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公开(公告)号：CN109804472B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201780060588.1
申请日：2017-06-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/107
Abstract: 雪崩光电二极管包括：第一导电型半导体层(2)，形成于第一导电型的半导体基板(1)内；第一第二导电型半导体层(3)，在俯视基板时以隔开间隔包围第一导电型半导体层(2)的方式形成；第二第二导电型半导体层(5)，以与第一导电型半导体层(2)的底部相接的方式形成在比第一导电型半导体层(2)深的位置；以及第三第二导电型半导体层(6)，以与第二第二导电型半导体层(5)的底部相接的方式形成在比第二第二导电型半导体层(5)深的位置。由第一导电型半导体层(2)与第二第二导电型半导体层(5)形成雪崩结。以使半导体基板(1)与第一导电型半导体层(2)电气分离的方式将第一、第三第二导电型半导体层(3、6)连接。
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公开(公告)号：CN107078182B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201580057073.7
申请日：2015-07-28
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供可实现紫外区域的灵敏度不均的降低以及可见光区域和红外光区域的噪声降低的受光器、便携式电子设备和受光器的制造方法。受光器(1)的第一受光元件(PD1)和第二受光元件(PD2)分别通过在第一导电型的P型衬底(P_sub)上形成第二导电型的N型势阱层(N_well)，在N型势阱层(N_well)内形成第一导电型的P型势阱层(P_well)，在P型势阱层(P_well)内形成第二导电型的N型扩散层(N)而形成。P型衬底P_sub、N型势阱层(N_well)和P型势阱层(P_well)在电气上为相同电位或者被短路。
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公开(公告)号：CN104586355B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201410601756.1
申请日：2014-10-31
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种测定装置，其能够获得能将皮肤中含有的黑色素和血色素适当地分离的拍摄结果。该测定装置从照射部的光源对被摄体照射在蓝色和绿色的波段中具有由黑色素和血色素引起的吸收的影响度彼此不同的峰的光谱特性的光，测定装置利用摄像机对与透射RGB的滤光片的来自光源的光对应的被摄体的反射光进行摄像，利用输出部输出由摄像机摄像得到的RGB的摄像信号。
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公开(公告)号：CN105518875B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201480046696.X
申请日：2014-07-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/10 , G02B5/20 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/14
CPC classification number: H01L31/02162 , H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14645 , H01L31/02164
Abstract: 本发明提供能够防止本来不透射的波长的光的异常透射、能够使光谱波形的半值宽度减小的光电转换装置及其制造方法。在基板(100)上形成第一光电转换元件(101)，在该第一光电转换元件(101)之上隔着绝缘膜(1、2、3)形成具有周期性或非周期性地配置的多个开口(41)的第一金属膜(31)。设置覆盖上述第一金属膜(31)的多个开口(41)的一部分的第二金属膜(32)。
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公开(公告)号：CN105518870B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201480048387.6
申请日：2014-09-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0232 , H01L27/146 , G01J3/51 , G01J3/02
CPC classification number: H01L27/14621 , G01J3/0259 , G01J3/513 , G02B5/008 , G02B5/20 , G02B5/204 , H01L31/02327
Abstract: 光电转换装置包括：由导电材料膜构成的第一光学滤光片(6a)，其包括周期性地具有多个结构(11)的第一图案，并且隔着绝缘膜(5)配置在第一光电转换元件(A)之上；和由导电材料膜构成的第一光学滤光片(6b)，其包括周期性地具有多个结构(12)的第二图案，并且隔着绝缘膜(5)配置在第二光电转换元件(B)之上。相互相邻的上述第一图案与第二图案的间隔(a)比第一图案的结构(11)的周期(P1)和第二图案的结构(12)的周期(P2)长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108369968B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201680070709.6
申请日：2016-06-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/107
Abstract: 雪崩光电二极管包括:形成于第一导电型的基板(1)的第一导电型的第一半导体层(3)；形成于第一半导体层(3)下并与第一导电型为相反的第二导电型的第二半导体层(2)；形成于基板(1)的第一半导体层(3)的浅的部分并与第一半导体层(3)的杂质浓度相比为高浓度的第一导电型的第三半导体层(7)；形成于第三半导体层(7)的正下方的第一半导体层(3)内的区域的第一导电型的第四半导体层(6)；与第一半导体层(3)电性地连接的第一接点(11)；与第二半导体层(2)电性地连接的第二接点(12)。第四半导体层(6)的杂质浓度高于第一半导体层(3)的杂质浓度,且低于第三半导体层(7)的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN108369968A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680070709.6
申请日：2016-06-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/107
Abstract: 雪崩光电二极管包括:形成于第一导电型的基板(1)的第一导电型的第一半导体层(3)；形成于第一半导体层(3)下并与第一导电型为相反的第二导电型的第二半导体层(2)；形成于基板(1)的第一半导体层(3)的浅的部分并与第一半导体层(3)的杂质浓度相比为高浓度的第一导电型的第三半导体层(7)；形成于第三半导体层(7)的正下方的第一半导体层(3)内的区域的第一导电型的第四半导体层(6)；与第一半导体层(3)电性地连接的第一接点(11)；与第二半导体层(2)电性地连接的第二接点(12)。第四半导体层(6)的杂质浓度高于第一半导体层(3)的杂质浓度,且低于第三半导体层(7)的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN104568865B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201410539344.X
申请日：2014-10-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明提供荧光检测装置和清扫机。本发明提供一种能够简便地搬运到各种场所和环境，并能够容易地对检测对象物质发出的特定波长的荧光进行检测的技术。荧光检测装置在能够携带的箱体中具备：照射部，该照射部向被摄体照射规定的波段的激发光；滤光片部，该滤光片部具有使被摄体相对于激发光发出的特定波长的荧光透过的荧光滤光片；受光部，该受光部接收透过荧光滤光片的荧光；和提示部，该提示部向用户提示基于受光部的受光结果的信息。
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公开(公告)号：CN107078182A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580057073.7
申请日：2015-07-28
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/14643 , G01J1/42 , H01L27/144 , H01L27/1446 , H01L27/14625 , H01L31/02165 , H01L31/101 , H01L31/1013
Abstract: 本发明提供可实现紫外区域的灵敏度不均的降低以及可见光区域和红外光区域的噪声降低的受光器、便携式电子设备和受光器的制造方法。受光器(1)的第一受光元件(PD1)和第二受光元件(PD2)分别通过在第一导电型的P型衬底(P_sub)上形成第二导电型的N型势阱层(N_well)，在N型势阱层(N_well)内形成第一导电型的P型势阱层(P_well)，在P型势阱层(P_well)内形成第二导电型的N型扩散层(N)而形成。P型衬底P_sub、N型势阱层(N_well)和P型势阱层(P_well)在电气上为相同电位或者被短路。
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