公开(公告)号：CN118290181A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410003080.X

申请日：2024-01-02

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 万菊林

IPC: C04B41/88 ,  C23C24/08 ,  B22F1/18

Abstract: 提供了一种修复含硅基底上的缺陷的方法。所述方法可以包括：将粉末混合物施加到含硅基底表面上的现有涂层的缺陷中，其中，所述粉末混合物包含硅和Ge摩尔分数为0.01至0.3的锗；以及在1150℃至1400℃的烧结温度下对缺陷内的粉末混合物进行热处理，在缺陷内形成修复的粘结涂层。还提供了修复的部件，所述修复的部件包括在含硅基底上的缺陷内形成的修复的粘结涂层，其中，所述修复的粘结涂层包含硅‑锗相，所述硅‑锗相包含Ge摩尔分数为0.01至0.3的锗和Si摩尔分数为0.7至0.99的硅。

公开(公告)号：CN116496108A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310058540.4

申请日：2023-01-17

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 万菊林

IPC: C04B41/89

Abstract: 本发明提供了一种涂层部件(100)及其形成方法。涂层部件(100)可具有包含碳化硅且具有表面(103)的陶瓷基体复合材料基底(102)、基底(102)的表面(103)上的粘结涂层(104)，以及粘结涂层(104)上的环境屏障涂层(108)。粘结涂层(104)包含分散在基体相(112)内的多个离散颗粒(110)，基体相(112)由莫来石形成且占粘结涂层(104)的60体积％至98体积％。多个离散颗粒(110)包含吸氧剂并且其体积的50％以上由平均尺寸为10至100μm的颗粒形成。

公开(公告)号：CN112679232A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011109826.3

申请日：2020-10-16

Applicant: 通用电气公司

Inventor： K·L·卢思拉 ,  G·H·柯比 ,  万菊林 ,  L·S·罗森斯维希

IPC: C04B41/89

Abstract: 提供了涂布的部件及其形成方法。所述涂布的部件包括具有表面的陶瓷基材；在所述陶瓷基材的所述表面上的中间层；和在所述中间层上的环境阻挡涂层。所述中间层包括抑制来自含碳物类的游离碳在所述中间层、所述陶瓷基材或两者内累积的碳汇材料。

公开(公告)号：CN106715362B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201580040649.9

申请日：2015-07-07

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 万菊林

IPC: C04B41/89 ,  F01D5/28

Abstract: 一种物品，其包括：基底，设置在基底上的大致气密性的密封层，以及设置在基底上在密封层与基底之间的多孔过渡层。该物品还包括经由基底延伸至多孔过渡层的一个或多个开口。

公开(公告)号：CN109553429A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811106147.3

申请日：2018-09-21

Applicant: 通用电气公司

Inventor： K·L·卢瑟拉 ,  万菊林 ,  J·J·史昂 ,  M·K·布龙

IPC: C04B35/71 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B38/0029 ,  C04B35/573 ,  C04B35/6316 ,  C04B35/63476 ,  C04B35/638 ,  C04B35/80 ,  C04B38/0074 ,  C04B2111/40 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3817 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/42 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/483 ,  C04B2235/5256 ,  C04B2235/5264 ,  C04B2235/614 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/667 ,  C04B35/71 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/444

Abstract: 本公开内容提供了制造复合材料的方法及相应的复合材料，其中所述方法涉及通过多步加热过程制造复合材料。在一个加热阶段，通过施加电磁辐射来加热预成型件的内部区域。在另一加热阶段，从外部向内加热预成型件的表面附近的区域。

公开(公告)号：CN107922280B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN201680048140.3

申请日：2016-08-17

Applicant: 通用电气公司

Inventor： G.H.柯比 ,  万菊林 ,  S.拉马萨米

IPC: C04B41/85 ,  C04B41/00 ,  C04B41/50 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  C23C28/04 ,  C23C4/10 ,  F01D5/28

Abstract: 提供一种有涂层的基材，其包括基材(例如，陶瓷基质复合物)的表面上(例如，直接在其上)的环境屏障涂层。所述环境屏障涂层可包括具有耐火材料相和含硅玻璃相的屏障层。所述含硅玻璃相可为所述屏障层内的连续相(例如，所述屏障层的可透气晶界)，或可为分散在整个所述耐火材料相中的多个不连续层。所述耐火材料相可包括具有第一原子百分比的稀土组分的稀土硅酸盐材料，而所述含硅玻璃相包括小于所述第一原子百分比的第二原子百分比的所述稀土组分。还提供用于在基材上形成屏障层的方法。

公开(公告)号：CN106927868A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201610866388.2

申请日：2016-09-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 万菊林 ,  曹洪波

IPC: C04B41/91

CPC classification number: C04B41/0072 ,  B08B7/04 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/53 ,  C04B41/89 ,  C04B41/91 ,  F01D5/282 ,  F01D5/284 ,  F01D5/288 ,  F05D2300/211 ,  F05D2300/6033 ,  F05D2300/701 ,  C04B35/565 ,  C04B35/806 ,  C04B35/584 ,  C04B41/5096 ,  C04B41/5059 ,  C04B41/522 ,  C04B41/5071 ,  C04B41/5066 ,  C04B41/5035 ,  C04B41/5024 ,  C04B41/459 ,  C04B2103/0021 ,  C04B41/5037 ,  C04B41/5042 ,  C04B41/4515

Abstract: 一种从制品除去涂层的方法包括将制品加热到处理温度。所述制品包括与第二材料接触的第一材料，所述第一材料包含硅，所述第二材料包含含硅的氧化物。加热在具有一定氧分压的环境中进行，所述氧分压小于在处理温度下在第一材料和第二材料之间化学平衡的平衡氧分压。

公开(公告)号：CN106715362A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580040649.9

申请日：2015-07-07

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 万菊林

IPC: C04B41/89 ,  F01D5/28

Abstract: 一种物品，其包括：基底，设置在基底上的大致气密性的密封层，以及设置在基底上在密封层与基底之间的多孔过渡层。该物品还包括经由基底延伸至多孔过渡层的一个或多个开口。

公开(公告)号：CN106927868B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201610866388.2

申请日：2016-09-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 万菊林 ,  曹洪波

IPC: C04B41/91

Abstract: 一种从制品除去涂层的方法包括将制品加热到处理温度。所述制品包括与第二材料接触的第一材料，所述第一材料包含硅，所述第二材料包含含硅的氧化物。加热在具有一定氧分压的环境中进行，所述氧分压小于在处理温度下在第一材料和第二材料之间化学平衡的平衡氧分压。

公开(公告)号：CN106927866B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201610883283.8

申请日：2016-10-10

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 万菊林 ,  D.M.利普金

IPC: C04B41/89

Abstract: 本公开提供包括基材(12)、环境阻挡涂层(EBC)(16)、粘结涂层(14)和硼源(20)的制品(10)。所述基材(12)可以包含含硅陶瓷材料。所述EBC(16)可以布置在所述基材(12)上，且所述粘结涂层(14)可以布置在所述基材(12)和所述EBC(16)之间。所述粘结涂层(14)可以包含硅。所述硼源(20)可以布置在制品(10)内以在将粘结涂层(14)暴露到大于900℃温度的氧化环境期间提供有效量的硼以形成包含硅和至少0.1重量%硼的氧化物(18)。所述氧化物(18)可以为基本上失透抵抗的硼硅酸盐玻璃以避免EBC(16)剥落且由此增强制品(10)的温度能力。