公开(公告)号：KR1020070024952A

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：KR1020050080618

申请日：2005-08-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강윤호 ,  드부렌체스키브이.아나톨리

IPC: H01L21/8247 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L21/02164 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/301 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31604 ,  H01L29/42332 ,  Y10S977/779 ,  Y10S977/81 ,  Y10S977/89

Abstract: A method for fabricating germanium nano clusters is provided to be usefully applied in fabricating a flash memory device by easily forming germanium nano clusters uniformly embedded in a silicon oxide layer. A silicon oxide layer is formed on a silicon substrate(10). A GeO layer is formed on the silicon oxide layer in oxygen atmosphere of a low density. The GeO layer is transformed into a GeO2 layer and Ge nano clusters(50) wherein the substrate is annealed at the temperature of 600 deg.C. The GeO2 layer is transformed into a SiO2 layer(70).

Abstract translation: 提供了一种用于制造锗纳米簇的方法，通过容易地形成均匀地嵌入在氧化硅层中的锗纳米簇，可用于制造闪速存储器件。 在硅衬底（10）上形成氧化硅层。 在低氧密度的氧气氛中的氧化硅层上形成GeO层。 将GeO层转变成GeO 2层和Ge纳米簇（50），其中衬底在600℃的温度下退火。 将GeO 2层转变成SiO 2层（70）。

公开(公告)号：KR100695161B1

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：KR1020050080618

申请日：2005-08-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강윤호 ,  드부렌체스키브이.아나톨리

IPC: H01L21/8247 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L21/02164 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/301 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31604 ,  H01L29/42332 ,  Y10S977/779 ,  Y10S977/81 ,  Y10S977/89

Abstract: 본 발명은 Ge 나노 클러스터 제조방법에 관하여 개시한다. 개시된 Ge 나노 클러스터 제조방법은: 실리콘 기판 상에 실리콘 산화물층을 형성시키는 제1 단계; 상기 실리콘 산화물층 상에 GeO 층을 형성하는 제2 단계; 상기 GeO 층을 GeO
2 층과 Ge 나노클러스터로 변환하는 제3 단계; 및 상기 GeO
2 를 SiO
2 로 변환하는 제4 단계;를 구비하는 것을 특징으로 한다.