公开(公告)号：CN103098189B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201180043623.1

申请日：2011-04-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木下雄介 ,  田村聪之 ,  按田义治 ,  上田哲三

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体装置，具有：在第一氮化物半导体层(13)上形成、且带隙比第一氮化物半导体层(13)大的第二氮化物半导体层(14)；贯穿第二氮化物半导体层(14)且将第一氮化物半导体层(13)的一部分除去的凹部；以及埋入凹部的电极(17)。在第一氮化物半导体层(13)的与第二氮化物半导体层(14)的界面的正下方具有二维电子气体层(13a)。电极(17)和第二氮化物半导体层(14)在第一接触面(16a)相接。电极(17)和二维电子气体层(13a)的部分在连接于第一接触面(16a)之下的第二接触面(16b)相接。第一接触面(16a)是凹部的宽度从下到上变宽的形状。在连接处，第二接触面(16b)相对于第一氮化物半导体层(13)的上表面的倾斜比第一接触面(16a)更陡峭。

公开(公告)号：CN102484124B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201080037631.0

申请日：2010-08-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 梅田英和 ,  按田义治 ,  上田哲三 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置，其具备：半导体基板(101)；和形成于半导体基板上的氮化物半导体层(102)。半导体基板具有通常区域(101A)以及包围通常区域的界面电流阻止区域(101B)。氮化物半导体层具有元件区域(102A)以及包围元件区域的元件分离区域(102B)。元件区域形成于通常区域上，界面电流阻止区域包括杂质并且对于在氮化物半导体层和半导体基板的界面处产生的载流子形成势垒。

公开(公告)号：CN110914961A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201880045120.X

申请日：2018-06-07

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 施泓安 ,  中泽敏志 ,  鹤见直大 ,  按田义治 ,  渡部平司 ,  志村考功 ,  细井卓治 ,  野崎干人 ,  山田高宽

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

Abstract: 半导体装置(1)具备：MIS构造，具有依次层叠的氮化物半导体层(30，40)、栅极绝缘膜(50)及栅极电极(60g)；源极电极(60s)及漏极电极(60d)，在平面视中配置成将栅极电极(60g)夹在中间，分别与氮化物半导体层(30，40)接触，栅极绝缘膜(50)包括由氮氧化膜构成的阈值控制层。

公开(公告)号：CN103597588A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201280025683.5

申请日：2012-06-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 海原一裕 ,  按田义治

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/5226 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种氮化物半导体装置，具有：第一电极布线层，其在氮化物半导体层上相互平行地形成，并且在长度方向上被各自分割；第一栅极电极，其沿着第一电极布线层形成；第一栅极电极汇总布线，其形成在第一电极布线层被分割的区域，并与第一栅极电极连接；第一电极汇总布线(13a)，其形成在第一栅极电极汇总布线上，并与第一电极布线层连接；以及第一电极上层布线(20a)，其在形成于第一电极汇总布线上的布线上绝缘膜(16)上形成，并介由布线上绝缘膜的开口部而与第一电极汇总布线连接。

公开(公告)号：CN103493205A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280018873.4

申请日：2012-04-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柴田大辅 ,  按田义治

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/08 ,  H01L29/152 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/475

Abstract: 一种肖特基二极管，具有：半导体层层叠体，其包括在基板(1)上形成的GaN层(4b)、以及在该GaN层上形成并且与GaN层相比带隙更大的AlGaN层(4a)；阳极电极(6)以及阴极电极(7)，它们在该半导体层层叠体上相互隔开间隔地形成；以及阻挡层(5)，在阳极电极(6)与阴极电极(7)之间的区域形成为与AlGaN层相接。阳极电极的一部分以不与AlGaN层的表面相接的方式形成在阻挡层上。阳极电极与阻挡层的势垒高度大于阳极电极与AlaN层的势垒高度。

公开(公告)号：CN103098189A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180043623.1

