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公开(公告)号:WO2019135468A1
公开(公告)日:2019-07-11
申请号:PCT/KR2018/011584
申请日:2018-09-28
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , H01L21/02 , H01L21/66
Abstract: 본 발명은 방사선 저항성 금속산화물 반도체 소재, 이의 용도, 이의 선별방법 및 전자기기의 방사선 내구성 평가방법에 관한 것이다. 본 발명은 금속산화물 반도체 소재 또는 이를 사용하여 제작된 소자에 양성자를 조사하여 금속산화물 반도체 소재 내 산소의 빈격자점(oxygen vacancy) 생성 여부 및 정도를 확인하여, 방사선 저항성 금속산화물 반도체 소재를 선별하는 것이 특징이다.
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公开(公告)号:KR102075666B1
公开(公告)日:2020-02-10
申请号:KR1020180001374
申请日:2018-01-04
Applicant: 서강대학교산학협력단 , 중앙대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , H01L21/02 , H01L21/66
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公开(公告)号:KR102245272B1
公开(公告)日:2021-04-28
申请号:KR1020190044445
申请日:2019-04-16
Applicant: 서강대학교산학협력단 , 중앙대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은방사선저항성을발휘하는 ZITO(zinc-indium-tin oxide)을함유하는방사선저항성금속산화물반도체조성물및 이의제법및 용도에관한것이다. 본발명은우주공간, 원자력발전소, 또는방사선을이용하는의료기기또는보안기기사용공간에서사용되는방사선노출용전자기기가방사선저항성을발휘하는 ZITO을함유하는방사선저항성금속산화물반도체조성물을사용함으로써, 방사선에의한손상을방지하여, 소자의전기적특성(예, turn-on voltage(Von)), 장치의수명및 신뢰성을향상시킬수 있다.
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