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公开(公告)号：CN120035375A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510175008.X
申请日：2025-02-18
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明专利公开了一种耐高温的柔性阻变存储器件及其制备方法，具体涉及半导体器件领域。包括：金属衬底层，所述衬底层由耐高温的柔性金属薄片制成；金属下电极层，所述金属下电极层位于金属衬底层上；非晶金属氧化物半导体层，所述非晶金属氧化物半导体层位于金属下电极层上；金属上电极层，所述上电极层位于非晶金属氧化物半导体层上。采用本发明技术方案解决了传统的刚性阻变存储器无法同时兼具高温环境和结构柔性的问题，这使得存储器在一些复杂和极端的环境下具有广阔的应用前景。
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