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公开(公告)号:WO2012134105A2
公开(公告)日:2012-10-04
申请号:PCT/KR2012/002088
申请日:2012-03-22
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 김연상 , 박시윤 , 김경준
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1292 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: 산화아연에 암모니아를 반응시켜 아연 아민 착체를 형성하는 단계; 상기 아연 아민 착체와 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 수산화물을 극성 용매 중에서 혼합시켜 아연 수산화물의 용액을 형성하는 단계; 상기 용액을 기판 상에 도포하여 반도체 막을 형성하는 단계; 및 상기 반도체 막을 가열하여 상기 알칼리 금속 또는 상기 알칼리 토금속으로 도핑된 산화아연 막을 형성하는 단계를 포함하는 n형 산화아연 막의 제조방법이 제공된다.
Abstract translation: 提供了一种n型氧化锌薄膜的制造方法,包括以下步骤:通过使氧化锌与氨反应形成锌胺络合物; 通过在极性溶剂中将锌胺络合物与碱金属或碱土金属的氧化物混合来形成氢氧化锌溶液; 通过将溶液施加在基板上形成半导体膜; 通过加热半导体膜形成掺杂有碱金属或碱土金属的氧化锌膜。
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公开(公告)号:WO2019035611A1
公开(公告)日:2019-02-21
申请号:PCT/KR2018/009240
申请日:2018-08-13
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 촉매 및 이를 포함하는 전극에 관한 것으로서, 촉매는, 비정질 합금부를 포함하고, 비정질 합금부는, Cu, Ag, Au 중 어느 하나를 35at% 내지 65at% 포함하고, 잔부가 Ti, Zr 또는 Hf이며, 이산화탄소를 환원하여 탄화수소로 전환하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号:WO2021125557A1
公开(公告)日:2021-06-24
申请号:PCT/KR2020/015671
申请日:2020-11-10
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: G06N20/00
Abstract: 전자 장치의 제어 방법이 개시된다. 본 개시에 따른 제어 방법은 분류값 예측 모듈을 포함하는 제1 신경망 모델을 획득하여 메모리에 저장하는 단계, 전이 학습(transfer learning)을 분류값 예측 모듈을 포함하는 제2 신경망 모델을 획득하는 단계, 제2 신경망 모델을 이용하여 제1 데이터 및 제2 데이터 간의 전이 가능성(transferability)을 획득하는 단계, 및 획득된 전이 가능성을 바탕으로 제2 신경망 모델을 재학습시키는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号:KR101192221B1
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:KR1020110027226
申请日:2011-03-25
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/20
CPC classification number: H01L27/1292 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: 산화아연에 암모니아를 반응시켜 아연 아민 착체를 형성하는 단계; 상기 아연 아민 착체와 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 수산화물을 극성 용매 중에서 혼합시켜 아연 수산화물의 용액을 형성하는 단계; 상기 용액을 기판 상에 도포하여 반도체 막을 형성하는 단계; 및 상기 반도체 막을 가열하여 상기 알칼리 금속 또는 상기 알칼리 토금속으로 도핑된 산화아연 막을 형성하는 단계를 포함하는 n형 산화아연 막의 제조방법이 제공된다.
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公开(公告)号:KR1020120108851A
公开(公告)日:2012-10-05
申请号:KR1020110027226
申请日:2011-03-25
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/20
CPC classification number: H01L27/1292 , H01L29/66969 , H01L29/78693 , H01L21/02554 , H01L21/02623 , H01L21/288 , H01L29/66742
Abstract: PURPOSE: A zinc oxide thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to prevent the deformation of a lattice in an oxygen vacancy by doping an interstitial site around the oxygen vacancy. CONSTITUTION: A zinc amine complex is made by reacting zinc oxide with ammonia(S110). Zinc hydroxide solutions are made by minimizing the zinc amine complex with alkali metal or alkaline-earth metal hydroxide in polar solvents(S120). A semiconductor film is formed by coating the substrate with the above solutions(S130). A zinc oxide film doped with alkali metal or alkaline-earth metal is formed by heating the semiconductor film(S140). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Finish; (S110) Forming zinc amine complex by reacting zinc oxide with ammonia; (S120) Forming zinc hydroxide solutions by mixing zinc amine complex with alkali metal or alkaline-earth metal hydroxide; (S130) Forming a semiconductor film by coating a substrate with solutions; (S140) Forming a doped zinc oxide film by heating a semiconductor film
Abstract translation: 目的:提供氧化锌薄膜晶体管及其制造方法,以通过在氧空位周围掺杂间隙位置来防止晶格在氧空位中的变形。 构成:通过使氧化锌与氨反应制成锌胺络合物(S110)。 氢氧化锌溶液是通过在碱性金属或碱土金属氢氧化物极性溶剂中使锌胺络合物最小化来制备的(S120)。 通过用上述溶液涂覆基板形成半导体膜(S130)。 通过加热半导体膜形成掺杂有碱金属或碱土金属的氧化锌膜(S140)。 (附图标记)(AA)开始; (BB)完成; (S110)通过使氧化锌与氨反应形成锌胺络合物; (S120)通过将锌胺配合物与碱金属或碱土金属氢氧化物混合而形成氢氧化锌溶液; (S130)通过用溶液涂布基板来形成半导体膜; (S140)通过加热半导体膜形成掺杂的氧化锌膜
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公开(公告)号:KR101213190B1
公开(公告)日:2012-12-18
申请号:KR1020110071580
申请日:2011-07-19
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H02N2/18 , H02K5/00 , H01L21/027
CPC classification number: H02K5/00 , G03F1/60 , H01L21/0274 , H02N2/183
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating piezoelectric a nanogenerator having high tension is provided to improve productivity by using a zinc oxide precipitation method. CONSTITUTION: Macromolecular solution is coated on a substrate. A polymer film having selective ultraviolet ray/ozone treatment is pre-patterned. The pre-patterned membranous polymers film is coated with zinc oxide precursor solution. Residual solvent and the membranous polymers film are removed. A thin film of nano ribbon is heated.
Abstract translation: 目的:提供一种制造具有高张力的压电纳米发生器的方法,以通过使用氧化锌沉淀法提高生产率。 构成:将大分子溶液涂覆在基材上。 具有选择性紫外线/臭氧处理的聚合物膜被预先图案化。 预先图案化的膜状聚合物膜涂覆有氧化锌前体溶液。 去除残余溶剂和膜聚合物膜。 纳米带的薄膜被加热。
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公开(公告)号:KR102219947B1
公开(公告)日:2021-02-26
申请号:KR1020180073563
申请日:2018-06-26
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은촉매및 이를포함하는전극에관한것으로서, 촉매는, 비정질합금부를포함하고, 비정질합금부는, Cu, Ag, Au 중어느하나를 35at% 내지 65at% 포함하고, 잔부가 Ti, Zr 또는 Hf이며, 이산화탄소를환원하여탄화수소로전환하는것을특징으로한다.
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