불휘발성 메모리 시스템 및 메모리 컨트롤러의 동작 방법

    公开(公告)号:KR102218722B1

    公开(公告)日:2021-02-24

    申请号:KR1020140069367

    申请日:2014-06-09

    Inventor: 임정빈

    Abstract: 본발명의실시예에따른메모리컨트롤러의동작방법은복수의메모리셀들중 미리정해진메모리셀들에평가데이터를프로그램하는단계; 주기적으로평가데이터가프로그램된미리정해진메모리셀들에대하여 IVS(Initial Verify Shift) 평가를수행하는단계; 및 IVS 평가결과를저장하는단계를포함하고, IVS 평가는평가데이터가프로그램된시점으로부터시간이경과한시간에따라미리정해진메모리셀들의문턱전압변화량을검출하는동작을가리킨다.

    플래시 메모리를 기반으로 하는 저장 장치, 그것을 포함한 사용자 장치, 그리고 그것의 데이터 읽기 방법
    2.
    发明公开
    플래시 메모리를 기반으로 하는 저장 장치, 그것을 포함한 사용자 장치, 그리고 그것의 데이터 읽기 방법 无效
    基于闪速存储器的存储设备,包括其的用户设备及其数据读取方法

    公开(公告)号:KR1020130084846A

    公开(公告)日:2013-07-26

    申请号:KR1020120005741

    申请日:2012-01-18

    Inventor: 김종현 임정빈

    Abstract: PURPOSE: A storage device based on a flash memory, a user device including the same, and a data read method thereof are provided to perform a read operation for a corresponding page, by obtaining a physical page corresponding to a logical page using a full block indicator. CONSTITUTION: A flash memory (1210) stores data. A controller (1220) receives read request for a logical page of the flash memory from a host. The controller performs read operation for a physical page of the flash memory. The controller includes a mapping manager. The mapping manager changes mapping method, depending on whether a physical unit corresponding to a logical unit to which the logical page from the host belongs exists or not.

    Abstract translation: 目的:提供基于闪速存储器的存储设备,包括其的用户设备及其数据读取方法,以通过使用完整块获得与逻辑页面对应的物理页面来执行对应页面的读取操作 指示符。 构成:闪存(1210)存储数据。 控制器(1220)从主机接收闪存的逻辑页面的读取请求。 控制器执行闪存的物理页面的读取操作。 控制器包括一个映射管理器。 映射管理器根据与来自主机的逻辑页面所属的逻辑单元对应的物理单元是否存在而改变映射方法。

    메모리 시스템 및 그것의 리프레쉬 방법
    3.
    发明授权
    메모리 시스템 및 그것의 리프레쉬 방법 有权
    记忆系统及其刷新方法

    公开(公告)号:KR101577721B1

    公开(公告)日:2015-12-29

    申请号:KR1020100066538

    申请日:2010-07-09

    CPC classification number: G11C16/16 G11C16/04 G11C16/0483 G11C16/349

    Abstract: 본발명은메모리시스템및 그것의리프레쉬방법에관한것이다. 본발명의실시예에따른메모리시스템은메모리블록들을각각포함하는제 1 및제 2 불휘발성메모리장치; 그리고상기제 1 및제 2 불휘발성메모리장치의리프레쉬동작을제어하는메모리컨트롤러를포함하며, 상기메모리컨트롤러는상기제 1 및제 2 불휘발성메모리장치에포함된메모리블록들을적어도두 개의메모리그룹들로그룹핑하고, 상기적어도두 개의메모리그룹들을소정순서에따라리프레쉬한다. 따라서, 본발명의실시예에따른메모리시스템은데이터의무결성을보장할수 있다.

    개선된 랜덤 라이트 성능을 가지는 메타 데이터 그룹 구성 방법 및 그에 따른 반도체 저장 장치
    5.
    发明公开
    개선된 랜덤 라이트 성능을 가지는 메타 데이터 그룹 구성 방법 및 그에 따른 반도체 저장 장치 无效
    具有改进的随机写入性能的META数据组配置方法及其半导体存储设备

    公开(公告)号:KR1020130023985A

    公开(公告)日:2013-03-08

    申请号:KR1020110087122

    申请日:2011-08-30

    Inventor: 임정빈

    CPC classification number: G06F12/0246 G06F2212/7201 G06F2212/7208

    Abstract: PURPOSE: A metadata group composition method with an improved random light performance and a semiconductor storage device therefor are provided to increase the over provision ratio of a physical space, thereby improving random light performance. CONSTITUTION: Storage devices(1200) are comprised by dispersing and arranging logical addresses to a fixed size unit. A controller(2000) alternately groups the logical addresses included in different areas to the same metadata group when metadata groups comprise the same storage device. The metadata groups regulate a relation between a logical space and a physical space. Grouping uses a function relation corresponding to the rest of calculation values of the logical addresses. The grouping is set by using the function relation corresponding to a bit calculation value and a number assignment table.

