-
公开(公告)号：WO2018034437A1
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：PCT/KR2017/007879
申请日：2017-07-21
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G01N1/28 , G01N1/36 , H01L21/306 , H01L29/16 , H01L21/205 , H01L21/66 , H01L21/033
Abstract: 본 발명은 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법 및 이에 의해 제작된 시료에 관한 것으로, 보다 상세하게는 하나의 시료에서 여러 가지 물성을 측정하거나 분석할 수 있는 시료를 제작하는 방법 및 이에 의해 제작된 시료에 관한 것이다. 본 발명에 따른 박막 물성측정 및 분석용 시료 제작 방법은 기판의 전면에 절연 물질로 이루어진 제1층을 형성하고, 기판의 후면에 제2층을 형성하고, 제2층을 패터닝하고, 패터닝된 제2층을 마스크로 이용하여 기판의 후면을 식각하여 기판의 전면과 후면을 관통하는 관통공을 형성함으로써 제1층의 기판과 대향하는 면의 일부를 하나 이상 노출시키고, 기판의 후면을 통하여 제1층의 노출된 부분을 일부 식각하고, 그리고 제1층의 기판과 대향하는 면의 반대면 상에 대상 박막을 형성한다.
Abstract translation: 本发明涉及用于测量和分析薄膜的物理性质的样品制备方法和由此制备的样品，并且更具体地涉及能够测量或分析一个样品中的各种物理性质的样品制备方法 并通过该方法生成一个样本。 根据本发明的用于制造用于物理性质测量和分析的样品的方法包括：在衬底的前表面上形成第一绝缘材料层;在衬底的后表面上形成第二层;图案化第二层; 第二层用作掩模以蚀刻基板的后表面以形成贯穿基板的前表面和后表面的通孔，以暴露第一层的面向基板的表面的至少一部分， 对该层的暴露部分进行部分蚀刻，并且在第一层的与衬底相对的衬底的相对侧上形成目标薄膜。
-
公开(公告)号：WO2016190684A1
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：PCT/KR2016/005588
申请日：2016-05-26
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 전자 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 실시예에 따른 전자 소자의 제조 방법은, 촉매 금속층 상에 그래핀층을 형성하는 단계, 그래핀층의 적어도 일부를 덮는 스터핑층을 형성하는 단계, 그래핀층 상에 캐리어층을 형성하는 단계, 그래핀층의 하면으로부터 촉매 금속층을 제거하는 단계, 및 그래핀층을 기판 상에 전사하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 提供电子元件及其制造方法。 根据本发明的实施例的电子元件的制造方法包括以下步骤：在催化金属层上形成石墨烯层; 形成覆盖所述石墨烯层的至少一部分的填充层; 在所述石墨烯层上形成载体层; 从石墨烯层的下表面去除催化金属层; 并将石墨烯层转移到基底上。
-
公开(公告)号：WO2016171461A1
公开(公告)日：2016-10-27
申请号：PCT/KR2016/004100
申请日：2016-04-20
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 반도체 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자는, 그래핀층 및 그래핀층의 적어도 일부 영역 상에 위치하는 스터핑(stuffing)층을 포함하는 확산 방지층, 및 확산 방지층 상의 도전층을 포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。 根据本发明的一个实施例的半导体器件包括：抗扩散层，包括石墨烯层和位于石墨烯层的至少部分区域上的填充层; 和抗扩散层上的导电层。
-
公开(公告)号：KR101723568B1
公开(公告)日：2017-04-07
申请号：KR1020150072838
申请日：2015-05-26
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은전자소자및 그제조방법을제공한다. 본발명의실시예에따른전자소자의제조방법은, 촉매금속층상에그래핀층을형성하는단계, 그래핀층의적어도일부를덮는스터핑층을형성하는단계, 그래핀층상에캐리어층을형성하는단계, 그래핀층의하면으로부터촉매금속층을제거하는단계, 및그래핀층을기판상에전사하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种电子装置及其制造方法。 根据本发明实施例的制造电子器件的方法包括以下步骤：在催化金属层上形成石墨烯层;形成覆盖石墨烯层的至少一部分的填充层;在石墨烯层上形成载体层; 从石墨烯层上去除催化剂金属层，并将石墨烯层转移到衬底上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130089041A
公开(公告)日：2013-08-09
申请号：KR1020120010384
申请日：2012-02-01
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: C01B31/02 , B01J23/755 , B01J23/46 , G02B6/32
CPC classification number: C01B32/184 , B01J23/462 , B01J23/755 , C01B32/188 , C01B2204/22 , G02B6/32
