公开(公告)号：CN110212740B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN201910404032.0

申请日：2019-05-15

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 李小强 ,  王文杰 ,  贺生鹏 ,  林铭恩 ,  伍小杰 ,  余超 ,  纪明理 ,  徐塑哲 ,  周子奇 ,  董云鹤 ,  何承原

IPC: H02M1/092

Abstract: 本发明提供了一种抑制SiC MOSFET门极串扰与振荡的驱动电路，属于电力电子开关器件驱动电路技术领域。其技术方案为：一种抑制SiC MOSFET门极串扰与振荡的驱动电路，包括推挽电路和电容辅助电路，推挽电路和电容辅助电路连接在主电路上构成完整的工作电路；所述主电路由连接在同一桥臂上的上下两个SiC MOSFET开关管组成。本发明的有益效果为：本发明可以在不减慢两SiC MOSFET开关管的开通和关断速度的前提下，有效降低了由同一桥臂上下两SiC MOSFET开关管相互产生的串扰电压，并且有效减小了两SiC MOSFET开关管驱动输出电压在开关过程中的震荡。

公开(公告)号：CN110212740A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910404032.0

申请日：2019-05-15

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 李小强 ,  王文杰 ,  贺生鹏 ,  林铭恩 ,  伍小杰 ,  余超 ,  纪明理 ,  徐塑哲 ,  周子奇 ,  董云鹤 ,  何承原

IPC: H02M1/092

Abstract: 本发明提供了一种抑制SiC MOSFET门极串扰与振荡的驱动电路，属于电力电子开关器件驱动电路技术领域。其技术方案为：一种抑制SiC MOSFET门极串扰与振荡的驱动电路，包括推挽电路和电容辅助电路，推挽电路和电容辅助电路连接在主电路上构成完整的工作电路；所述主电路由连接在同一桥臂上的上下两个SiC MOSFET开关管组成。本发明的有益效果为：本发明可以在不减慢两SiC MOSFET开关管的开通和关断速度的前提下，有效降低了由同一桥臂上下两SiC MOSFET开关管相互产生的串扰电压，并且有效减小了两SiC MOSFET开关管驱动输出电压在开关过程中的震荡。