机材料形成并在该金属层上形成的转移层，因而，通过使用该激光诱导热成像法转移小分子材料而提高转移图案的性质。
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公开(公告)号：CN1744783A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510099608.5
申请日：2005-08-30
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/42 , B41M2205/12 , B41M2205/38 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种制造用于激光诱发热成像(LITI)工艺的供体基板的方法。该方法包括：制备供体基板的基底基板；在基底基板上形成光热转换层；在光热转换层上形成缓冲层；通过处理缓冲层的表面增加缓冲层的表面粗糙度；和在经表面处理的缓冲层上形成转印层。通过使用供体基板，在制造OLED期间可以更好地进行构图工艺。
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公开(公告)号：CN1744781A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200410099716.8
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 提供了一种用于激光诱致热成像(laser inducedthermal imaging)方法的供体基板和利用该供体基板制造的有机发光显示器(OLED)。还提供了一种制造OLED的方法，由于具有导电层的供体基板电连接于接地台架，当利用激光诱致热成像方法形成有机层时，这种方法能够控制静电。
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公开(公告)号：CN1738499A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200410094218.4
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H05B33/10
CPC classification number: H01L51/0013 , H01L51/56 , Y10S430/146
Abstract: 本发明提供了一种OLED的制造方法。该方法包括提供在其中形成像素电极的基板。此外，该方法包括在该基板的整个表面上层叠附着于框架的施主基板以及对施主基板的预定区域照射激光从而在该像素电极上形成有机层图案。本发明提供了一种OLED的制造方法，该方法能够抑制杂质例如颗粒等的产生，并避免施主基板下垂或弯曲，并且由于施主基板和基板易于彼此附着而维持真空态从而提高了转移效率。
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公开(公告)号：CN1622725A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410097428.9
申请日：2004-11-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , H01L27/3211 , H01L51/56 , Y10S428/917
Abstract: 提供了一种用于激光转印的施主衬底，包括：基薄膜；形成在所述基薄膜上的光－热转化层；以及形成在所述光－热转化层上的转印层。所述转印层包括热固电致发光材料，并且使用所述转印衬底制造有机电致发光显示器件。由此，在激光转印后通过热固化工艺简单地形成具有精细图案的R、G、B发射层。结果，未破坏发射层，并且由于简化的掩模工艺的应用，降低了全色有机电致发光显示器件的制造成本。所述施主衬底在用于制造大尺寸有机电致发光显示器件时具有优势。
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