六水合钠铷碳氮氧溴双折射光学晶体及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN115287758B

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202210807970.7

    申请日:2022-07-11

    Abstract: 本发明公开了一种六水合钠铷碳氮氧溴双折射光学晶体及其制备方法和用途。化学式为Na3Rb6(CO3)3(NO3)2Br·6H2O,分子量1073.81,属于六方晶系,空间群为P63/mcm,晶胞参数为#imgabs0#α=β=90°,γ=120°,#imgabs1#Z=2。晶体采用水热法生长。晶体易于生长、易于切割、易于研磨、易于抛光和易于保存,在空气中稳定,不易潮解;可用于制作格兰型棱镜、渥拉斯顿棱镜、洛匈棱镜或光束分离偏振器等偏振分束棱镜,在光学和通讯领域有重要应用。

    一种X射线曝光装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112859539B

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN202110084626.5

    申请日:2021-01-21

    Abstract: 本发明涉及一种X射线曝光装置,包括套筒(1)和与套筒(1)连接的移动工作台(2),所述的套筒(1)内设置有掩模版(3)和光刻胶基板(4),套筒(1)上设有入光口(11),X射线通过入光口(11)进入套筒(1)内。与现有技术相比,本发明不仅可以有效保护了光刻掩模版,而且此装置可以有效提高光刻的效率以及达到高精度的光刻效果,做到批量生产。

    一种一体化微压电液体泵送装置及其制造和驱动方法

    公开(公告)号:CN113944615A

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN202111249966.5

    申请日:2021-10-26

    Abstract: 本发明涉及一种一体化微压电液体泵送装置及其制造和驱动方法,泵送装置包括微压电驱动器(1)、弹性板(2)、一体化腔体(3)和止回阀(4);所述的微压电驱动器(1)包括压电陶瓷(11)、基板(12)、电极(13)和驱动块(14),一体化腔体(3)包括进出口流道(31)和储存室(32);所述的弹性板(2)设置在储存室(32)上,驱动块(14)连接弹性板(2),止回阀(4)设置在进出口流道(31)上;所述的电极(13)包括上电极(131)和下电极(132),上电极(131)连接压电陶瓷(11),下电极(132)连接基板(12)。与现有技术相比,本发明具有加工步骤少、结构简单、驱动力大、防漏效果好等优点。

    敏感膜和传力导杆一体化的微力传感器及其加工方法

    公开(公告)号:CN110207864A

    公开(公告)日:2019-09-06

    申请号:CN201910527313.5

    申请日:2019-06-18

    Abstract: 本发明涉及一种敏感膜和传力导杆一体化的微力传感器,包括固定连接的敏感膜和传力导杆,敏感膜包括基板、设于基底中心位置的中心板、连接于基板和中心板之间的悬臂梁、设于悬臂梁上的压敏电阻,基板上设有与压敏电阻位置匹配的接触孔,金属引线与压敏电阻在接触孔内形成欧姆接触,并组成惠斯登电桥;中心板一体连接传力导杆。与现有技术相比,本发明具有制备简便、成本低、测量误差小、方便安装等优点。

    基于整形X射线移动曝光的微台阶加工装置及方法

    公开(公告)号:CN109634062A

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201810794694.9

    申请日:2018-07-18

    CPC classification number: G03F7/2039 G03F7/70058 G03F7/7055 G03F7/70558

    Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域,更具体地,涉及一种基于整形X射线移动曝光的微台阶加工装置及方法。基于整形X射线移动曝光的微台阶加工装置,它包括同步辐射光光源、掩膜版、PMMA光刻胶板、移动工作台和曝光腔,所述掩膜版、PMMA光刻胶板、移动工作台设置在曝光腔内,PMMA光刻胶板固定设置在移动工作台上,掩膜版位于PMMA光刻胶板前方,所述同步辐射光光源位于曝光腔外,且设置在掩膜版前方,所述掩膜版上设有小孔,所述同步辐射光光源发射的X射线进入曝光腔区域,通过掩膜版上的小孔,得到整形好的X射线,对移动工作台的上PMMA光刻胶板进行曝光。通过控制整形X射线照射到光刻胶的时间,获得不同的曝光剂量,从而获得不同深度的台阶式结构。

    铷氯硒氧氢双折射晶体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113981540B

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN202111270541.2

    申请日:2021-10-29

    Abstract: 本发明公开了一种铷氯硒氧氢双折射晶体及其制备方法和在制备偏振分束棱镜中的应用。化学式为RbCl·(H2SeO3)2,分子量377.9,属于三斜晶系,空间群为晶胞参数为β=89.697(7),Z=3.167。制备方法采用水热法。本发明所得晶体易于生长、易于切割、易于研磨、易于抛光和易于保存,在空气中稳定,不易潮解;可用于制作格兰型棱镜、渥拉斯顿棱镜、洛匈棱镜或光束分离偏振器等偏振分束棱镜,在光学和通讯领域有重要应用。

    一种MEMS压电装置的批量加工方法

    公开(公告)号:CN111252728B

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202010074417.8

    申请日:2020-01-22

    Abstract: 本发明涉及一种MEMS压电装置的批量加工方法,MEMS压电装置包括PZT立柱和设于的PZT立柱上的Si层;该加工方法包括以下步骤:取一PZT基板和Si基板,在的Si基板上加工出定位刀口,并将PZT基板加工成固定于的Si基板上的PZT立柱;的Si基板相对位置的边部上的定位刀口的连线构成切割路径,横向和纵向的切割路径构成PZT立柱边缘形状;取一与的Si基板形状大小相同的Si晶片,在的Si晶片的边部加工出定位刀口,的Si晶片键合连接于的PZT立柱上得到中间产品,并且位于Si晶片上的定位刀口与位于Si基板的定位刀口上下对齐;通过切割工艺切割Si晶片,得到覆盖于PZT立柱上的Si层。与现有技术相比,本发明具有生产成本低、切割简单、容易批量生产等优点。

    一种湿法刻蚀设备及光刻胶清洗显影装置

    公开(公告)号:CN109920747A

    公开(公告)日:2019-06-21

    申请号:CN201910185830.9

    申请日:2019-03-12

    Abstract: 本发明公开了一种湿法刻蚀设备及光刻胶清洗显影装置,该湿法刻蚀设备包括:壳体,壳体的外壁上设有控制面板;载液盆设于壳体内,用于盛放溶液;该载液盆的盆沿与壳体的内壁固连;超声波雾化器固设于载液盆的底部,用于将载液盆中的溶液雾化成液滴;刻蚀花篮设于载液盆的盆沿上,用于盛放被刻蚀器件;该被刻蚀器件与溶液分离;供电模块设于壳体的底部;其中,超声波雾化器与控制面板电连接;超声波雾化器、控制面板均与供电模块电连接。采用刻蚀花篮使被刻蚀器件与溶液分离,并用超声波雾化器将刻蚀液雾化,利用雾化液滴刻蚀器件,使镂空、栅格等精细复杂结构平稳释放,提供刻蚀精细复杂结构的成功率。

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