公开(公告)号：KR101482174B1

公开(公告)日：2015-01-22

申请号：KR1020130099260

申请日：2013-08-21

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이현정 ,  천재은 ,  이재갑

IPC: H01L31/118

CPC classification number: H01L31/02366 ,  H01L21/30604 ,  H01L31/18

Abstract: 본 발명은 소수성 고분자를 이용한 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법 및 상기 방법으로 텍스쳐링된 실리콘 웨이퍼에 관한 것이다. 본 발명의 방법으로 고가의 특정 장비 사용, 고온처리 조건, 장시간 공정을 요구하지 않으면서도 반사율이 최소화된 텍스쳐링된 실리콘 웨이퍼를 제조할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及使用疏水性聚合物和硅晶片的硅晶片的纹理化方法。 根据本发明的方法，可以在不使用高价格的特定设备，高温处理条件和长时间的制造工艺的情况下制造具有最小反射率的织构化硅晶片。

公开(公告)号：KR101462207B1

公开(公告)日：2014-11-25

申请号：KR1020130147842

申请日：2013-11-29

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이현정 ,  천재은 ,  이재갑

IPC: H01L31/0236 ,  H01L21/306 ,  H01L31/042

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/0236 ,  H01L21/306 ,  H01L31/042

Abstract: 본 발명은 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법 및 상기 방법으로 텍스처링된 실리콘 웨이퍼에 관한 것이다. 본 발명의 방법으로 고가의 특정 장비 사용, 고온처리 조건, 장시간 공정을 요구하지 않으면서도 반사율이 최소화된 텍스처링된 실리콘 웨이퍼를 제조할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于纹理化硅晶片的方法和由此形成的硅晶片。 通过根据本发明的方法，制造的是具有最小反射率的纹理硅晶片，而不需要昂贵的特定设备，高温处理条件和长期工艺。