    Abstract translation: 目的:提供具有改进的随机光性能的元数据组合成方法及其半导体存储装置,以增加物理空间的过度提供比例,从而提高随机光性能。 规定:存储设备(1200)包括通过将逻辑地址分散和排列到固定大小的单元。 当元数据组包括相同的存储设备时,控制器(2000)将包括在不同区域中的逻辑地址交替地分组到相同的元数据组。 元数据组调节逻辑空间和物理空间之间的关系。 分组使用与逻辑地址的其余计算值相对应的函数关系。 通过使用与位计算值对应的功能关系和数字分配表来设定分组。

    메타 라이팅 빈도를 줄이기 위한 메타 데이터 라이팅 방법
    6.
    发明公开
    메타 라이팅 빈도를 줄이기 위한 메타 데이터 라이팅 방법 无效
    用于减少META写入频率的META数据写入方法

    公开(公告)号:KR1020130019891A

    公开(公告)日:2013-02-27

    申请号:KR1020110082176

    申请日:2011-08-18

    Inventor: 임정빈

    CPC classification number: G06F12/0246 G06F2212/7203 G06F2212/7207

    Abstract: PURPOSE: A metadata writing method for reducing the number of meta writing operations is provided to reduce or minimize the number of meta writing operations by not writing metadata in a flash memory whenever the metadata is changed. CONSTITUTION: A parameter N to reserve a writing operation in spite of a write event about metadata is determined(S40). A writing operation about unloaded metadata is skipped(S42). The unloaded metadata is recovered in a RAM by a scanning operation(S44). The metadata is written in the flash memory(S46).

    Abstract translation: 目的:提供用于减少元写入操作数量的元数据写入方法,用于通过在元数据被改变时不将元数据写入闪存中来减少或最小化元写入操作的数量。 规定:确定尽管关于元数据的写入事件来保留写入操作的参数N(S40)。 跳过关于卸载元数据的写入操作(S42)。 通过扫描操作将卸载的元数据恢复在RAM中(S44)。 元数据写入闪存(S46)。

    메모리 장치
    7.
    发明公开
    메모리 장치 无效
    记忆装置

    公开(公告)号:KR1020120134919A

    公开(公告)日:2012-12-12

    申请号:KR1020110054143

    申请日:2011-06-03

    Inventor: 임정빈

    Abstract: PURPOSE: A memory device is provided to efficiently manage a mapping table when a memory includes memory chips. CONSTITUTION: A control unit(CTR) manages a first mapping table for a first memory chip and a second mapping table for a second memory chip. If a second physical address of the second memory chip is allocated to a first logical address of the first memory chip, the control unit updates the second mapping table to match a second logical address of the second memory chip with the second physical address of the second memory chip. The control unit updates the first mapping table to match the first logical address of the memory chip with the second logical address of the second memory chip.

    Abstract translation: 目的:当存储器包括存储器芯片时,提供存储器件以有效地管理映射表。 构成:控制单元(CTR)管理第一存储器芯片的第一映射表和用于第二存储器芯片的第二映射表。 如果第二存储器芯片的第二物理地址被分配给第一存储器芯片的第一逻辑地址,则控制单元更新第二映射表以将第二存储器芯片的第二逻辑地址与第二存储器芯片的第二物理地址匹配 内存芯片 控制单元更新第一映射表以将存储器芯片的第一逻辑地址与第二存储器芯片的第二逻辑地址相匹配。

    플래시 메모리를 구비하는 반도체 메모리 장치에서의 블록상태 정보 제공방법
    8.
    发明授权
    플래시 메모리를 구비하는 반도체 메모리 장치에서의 블록상태 정보 제공방법 失效
    用于在具有闪存存储器的半导体存储器件中使用块状态信息的方法

    公开(公告)号:KR100781976B1

    公开(公告)日:2007-12-06

    申请号:KR1020060107556

    申请日:2006-11-02

    Inventor: 김혜영 임정빈

    Abstract: A method for serving block status information for use in a semiconductor memory device comprising a flash memory is provided to enable a user to perform data backup for assuring the stability of data by providing a warning to the user. According to a method for serving block status information for use in a semiconductor memory device comprising a flash memory, block status information of a defective block of the flash memory and a reserved block to replace the defective block is stored. The block status information is provided to a user when a specific command is inputted. The block status information includes the capacity of the defective block, the capacity of the reserved block and the number of reserved blocks.

