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公开(公告)号：CN103325894B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310278517.2
申请日：2013-07-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种电注入GaN基谐振腔的制作方法，涉及GaN基谐振腔发光器件。在具有蓝宝石基底的GaN基外延片上生长p型电流扩展层ITO，对p型电流扩展层ITO表面依次进行刻蚀，抛光处理和ICP刻蚀，形成n型台面，再制作电流限制层、n型金属接触层、p型金属接触层和顶部介质膜DBR，再与临时基底键合在一起，然后采用激光剥离技术去除蓝宝石基底；对激光剥离后的GaN表面进行研磨抛光，在抛光后的GaN表面上生长底部的介质膜DBR，再与一个永久基底键合在一起，并去除临时基底，完成电注入高性能GaN基谐振腔的制作。采用两个高质量的介质膜DBR和损耗较小的p型电流扩展层ITO，实现高性能GaN基谐振腔。
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公开(公告)号：CN104634767A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510094227.1
申请日：2015-03-03
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N21/63
Abstract: 一种氮化镓基谐振腔气体传感器的制备方法，涉及气体传感器。在蓝宝石衬底GaN基外延片上制作图形化分布布拉格反射镜，然后在表面蒸发或溅射第一含金属层；在衬底表面蒸发或溅射第二含金属层；将第一含金属层和第二含金属层贴合，在真空或氮气氛围下键合，再通过激光剥离技术去除蓝宝石衬底；对去除蓝宝石衬底后的GaN基外延片进行器件分离，形成二维阵列结构，接着蒸发或溅射金属电极、分布布拉格反射镜，最后沉积聚合物涂层，完成器件制作。探测灵敏度高，易于制作成二维阵列结构，达到同时检测多种气体的目的，成本低，效率高。基于氮化镓基谐振腔结构，利用器件谐振发光波长的移动确定被检测气体含量，原理简单，制作容易且探测灵敏度高。
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公开(公告)号：CN104465907A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201510018419.4
申请日：2015-01-14
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L2933/0033
Abstract: 一种改善P型氮化镓薄膜电学特性的方法，涉及发光二极管。在p-GaN上制作ITO薄膜；用等离子体轰击ITO薄膜；利用缓冲氧化刻蚀剂除去表面因感应耦合等离子体轰击产生的氧化物。通过在传统结构的LED外延层P-GaN薄膜上方沉积一层氧化铟锡，再通过感应耦合等离子体等轰击ITO薄膜，使得轰击后的p-GaN薄膜空穴浓度得到提高，降低电阻率，从而改善了薄膜的电学特性。从根本上避免了传统的提高p-GaN薄膜空穴浓度、降低薄膜电阻率的方法，即高温退火对InGaN多量子阱的结构和光学特性产生的影响，而且工艺步骤简单。
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公开(公告)号：CN103151416A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310084674.X
申请日：2013-03-15
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0693 , H01L31/0687 , H01L31/052 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 垂直结构InGaN太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池。所述垂直结构InGaN太阳能电池设有：支撑衬底；键合介质层；金属反射镜层；p-GaN层；InGaN吸收层；n-GaN层；栅状电极。在外延片表面镀上金属电极，并当作反射镜使用；将镀上反射镜的外延片倒置键合于支撑基板上；采用激光剥离技术剥离蓝宝石衬底，将外延薄膜转移到支撑基板上；粗化n-GaN表面；制作器件台面；制作栅状n-GaN表面电极，得垂直结构InGaN太阳能电池。可以避免同侧电极带来的电流不均匀性和局部热效应，延长电池的使用寿命；在电池的背面制作反射镜，增强了对入射光的吸收，增大光生载流子数目，从而有效提高电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN104465907B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510018419.4
申请日：2015-01-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种改善P型氮化镓薄膜电学特性的方法，涉及发光二极管。在p‑GaN上制作ITO薄膜；用等离子体轰击ITO薄膜；利用缓冲氧化刻蚀剂除去表面因感应耦合等离子体轰击产生的氧化物。通过在传统结构的LED外延层P‑GaN薄膜上方沉积一层氧化铟锡，再通过感应耦合等离子体等轰击ITO薄膜，使得轰击后的p‑GaN薄膜空穴浓度得到提高，降低电阻率，从而改善了薄膜的电学特性。从根本上避免了传统的提高p‑GaN薄膜空穴浓度、降低薄膜电阻率的方法，即高温退火对InGaN多量子阱的结构和光学特性产生的影响，而且工艺步骤简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104634767B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510094227.1
