公开(公告)号：CN104241207B

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201410260734.3

申请日：2014-06-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 青木崇 ,  是成贵弘

IPC: H01L23/13 ,  H01L29/06 ,  H01L21/28

Abstract: 一种半导体及其制造方法，其中所述半导体器件，包括形成在硅衬底的表面之上并包括纵向MOSFET的有源单元区，形成在所述硅衬底的表面之上并从硅衬底的背面引出纵向MOSFET的漏极的漏极电极，在漏极电极之上形成的外部漏极端子，以及形成在所述有源单元区之上，以便至少沿着所述有源单元区之上的外部漏极端子的外周的三个侧面与漏极电极相对并连接到纵向MOSFET的源极的源极电极。

公开(公告)号：CN104241207A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410260734.3

申请日：2014-06-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 青木崇 ,  是成贵弘

IPC: H01L23/13 ,  H01L29/06 ,  H01L21/28

Abstract: 一种半导体及其制造方法，其中所述半导体器件，包括形成在硅衬底的表面之上并包括纵向MOSFET的有源单元区，形成在所述硅衬底的表面之上并从硅衬底的背面引出纵向MOSFET的漏极的漏极电极，在漏极电极之上形成的外部漏极端子，以及形成在所述有源单元区之上，以便至少沿着所述有源单元区之上的外部漏极端子的外周的三个侧面与漏极电极相对并连接到纵向MOSFET的源极的源极电极。