公开(公告)号：CN102420014A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110285501.5

申请日：2011-09-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 名仓滿 ,  石原数也 ,  山崎信夫 ,  川端优

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/14 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/79

Abstract: 所提供的是一种半导体存储设备，其能在随机存取编程动作中以期望的可控性稳定地编程到期望的电阻状态，并且配备有可变电阻元件。不管作为写动作(擦除动作和编程动作)的目标的存储单元的可变电阻元件的电阻状态如何，施加用于将所述可变电阻元件的所述电阻状态恢复到具有最小电阻值的被擦除状态的擦除电压脉冲。此后，用于将所述可变电阻元件的所述电阻状态恢复到期望的被编程状态的编程电压脉冲被施加到所述编程动作目标存储单元的所述可变电阻元件。通过在已经施加了所述擦除电压脉冲之后一直施加所述编程电压脉冲，能够避免被顺序地施加的多个编程电压脉冲。

公开(公告)号：CN102420014B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201110285501.5

申请日：2011-09-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 名仓滿 ,  石原数也 ,  山崎信夫 ,  川端优

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/14 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/79

Abstract: 所提供的是一种半导体存储设备，其能在随机存取编程动作中以期望的可控性稳定地编程到期望的电阻状态，并且配备有可变电阻元件。不管作为写动作(擦除动作和编程动作)的目标的存储单元的可变电阻元件的电阻状态如何，施加用于将所述可变电阻元件的所述电阻状态恢复到具有最小电阻值的被擦除状态的擦除电压脉冲。此后，用于将所述可变电阻元件的所述电阻状态恢复到期望的被编程状态的编程电压脉冲被施加到所述编程动作目标存储单元的所述可变电阻元件。通过在已经施加了所述擦除电压脉冲之后一直施加所述编程电压脉冲，能够避免被顺序地施加的多个编程电压脉冲。