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公开(公告)号：CN101047159A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610107505.3
申请日：2006-07-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/12 , H01L21/60 , H05K1/02
CPC classification number: H05K3/281 , H01L21/563 , H01L23/145 , H01L23/4922 , H01L23/49822 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2924/01078 , H01L2924/15311 , H05K3/4644 , H05K2201/029 , H01L2924/00
Abstract: 一种多层互连基板，包括：树脂层叠结构，其中层叠设置有多个内建层，所述多个内建层中的每一层均包括绝缘层及互连图案；及设置在所述树脂层叠结构的顶面及底面的第一和第二阻焊剂层，其中，所述第一和第二阻焊剂层的每一层均包括玻璃纤维织物。
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公开(公告)号：CN104064514A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410025125.X
申请日：2014-01-20
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/768 , H05K1/03
CPC classification number: H05K1/0271 , H01L21/4853 , H01L21/76877 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/49894 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/08235 , H01L2224/131 , H01L2224/16235 , H01L2224/81191 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2924/1306 , H01L2924/351 , H05K1/0298 , H05K1/0326 , H05K1/0346 , H05K1/115 , H05K2201/0154 , H05K2201/09136 , H05K2201/10734 , H01L2924/00 , H01L2924/014
Abstract: 一种半导体器件制造方法和半导体安装基板。该半导体器件制造方法包括：第一处理，用于将第二基板放置在第一基板上，在第一基板上形成有轨迹线和第一电极，第一电极中的每个连接到轨迹线中的一个，在第二基板中布置有与第一电极相对应的通孔以及中继构件，中继构件中的每个由焊料形成、穿透通过通孔中的一个、以及从通孔中的一个的两端伸出，以使得在平面图中第一电极与通孔对准；第二处理，用于在第一处理之后融化中继构件，以使得中继构件连接到第一电极；以及第三处理，用于在第二处理之后将半导体基板放置在第二基板的与第一基板相反的一侧上，在半导体基板上形成有与第一电极相对应的第二电极，以将第一电极和第二电极经由中继构件彼此连接。
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公开(公告)号：CN104064514B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201410025125.X
申请日：2014-01-20
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/768 , H05K1/03
CPC classification number: H05K1/0271 , H01L21/4853 , H01L21/76877 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/49894 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/08235 , H01L2224/131 , H01L2224/16235 , H01L2224/81191 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2924/1306 , H01L2924/351 , H05K1/0298 , H05K1/0326 , H05K1/0346 , H05K1/115 , H05K2201/0154 , H05K2201/09136 , H05K2201/10734 , H01L2924/00 , H01L2924/014
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件制造方法。该半导体器件制造方法包括：第一处理，用于将第二基板放置在第一基板上，在第一基板上形成有轨迹线和第一电极，第一电极中的每个连接到轨迹线中的一个，在第二基板中布置有与第一电极相对应的通孔以及中继构件，中继构件中的每个由焊料形成、穿透通过通孔中的一个、以及从通孔中的一个的两端伸出，以使得在平面图中第一电极与通孔对准；第二处理，用于在第一处理之后融化中继构件，以使得中继构件连接到第一电极；以及第三处理，用于在第二处理之后将半导体基板放置在第二基板的与第一基板相反的一侧上，在半导体基板上形成有与第一电极相对应的第二电极，以将第一电极和第二电极经由中继构件彼此连接。
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公开(公告)号：CN101047159B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200610107505.3
申请日：2006-07-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/12 , H01L21/60 , H05K1/02
CPC classification number: H05K3/281 , H01L21/563 , H01L23/145 , H01L23/4922 , H01L23/49822 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2924/01078 , H01L2924/15311 , H05K3/4644 , H05K2201/029 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种多层互连基板、半导体装置及阻焊剂，该多层互连基板包括：树脂层叠结构，其中层叠设置有多个内建层，所述多个内建层中的每一层均包括绝缘层及互连图案；及包括阻焊剂树脂合成物且设置在所述树脂层叠结构的顶面及底面的第一和第二阻焊剂层，其中，所述第一和第二阻焊剂层的每一层均包括玻璃纤维织物；其中，所述玻璃纤维织物包含组织高度稀松的织物。
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