申请日：2011-04-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木下雄介 ,  田村聪之 ,  按田义治 ,  上田哲三

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体装置，具有：在第一氮化物半导体层(13)上形成、且带隙比第一氮化物半导体层(13)大的第二氮化物半导体层(14)；贯穿第二氮化物半导体层(14)且将第一氮化物半导体层(13)的一部分除去的凹部；以及埋入凹部的电极(17)。在第一氮化物半导体层(13)的与第二氮化物半导体层(14)的界面的正下方具有二维电子气体层(13a)。电极(17)和第二氮化物半导体层(14)在第一接触面(16a)相接。电极(17)和二维电子气体层(13a)的部分在连接于第一接触面(16a)之下的第二接触面(16b)相接。第一接触面(16a)是凹部的宽度从下到上变宽的形状。在连接处，第二接触面(16b)相对于第一氮化物半导体层(13)的上表面的倾斜比第一接触面(16a)更陡峭。

公开(公告)号：CN103053015A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201180038572.3

申请日：2011-06-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 鹤见直大 ,  中泽敏志 ,  梶谷亮 ,  按田义治 ,  上田哲三

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：被设于基板(101)上且由III-V族氮化物半导体构成的缓冲层(102)；被设于缓冲层(102)上且由III-V族氮化物半导体构成的第1半导体层(103)；被设于第1半导体层(103)上且由III-V族氮化物半导体构成的第2半导体层(104)；被设于基板(101)的背面上且与接地连接的背面电极(111)；在第2半导体层104上被设置成相互分离开的源电极(132)及漏电极(134)；被设于第2半导体层(104)上的栅电极(136)；以及贯通第2半导体层(104)、第1半导体层(103)、及缓冲层(102)并至少抵达基板(101)且使源电极(132)与背面电极(111)电连接的插塞(109)。

公开(公告)号：CN100364109C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200410089840.6

申请日：2004-10-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 按田义治

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/335 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/7784

Abstract: 本发明实现适合于功率放大器用途等的再现性佳的带双凹槽结构的场效应晶体管。通过采用蚀刻选择比高的AlGaAs层、InGaP层，可由AlGaAs层的膜厚唯一地确定第2段凹槽的深度，再现性良好地形成双凹槽构造，同时，通过以栅电极两旁表面作为AlGaAs层，可实现适于功率放大器用途等的高耐压装置。

公开(公告)号：CN1877801A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610091632.9

申请日：2006-06-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 工藤昭吉 ,  按田义治 ,  田村彰良

IPC: H01L21/337 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/207 ,  H01L29/66924 ,  H01L29/808

Abstract: 一种能抑制栅区内的P层杂质的不均匀性并得到良好的pn结特性结型场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在预定为在GaAs衬底(1)上形成的n+－AlGaAs层(5)的、设置栅电极的区域的表面，利用溅射法来薄膜状地沉积ZnO(7)的工序；进行利用急热和急冷热处理的杂质扩散来形成p型栅区(8)的工序；利用由酒石酸等的湿蚀刻除去上述ZnO(7)，使上述p型栅区(8)露出的工序；以及在上述露出的p型栅区(8)设置栅电极(9)的工序。

公开(公告)号：CN1855536A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610075149.1

申请日：2006-04-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 按田义治 ,  田村彰良 ,  西辻充

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7784 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/28587 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明的场效应晶体管，具备：沟道层，形成在半绝缘性衬底上；肖特基层，形成在沟道层上；栅电极，形成在肖特基层上；欧姆接触层，形成在肖特基层上，在中间夹着栅电极，由InGaAs形成；以及源电极和漏电极，形成在欧姆接触层上；源电极、漏电极和栅电极，形成对应的层由相同材料构成的层积结构，最下层为WSi层，在最下层的上层具有包含Al的层。由此，提供具有与过去相同程度的电极阻抗，可以降低场效应晶体管的制造成本的场效应晶体管及其制造方法。