申请日：2015-03-03
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N21/63
Abstract: 一种氮化镓基谐振腔气体传感器的制备方法，涉及气体传感器。在蓝宝石衬底GaN基外延片上制作图形化分布布拉格反射镜，然后在表面蒸发或溅射第一含金属层；在衬底表面蒸发或溅射第二含金属层；将第一含金属层和第二含金属层贴合，在真空或氮气氛围下键合，再通过激光剥离技术去除蓝宝石衬底；对去除蓝宝石衬底后的GaN基外延片进行器件分离，形成二维阵列结构，接着蒸发或溅射金属电极、分布布拉格反射镜，最后沉积聚合物涂层，完成器件制作。探测灵敏度高，易于制作成二维阵列结构，达到同时检测多种气体的目的，成本低，效率高。基于氮化镓基谐振腔结构，利用器件谐振发光波长的移动确定
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公开(公告)号：CN103151416B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310084674.X
申请日：2013-03-15
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0693 , H01L31/0687 , H01L31/056 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 垂直结构InGaN太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池。所述垂直结构InGaN太阳能电池设有：支撑衬底；键合介质层；金属反射镜层；p‑GaN层；InGaN吸收层；n‑GaN层；栅状电极。在外延片表面镀上金属电极，并当作反射镜使用；将镀上反射镜的外延片倒置键合于支撑基板上；采用激光剥离技术剥离蓝宝石衬底，将外延薄膜转移到支撑基板上；粗化n‑GaN表面；制作器件台面；制作栅状n‑GaN表面电极，得垂直结构InGaN太阳能电池。可以避免同侧电极带来的电流不均匀性和局部热效应，延长电池的使用寿命；在电池的背面制作反射镜，增强了对入射光的吸收，增大光生载流子数目，从而有效提高电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN103227265B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310127938.5
申请日：2013-04-12
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种氮化镓基垂直腔面发射激光器的制作方法，涉及氮化镓基发光器件。制作具有蓝宝石基底的GaN基外延片；在外延片上制作导电层、电流限制层、金属接触层和分布布拉格反射镜中的至少一种，形成非平面结构；在非平面结构上制作金属层；在制作金属层后的非平面结构的表面进行抛光处理，形成第一含金属层；在导热性好的基底上制备第二含金属层；在真空或者氮气氛围，贴合所述第一含金属层与第二含金属层，将氮化镓基非平面结构发光芯片与第二含金属层的基底键合在一起。可以将具有非平面结构的氮化镓基薄膜转移到具有良好导热和导电性好的衬底上，如硅和铜等衬底，从而改善发光器件的散热情况，提高器件可工作的电流密度，增大光功率。
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公开(公告)号：CN103618034A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310632252.1
申请日：2013-11-29
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/36
Abstract: 一种自支撑垂直结构GaN基LED芯片及其制备方法，涉及LED芯片。所述自支撑垂直结构GaN基LED芯片自下而上包括支撑基底、P型电极层、P型GaN基材料层、多量子阱层、N型GaN基材料层和N型电极。在外延片表面镀P型金属电极层；在金属电极层上形成图形化厚金属基底；将样品键合到蓝膜上；采用紫外波段激光光源透过蓝宝石衬底辐照样品，剥离蓝宝石衬底；粗化剥离后暴露出的n-GaN表面；制作n-GaN表面电极，即得。可避免同侧电极带来的电流不均匀性和局部热效应，延长寿命，解决LED芯片散热问题。可避免等离子体刻蚀对发光区的损伤，工艺简化，成本降低。可避免金属基板切割和解决因切割基板而造成的器件短路问题。
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公开(公告)号：CN105047783B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201510290286.6
申请日：2015-05-31
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件及其制备方法，涉及GaN基发光器件。所述氮化物半导体发光器件，从下往上依次设有衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN多量子阱有源层、p型层，p型层上设有闭合环形回路光刻胶图形，在闭合环形回路光刻胶图形上溅射双金属电极层。通过在传统结构的LED外延层p型GaN薄膜上方采用光刻技术进行涂胶、曝光、显影，在其表面形成具有闭合回路形状的光刻图形；然后采用磁控溅射法在图形上沉积金属层，紧接着将样品表面光刻胶剥离干净，形成环形电极；最后将长完电极的样品放入扩散炉中进行退火合金化，从而得到一种氮化物半导体发光器件。工艺简单、成本低，实现器件中高分辨率发光图像控制。
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