산화아연 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법
    1.
    发明申请
    산화아연 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 审中-公开
    氧化锌薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:WO2012134105A2

    公开(公告)日:2012-10-04

    申请号:PCT/KR2012/002088

    申请日:2012-03-22

    CPC classification number: H01L27/1292 H01L29/66969 H01L29/78693

    Abstract: 산화아연에 암모니아를 반응시켜 아연 아민 착체를 형성하는 단계; 상기 아연 아민 착체와 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 수산화물을 극성 용매 중에서 혼합시켜 아연 수산화물의 용액을 형성하는 단계; 상기 용액을 기판 상에 도포하여 반도체 막을 형성하는 단계; 및 상기 반도체 막을 가열하여 상기 알칼리 금속 또는 상기 알칼리 토금속으로 도핑된 산화아연 막을 형성하는 단계를 포함하는 n형 산화아연 막의 제조방법이 제공된다.

    Abstract translation: 提供了一种n型氧化锌薄膜的制造方法,包括以下步骤:通过使氧化锌与氨反应形成锌胺络合物; 通过在极性溶剂中将锌胺络合物与碱金属或碱土金属的氧化物混合来形成氢氧化锌溶液; 通过将溶液施加在基板上形成半导体膜; 通过加热半导体膜形成掺杂有碱金属或碱土金属的氧化锌膜。

    전자 장치 및 그 제어 방법
    3.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2021125557A1

    公开(公告)日:2021-06-24

    申请号:PCT/KR2020/015671

    申请日:2020-11-10

    Abstract: 전자 장치의 제어 방법이 개시된다. 본 개시에 따른 제어 방법은 분류값 예측 모듈을 포함하는 제1 신경망 모델을 획득하여 메모리에 저장하는 단계, 전이 학습(transfer learning)을 분류값 예측 모듈을 포함하는 제2 신경망 모델을 획득하는 단계, 제2 신경망 모델을 이용하여 제1 데이터 및 제2 데이터 간의 전이 가능성(transferability)을 획득하는 단계, 및 획득된 전이 가능성을 바탕으로 제2 신경망 모델을 재학습시키는 단계를 포함한다.

    산화아연 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법
    4.
    发明授权
    산화아연 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 有权
    氧化锌薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:KR101192221B1

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:KR1020110027226

    申请日:2011-03-25

    CPC classification number: H01L27/1292 H01L29/66969 H01L29/78693

    Abstract: 산화아연에 암모니아를 반응시켜 아연 아민 착체를 형성하는 단계; 상기 아연 아민 착체와 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 수산화물을 극성 용매 중에서 혼합시켜 아연 수산화물의 용액을 형성하는 단계; 상기 용액을 기판 상에 도포하여 반도체 막을 형성하는 단계; 및 상기 반도체 막을 가열하여 상기 알칼리 금속 또는 상기 알칼리 토금속으로 도핑된 산화아연 막을 형성하는 단계를 포함하는 n형 산화아연 막의 제조방법이 제공된다.

    산화아연 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법
    5.
    发明公开
    산화아연 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 有权
    氧化锌薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020120108851A

    公开(公告)日:2012-10-05

    申请号:KR1020110027226

    申请日:2011-03-25

    Abstract: PURPOSE: A zinc oxide thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to prevent the deformation of a lattice in an oxygen vacancy by doping an interstitial site around the oxygen vacancy. CONSTITUTION: A zinc amine complex is made by reacting zinc oxide with ammonia(S110). Zinc hydroxide solutions are made by minimizing the zinc amine complex with alkali metal or alkaline-earth metal hydroxide in polar solvents(S120). A semiconductor film is formed by coating the substrate with the above solutions(S130). A zinc oxide film doped with alkali metal or alkaline-earth metal is formed by heating the semiconductor film(S140). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Finish; (S110) Forming zinc amine complex by reacting zinc oxide with ammonia; (S120) Forming zinc hydroxide solutions by mixing zinc amine complex with alkali metal or alkaline-earth metal hydroxide; (S130) Forming a semiconductor film by coating a substrate with solutions; (S140) Forming a doped zinc oxide film by heating a semiconductor film

    Abstract translation: 目的:提供氧化锌薄膜晶体管及其制造方法,以通过在氧空位周围掺杂间隙位置来防止晶格在氧空位中的变形。 构成:通过使氧化锌与氨反应制成锌胺络合物(S110)。 氢氧化锌溶液是通过在碱性金属或碱土金属氢氧化物极性溶剂中使锌胺络合物最小化来制备的(S120)。 通过用上述溶液涂覆基板形成半导体膜(S130)。 通过加热半导体膜形成掺杂有碱金属或碱土金属的氧化锌膜(S140)。 (附图标记)(AA)开始; (BB)完成; (S110)通过使氧化锌与氨反应形成锌胺络合物; (S120)通过将锌胺配合物与碱金属或碱土金属氢氧化物混合而形成氢氧化锌溶液; (S130)通过用溶液涂布基板来形成半导体膜; (S140)通过加热半导体膜形成掺杂的氧化锌膜

    압전 나노발전기의 제조방법
    6.
    发明授权
    압전 나노발전기의 제조방법 有权
    压电纳米粒子的制备方法

    公开(公告)号:KR101213190B1

    公开(公告)日:2012-12-18

    申请号:KR1020110071580

    申请日:2011-07-19

    CPC classification number: H02K5/00 G03F1/60 H01L21/0274 H02N2/183

    Abstract: PURPOSE: A method for fabricating piezoelectric a nanogenerator having high tension is provided to improve productivity by using a zinc oxide precipitation method. CONSTITUTION: Macromolecular solution is coated on a substrate. A polymer film having selective ultraviolet ray/ozone treatment is pre-patterned. The pre-patterned membranous polymers film is coated with zinc oxide precursor solution. Residual solvent and the membranous polymers film are removed. A thin film of nano ribbon is heated.

    Abstract translation: 目的:提供一种制造具有高张力的压电纳米发生器的方法,以通过使用氧化锌沉淀法提高生产率。 构成:将大分子溶液涂覆在基材上。 具有选择性紫外线/臭氧处理的聚合物膜被预先图案化。 预先图案化的膜状聚合物膜涂覆有氧化锌前体溶液。 去除残余溶剂和膜聚合物膜。 纳米带的薄膜被加热。

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