公开(公告)号：KR20180048132A

公开(公告)日：2018-05-10

申请号：KR20160145324

申请日：2016-11-02

Applicant: 연세대학교 산학협력단 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 권장연 ,  남기태 ,  이윤식 ,  남궁석 ,  성태훈 ,  이재훈 ,  김영오

IPC: H01L51/05 ,  H01L21/324 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L51/0541 ,  H01L21/324 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/772 ,  H01L51/0558

Abstract: 전계효과트랜지스터및 그제조방법을개시한다. 실시예에따른전계효과트랜지스터는기판, 기판상에형성되고게이트전극, 게이트전극상에형성되는유전체층, 유전체층상에형성되는소스또는드레인전극및 소스전극과드레인전극사이에형성되고반도체층을포함하고, 상기상기게이트전극, 상기유전체층, 상기소스전극, 상기드레인전극, 상기게이트전극및 상기반도체층중 적어도하나는펩타이드기반의물질로구성되는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR101888256B1

公开(公告)日：2018-08-13

申请号：KR1020160145324

申请日：2016-11-02

Applicant: 연세대학교 산학협력단 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 권장연 ,  남기태 ,  이윤식 ,  남궁석 ,  성태훈 ,  이재훈 ,  김영오

IPC: H01L51/05 ,  H01L29/772 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L21/324

Abstract: 전계효과트랜지스터및 그제조방법을개시한다. 실시예에따른전계효과트랜지스터는기판, 기판상에형성되고게이트전극, 게이트전극상에형성되는유전체층, 유전체층상에형성되는소스또는드레인전극및 소스전극과드레인전극사이에형성되고반도체층을포함하고, 상기상기게이트전극, 상기유전체층, 상기소스전극, 상기드레인전극, 상기게이트전극및 상기반도체층중 적어도하나는펩타이드기반의물질로구성되는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR1020120059095A

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：KR1020100120717

申请日：2010-11-30

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 김기범 ,  권장연 ,  김현미

IPC: C30B11/00 ,  C30B15/00 ,  H01L31/04 ,  H01L21/02

CPC classification number: Y02E10/50 ,  C30B15/007 ,  C30B11/00 ,  C30B15/36 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02002 ,  H01L31/04

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a substrate for a semiconductor device, and a solar battery using the same are provided to improve carrier mobility by making a crystal grow up by using metallurgical-grade silicon. CONSTITUTION: A substrate(610) comprises metallurgical grade silicon. A semiconductor layer(630) is arranged on the substrate. The semiconductor layer forms PN junction with the substrate. A top electrode layer(660) is arranged on the semiconductor layer. A bottom electrode layer(650) is arranged at the lower side of the substrate. The bottom electrode layer comprises conductive material such as aluminum, silver, or an alloy thereof. The bottom electrode layer is formed by a PVD(Physical Vapor Deposition).

Abstract translation: 目的：提供一种半导体装置用基板的制造方法和使用该半导体装置的太阳能电池的制造方法，其通过使用冶金级硅使晶体长大而提高载流子迁移率。 构成：衬底（610）包括冶金级硅。 半导体层（630）布置在衬底上。 半导体层与衬底形成PN结。 顶部电极层（660）布置在半导体层上。 底部电极层（650）布置在衬底的下侧。 底部电极层包括诸如铝，银或其合金的导电材料。 底部电极层由PVD（物理气相沉积）形成。