비휘발성 메모리 소자 및 이의 구동 방법
    6.
    发明公开
    비휘발성 메모리 소자 및 이의 구동 방법 审中-实审
    非易失性存储器件及其驱动方法

    公开(公告)号:KR1020160108837A

    公开(公告)日:2016-09-21

    申请号:KR1020150032112

    申请日:2015-03-07

    Abstract: 본발명은비휘발성메모리소자및 이의구동방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른비휘발성메모리소자는, 복수의메모리셀들로서, 각메모리셀이채널층, 제 1 절연막을사이에두고상기채널층상에배치되는전하트랩저장막, 및제 2 절연막을사이에두고상기전하트랩저장막상에배치되는제어전극을포함하며, 상기전하트랩저장막은상기복수의메모리셀들로확장되고상기제어전극하부에각각배치되는프로그램영역및 상기제어전극과상기제어전극에인접하는다른제어전극사이에서상기프로그램영역에이웃하는전하확산방지영역을포함하는복수의메모리셀들; 및상기프로그램영역에저장된프로그램전하와동일한극성의전하로상기전하확산방지영역을하전시켜상기전하확산방지영역에전위장벽을형성하는제어회로를포함한다.

    Abstract translation: 本发明涉及通过确保优异的数据保存特性而提高可靠性的非易失性存储器件及其驱动方法。 根据本发明的实施例的非易失性存储器件包括多个存储单元和控制电路。 每个存储单元包括:通道层; 电荷陷阱存储层,其设置在所述沟道层上,其间具有第一绝缘层; 以及控制电极,设置在所述电荷捕获器存储层上,其间具有第二绝缘层,其中所述电荷陷阱存储层延伸到所述存储单元,并且包括:设置在所述控制电极下方的程序区域; 以及与控制电极和与控制电极相邻的另一个控制电极之间的程序区域相邻的电荷扩散阻挡区域。 控制电路通过以与存储在程序区域中的程序电荷具有相同极性的电荷来对电荷扩散阻挡区域充电来在电荷扩散阻挡区域中形成势垒。

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