公开(公告)号：CN104009075B

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201410053952.X

申请日：2014-02-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 河合徹 ,  井上隆 ,  中山达峰 ,  冈本康宏 ,  宫本広信

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/205 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/76895 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7789

Abstract: 本发明涉及半导体装置。提高半导体装置的特性。半导体装置构成为具有在基板(S)的上方形成的缓冲层(BU)、沟道层(CH)及势垒层(BA)、贯通势垒层(BA)而达到至沟道层(CH)的中途的槽(T)、以及在该槽(T)内隔着栅极绝缘膜(GI)地配置的栅电极(GE)。另外,沟道层(CH)含有n型杂质,沟道层(CH)的缓冲层(BU)侧的区域相比于势垒层(BA)侧的区域,n型杂质的浓度更大,缓冲层(BU)由带隙比沟道层(CH)宽的氮化物半导体构成。例如,沟道层(CH)由GaN构成,缓冲层(BU)由AlGaN构成。另外,沟道层(CH)具有含有中浓度的n型杂质的沟道下层(CHb)、和在其上形成且含有低浓度的n型杂质的主沟道层(CHa)。

公开(公告)号：CN104009075A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410053952.X

申请日：2014-02-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 河合徹 ,  井上隆 ,  中山达峰 ,  冈本康宏 ,  宫本広信

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/205 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/76895 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7789

Abstract: 本发明涉及半导体装置。提高半导体装置的特性。半导体装置构成为具有在基板（S）的上方形成的缓冲层（BU）、沟道层（CH）及势垒层（BA）、贯通势垒层（BA）而达到至沟道层（CH）的中途的槽（T）、以及在该槽（T）内隔着栅极绝缘膜（GI）地配置的栅电极（GE）。另外，沟道层（CH）含有n型杂质，沟道层（CH）的缓冲层（BU）侧的区域相比于势垒层（BA）侧的区域，n型杂质的浓度更大，缓冲层（BU）由带隙比沟道层（CH）宽的氮化物半导体构成。例如，沟道层（CH）由GaN构成，缓冲层（BU）由AlGaN构成。另外，沟道层（CH）具有含有中浓度的n型杂质的沟道下层（CHb）、和在其上形成且含有低浓度的n型杂质的主沟道层（CHa）。