    Abstract translation: 提供了用于在包括闪存的半导体存储器件中使用的块状态信息的方法,以使用户能够通过向用户提供警告来执行数据备份以确保数据的稳定性。 根据用于在包括闪速存储器的半导体存储器件中使用的块状态信息的方法,存储闪速存储器的缺陷块的块状态信息和用于替换缺陷块的保留块。 当输入特定命令时,将块状态信息提供给用户。 块状态信息包括缺陷块的容量,保留块的容量和保留块的数量。

    비휘발성 메모리 장치, 이의 동작 방법, 및 이를 포함하는 장치들
    9.
    发明公开
    비휘발성 메모리 장치, 이의 동작 방법, 및 이를 포함하는 장치들 无效
    非易失性存储器件,其操作方法和具有相同功能的半导体系统

    公开(公告)号:KR1020120028581A

    公开(公告)日:2012-03-23

    申请号:KR1020100090517

    申请日:2010-09-15

    CPC classification number: G06F12/0246 G06F2212/7205

    Abstract: PURPOSE: A non-volatile memory apparatus, an operation method thereof, and apparatuses including the same are provided to effectively manage data stored in a flash memory by preferentially performing a garbage collection process with respect to data blocks which requires a refresh process. CONSTITUTION: A flash memory(60) comprises a plurality of data blocks. A memory controller(50) comprises a garbage collection block determination part(52), a refresh block determination part, and a garbage collection execution part. The garbage collection block determination part determines first data blocks among the plurality of data blocks. The refresh block determination part determines second data blocks among the first data blocks. The garbage collection execution part preferentially performs a garbage collection process with respect to the second data blocks.

    Abstract translation: 目的:提供一种非易失性存储装置及其操作方法以及包括该非易失性存储装置的装置,通过优先执行对需要刷新处理的数据块的垃圾收集处理来有效地管理存储在闪速存储器中的数据。 构成:闪存(60)包括多个数据块。 存储器控制器(50)包括垃圾收集块确定部分(52),刷新块确定部分和垃圾收集执行部分。 垃圾收集块确定部分确定多个数据块中的第一数据块。 刷新块确定部确定第一数据块中的第二数据块。 垃圾收集执行部优先对第二数据块执行垃圾收集处理。

    비휘발성 메모리의 관리 방법 및 비휘발성 메모리 기반의장치
    10.
    发明授权
    비휘발성 메모리의 관리 방법 및 비휘발성 메모리 기반의장치 有权
    用于管理非易失性存储器的方法,以及包括非易失性存储器的基于存储器的装置

    公开(公告)号:KR100849221B1

    公开(公告)日:2008-07-31

    申请号:KR1020060101643

    申请日:2006-10-19

    Inventor: 임정빈 김혜영

    CPC classification number: G06F12/0246 G06F2212/7205

    Abstract: 비휘발성 메모리의 관리 방법 및 비휘발성 메모리 기반의 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 관리 방법은 데이터 블록 및 상기 데이터 블록을 갱신하기 위한 데이터를 기록하기 위한 로그 블록을 구비하는 비휘발성 메모리를 관리하는 방법에 관한 것으로, 데이터가 기록되어 있지 않은 자유블록에 제1 데이터 블록의 유효 데이터와 상기 제1 데이터 블록에 대응하는 제1 로그 블록의 유효 데이터를 복사하여 제2 데이터 블록을 생성하는 병합 단계; 및 미리 설정된 조건에 기초하여, 상기 제1 로그 블록의 데이터를 소거하여 상기 제1 로그 블록을 자유 블록으로 할당하거나 또는 상기 제1 로그 블록의 데이터를 소거하지 않고 제2 로그 블록으로 할당하는 선택적 할당 단계를 구비한다. 본 발명에 의하면, 메모리 블록의 소거 횟수를 줄일 수 있어, 프로그램/소거 횟수에 제한이 있는 플래시 메모리의 사용 기한을 확장할 수 있다.

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