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a grapheme, in which a growth direction is controlled, is provided to enable a grapheme layer to be monocrystal in which a grain boundary is not included, thereby ensuring reduced electrical resistance and the formation of graphene layer in which carrier mobility is improved. CONSTITUTION: A manufacturing method of graphene, in which a growth direction is controlled, comprises following steps. A graphite catalyst layer is formed on a substrate (S300). A vapor carbon source is supplied to the graphite catalyst layer(S310). A heating source is formed from a heating generating device by converging light (S320). A graphene seed layer is formed by exposing a part of the graphite to the heating source (S330). The graphene layer is formed in one direction from the graphene seed layer (S340). [Reference numerals] (S300) Form a metal layer on a substrate; (S310) Supply a carbon source to the metal layer; (S320) Form a heating source by converging light from the light source; (S330) Form a graphene seed layer by exposing a part of the metal layer to the heating source; (S340) Form a graphene layer from the graphene seed layer in one direction
Abstract translation: 目的：提供其中控制生长方向的图形的制造方法，以使得图形层可以是不包含晶界的单晶，由此确保降低的电阻和形成载体的石墨烯层 流动性得到改善。 构成：其中生长方向被控制的石墨烯的制造方法包括以下步骤。 在基板上形成石墨催化剂层（S300）。 向石墨催化剂层供给蒸气碳源（S310）。 通过会聚光从发热装置形成加热源（S320）。 通过将一部分石墨暴露于加热源形成石墨烯籽晶层（S330）。 石墨烯层从石墨烯籽晶层形成在一个方向（S340）。 （参考号）（S300）在基板上形成金属层; （S310）向金属层供应碳源; （S320）通过会聚来自光源的光来形成加热源; （S330）通过将金属层的一部分暴露于加热源来形成石墨烯种子层; （S340）在一个方向上从石墨烯种子层形成石墨烯层
-
公开(公告)号：KR101308120B1
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：KR1020120010384
申请日：2012-02-01
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: C01B31/02 , B01J23/755 , B01J23/46 , G02B6/32
Abstract: 성장 방향이 제어된 그래핀의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀의 제조 방법은, 기판 상에 그래파이트화 촉매층을 형성하는 단계; 그래파이트화 촉매층 상에 기상 탄소 공급원을 공급하는 단계; 열원 발생 장치로부터 빛을 집속시켜서 열원을 형성하는 단계; 그래파이트화 촉매층의 일부를 열원에 노출시켜서 그래핀 시드층을 형성시키는 단계; 및 그래핀 시드층으로부터 일 방향으로 그래핀층을 형성하는 단계를 포함한다.
-
公开(公告)号：KR101737946B1
公开(公告)日：2017-05-19
申请号：KR1020160103476
申请日：2016-08-16
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G01N1/28 , G01N1/36 , H01L21/306 , H01L21/205 , H01L21/66 , H01L21/033
CPC classification number: G01N1/28 , G01N1/36 , H01L21/033 , H01L21/205 , H01L21/306 , H01L29/16
Abstract: 본발명은박막물성측정및 분석용시료제작방법및 이에의해제작된시료에관한것으로, 보다상세하게는하나의시료에서여러가지물성을측정하거나분석할수 있는시료를제작하는방법및 이에의해제작된시료에관한것이다. 본발명에따른박막물성측정및 분석용시료제작방법은기판의전면에절연물질로이루어진제1층을형성하고, 기판의후면에제2층을형성하고, 제2층을패터닝하고, 패터닝된제2층을마스크로이용하여기판의후면을식각하여기판의전면과후면을관통하는관통공을형성함으로써제1층의기판과대향하는면의일부를하나이상노출시키고, 기판의후면을통하여제1층의노출된부분을일부식각하고, 그리고제1층의기판과대향하는면의반대면상에대상박막을형성한다.
-
公开(公告)号：KR1020160139086A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：KR1020150072838
申请日：2015-05-26
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은전자소자및 그제조방법을제공한다. 본발명의실시예에따른전자소자의제조방법은, 촉매금속층상에그래핀층을형성하는단계, 그래핀층의적어도일부를덮는스터핑층을형성하는단계, 그래핀층상에캐리어층을형성하는단계, 그래핀층의하면으로부터촉매금속층을제거하는단계, 및그래핀층을기판상에전사하는단계를포함한다.
Abstract translation: 提供电子元件及其制造方法。 根据本发明的实施例的电子元件的制造方法包括以下步骤：在催化金属层上形成石墨烯层; 形成覆盖所述石墨烯层的至少一部分的填充层; 在所述石墨烯层上形成载体层; 从石墨烯层的下表面去除催化金属层; 并将石墨烯层转移到基底上。
-
公开(公告)号：KR1020160124958A
公开(公告)日：2016-10-31
申请号：KR1020150055213
申请日：2015-04-20
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은반도체소자및 그제조방법을제공한다. 본발명의실시예에따른반도체소자는, 그래핀층및 그래핀층의적어도일부영역상에위치하는스터핑(stuffing)층을포함하는확산방지층, 및확산방지층상의도전층을포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。 根据本发明的一个实施例的半导体器件包括：抗扩散层，包括石墨烯层和位于石墨烯层的至少部分区域上的填充层; 和抗扩散层上的导电层。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.017 seconds)
