公开(公告)号：CN105518870A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480048387.6

申请日：2014-09-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 泷本贵博 ,  夏秋和弘 ,  内田雅代 ,  粟屋信义 ,  石原数也 ,  中野贵司 ,  名仓满

IPC: H01L31/0232 ,  H01L27/146 ,  G01J3/51 ,  G01J3/02

CPC classification number: H01L27/14621 ,  G01J3/0259 ,  G01J3/513 ,  G02B5/008 ,  G02B5/20 ,  G02B5/204 ,  H01L31/02327

Abstract: 光电转换装置包括：由导电材料膜构成的第一光学滤光片(6a)，其包括周期性地具有多个结构(11)的第一图案，并且隔着绝缘膜(5)配置在第一光电转换元件(A)之上；和由导电材料膜构成的第一光学滤光片(6b)，其包括周期性地具有多个结构(12)的第二图案，并且隔着绝缘膜(5)配置在第二光电转换元件(B)之上。相互相邻的上述第一图案与第二图案的间隔(a)比第一图案的结构(11)的周期(P1)和第二图案的结构(12)的周期(P2)长。

公开(公告)号：CN105144384A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480023309.0

申请日：2014-02-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 内田雅代 ,  夏秋和弘 ,  泷本贵博 ,  粟屋信义 ,  石原数也 ,  中野贵司

IPC: H01L27/14 ,  G02B5/20 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/02162

Abstract: 本发明提供难以在等离子体滤光部之下的绝缘层产生凹陷，能够准确地进行等离子体滤光部的微细加工的电路内置光电转换装置及其制造方法。在比配线层(11、12、13)靠上方的绝缘层(7)上设置同一金属层(31)。该金属层(31)具有等离子体滤光部(32)和遮蔽光的屏蔽金属部(33)，该等离子体滤光部(32)具有用于将进行波长选择后的光向第一光电转换元件(101)引导的周期性的开口(32a)。

公开(公告)号：CN101432878B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200780015413.5

申请日：2007-02-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 细井康成 ,  石原数也 ,  瑟谷隆广 ,  大西哲也 ,  中野贵司

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L49/02

CPC classification number: H01L45/1253 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1691

Abstract: 本发明提供一种可变电阻体的在电气上作出贡献的区域的面积是比由上部电极或下部电极等规定的面积更微细的面积的结构的可变电阻元件及其制造方法。在配置于基底衬底(5)上的下部电极(1)的上部形成突起电极物(2)。突起电极物(2)在与下部电极(1)的接触面不同的面与可变电阻体(3)接触，该可变电阻体(3)在与突起电极物(2)的接触面不同的面上与上部电极(4)接触。由此，突起电极物(2)(可变电阻体(3))和上部电极(4)的交叉点部分成为可变电阻体的在电气上作出贡献的区域，因而与以往的可变电阻元件中的区域相比，其面积被缩小。

公开(公告)号：CN102446548A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110292340.2

申请日：2011-09-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川端优 ,  山崎信夫 ,  石原数也 ,  大西润哉 ,  粟屋信义 ,  玉井幸夫

IPC: G11C13/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C2013/0071 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2213/79

Abstract: 非易失性半导体存储器设备。非易失性半导体存储器设备包括用于存储用户数据的存储器单元阵列，其通过布置存储器单元提供，每个存储器单元具有可变电阻元件，该可变电阻元件具有第一电极2、第二电极3以及夹置在第一电极和第二电极之间由金属氧化物制成的可变电阻器4。第一和第二电极分别由与该可变电阻器4形成欧姆结的导电材料和与该可变电阻器4形成非欧姆结的导电材料形成。可变电阻器通过在电极之间施加电压在两个或更多不同电阻状态之间变化。变化之后的电阻状态以非易失性方式维持。在存储器单元阵列用于存储用户数据之前的未使用状态，存储器单元阵列中的所有存储器单元的可变电阻元件被设置为两个或更多不同电阻状态的最高电阻状态。

公开(公告)号：CN106537906B

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201580038421.6

申请日：2015-07-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 粟屋信义 ,  石原数也 ,  中野贵司 ,  名仓满 ,  夏秋和弘 ,  泷本贵博 ,  内田雅代

IPC: H04N9/07 ,  G03B11/00 ,  G03B15/00 ,  H04N5/321

Abstract: 本发明提供与现有技术相比通用性高且能够使观察对象物质的状态可视化的摄像装置。摄像装置(1)具有滤光片部(111)、受光部(112)和图像处理部(13)。滤光片部(111)具有光谱透射特性不同的多个滤光片，使与观察对象物质的吸光光谱或荧光光谱对应的特定的波段的光透过。受光部(112)接受由滤光片部(111)透射的光，将接受的光由光电转换元件(112a)转换为电信号而输出。图像处理部(13)将从受光部(112)输出的电信号转换为可见光波段的信号输出向显示装置(2)。

