公开(公告)号：CN106573786B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201580043836.2

申请日：2015-08-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 石原吉满 ,  滨田秀昭 ,  岛田茂 ,  佐藤一彦 ,  五十岚正安 ,  内田博

IPC: C01B33/04 ,  B01J29/40 ,  B01J29/44 ,  B01J29/46 ,  B01J29/70 ,  B01J29/74

Abstract: 本发明的目的是提供一种低聚硅烷的制造方法，特别是提供能改善收率和选择率、可效率良好地在更低温下制造低聚硅烷的方法。在氢硅烷的脱氢缩合反应中，通过在具有短径0.43nm以上、长径0.69nm以下的细孔的沸石存在下进行反应，低聚硅烷的选择率、特别是乙硅烷的选择率提高，能够在更低温下效率良好地制造低聚硅烷。

公开(公告)号：CN106573786A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580043836.2

申请日：2015-08-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 石原吉满 ,  滨田秀昭 ,  岛田茂 ,  佐藤一彦 ,  五十岚正安 ,  内田博

IPC: C01B33/04 ,  B01J29/40 ,  B01J29/44 ,  B01J29/46 ,  B01J29/70 ,  B01J29/74

CPC classification number: C01B33/04 ,  B01J29/126 ,  B01J29/40 ,  B01J29/44 ,  B01J29/46 ,  B01J29/70 ,  B01J29/7007 ,  B01J29/74 ,  B01J29/7407 ,  B01J29/7415 ,  B01J29/7484 ,  B01J37/04 ,  B01J37/088 ,  B01J2229/20

Abstract: 本发明的目的是提供一种低聚硅烷的制造方法，特别是提供能改善收率和选择率、可效率良好地在更低温下制造低聚硅烷的方法。在氢硅烷的脱氢缩合反应中，通过在具有短径0.43nm以上、长径0.69nm以下的细孔的沸石存在下进行反应，低聚硅烷的选择率、特别是乙硅烷的选择率提高，能够在更低温下效率良好地制造低聚硅烷。