公开(公告)号：CN105518875A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480046696.X

申请日：2014-07-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 夏秋和弘 ,  内田雅代 ,  泷本贵博 ,  粟屋信义 ,  石原数也 ,  中野贵司 ,  名仓满

IPC: H01L31/10 ,  G02B5/20 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/02162 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14645 ,  H01L31/02164

Abstract: 本发明提供能够防止本来不透射的波长的光的异常透射、能够使光谱波形的半值宽度减小的光电转换装置及其制造方法。在基板(100)上形成第一光电转换元件(101)，在该第一光电转换元件(101)之上隔着绝缘膜(1、2、3)形成具有周期性或非周期性地配置的多个开口(41)的第一金属膜(31)。设置覆盖上述第一金属膜(31)的多个开口(41)的一部分的第二金属膜(32)。

公开(公告)号：CN103035289B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210375954.1

申请日：2012-10-08

Applicant: 夏普株式会社 ,  尔必达存储器股份有限公司

Inventor： 名仓满 ,  粟屋信义 ,  石原数也 ,  世古明义

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C13/0028 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/79

Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，能够使向可变电阻元件的电压施加极性不同的2种写入工作后的各验证工作分别低功耗且高速地执行。写入电路（22）构成为能分别执行设定工作和重置工作，设定工作通过从存储器单元的一端侧经由可变电阻元件向另一端侧流过电流，从而使可变电阻元件的电阻低电阻化，重置工作通过从存储器单元的另一端侧经由可变电阻元件向一端侧流过电流，从而使可变电阻元件的电阻高电阻化，读出电路（21）构成为能够分别执行第1读出工作和第2读出工作，第1读出工作通过从存储器单元的一端侧经由可变电阻元件向另一端侧流过电流，从而读出可变电阻元件的电阻状态，第2读出工作通过从存储器单元的另一端侧经由可变电阻元件向一端侧流过电流，从而读出可变电阻元件的电阻状态。

公开(公告)号：CN104568865A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410539344.X

申请日：2014-10-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 名仓满 ,  粟屋信义 ,  石原数也 ,  中野贵司 ,  泷本贵博 ,  夏秋和弘 ,  内田雅代

IPC: G01N21/64

Abstract: 本发明提供荧光检测装置和清扫机。本发明提供一种能够简便地搬运到各种场所和环境，并能够容易地对检测对象物质发出的特定波长的荧光进行检测的技术。荧光检测装置在能够携带的箱体中具备：照射部，该照射部向被摄体照射规定的波段的激发光；滤光片部，该滤光片部具有使被摄体相对于激发光发出的特定波长的荧光透过的荧光滤光片；受光部，该受光部接收透过荧光滤光片的荧光；和提示部，该提示部向用户提示基于受光部的受光结果的信息。

公开(公告)号：CN102347073B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201110155556.4

申请日：2011-06-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 石原数也

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/24

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2013/0088 ,  G11C2213/79

Abstract: 本发明提供了一种非易失性可变电阻元件的电阻控制方法，对多个存储器单元能同时进行写入工作、擦除工作、以及成形处理。在非易失性可变电阻元件的电阻控制方法中，对于具备将具备非易失性可变电阻元件和晶体管的单位存储器单元排列成矩阵状的存储器单元阵列，通过第1选择线（字线）、第2选择线（位线）、以及第3选择线（源极线）来选择存储器工作对象的存储器单元的非易失性半导体存储装置，具有：选择一根或多根第1选择线的步骤；选择多根第2选择线的步骤；以对全部的被选择的存储器单元施加存储器工作需要的电压的方式，施加对电流经由该第2选择线在第3选择线中流过而导致的第3选择线的电位变动进行补偿的电压来成为存储器工作需要的电压的步骤。

公开(公告)号：CN102339636A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110198320.9

申请日：2011-07-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山崎信夫 ,  太田佳似 ,  石原数也 ,  名仓满 ,  川端优 ,  粟屋信义

IPC: G11C5/02 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C7/1048 ,  G11C7/12 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0071 ,  G11C2213/79 ,  G11C2213/82

Abstract: 本发明涉及半导体存储装置及其驱动方法。在具有存储元件的半导体存储装置的改写中，从公用线侧也施加电压脉冲，故无法高速动作。半导体存储装置具有：存储单元阵列（100），矩阵状排列多个将二端子型的存储元件R和选择用的晶体管Q串连而成的存储单元；第一电压施加电路（101），对位线施加改写电压脉冲；第二电压施加电路（102），对位线及公用线施加预充电电压，其中在存储单元改写时，第二电压施加电路（102）预先将存储单元两端预充电为同一电压后，第一电压施加电路（101）将改写电压脉冲经位线施加在改写对象的存储单元的一端，并且在施加该改写电压脉冲期间，维持第二电压施加电路（102）经公用线对该存储单元另一端施加该预充电电压。