산화된 나노탄소 기반의 투명 전도성 필름의 제조방법
    1.
    发明公开
    산화된 나노탄소 기반의 투명 전도성 필름의 제조방법 无效
    基于氧化纳米碳制造透明导电膜的方法

    公开(公告)号:KR1020160024245A

    公开(公告)日:2016-03-04

    申请号:KR1020140110840

    申请日:2014-08-25

    Inventor: 박종래 성세진

    CPC classification number: H01B1/14 H01B1/04 H01B5/00 H01B5/14

    Abstract: 산화된나노탄소기반의투명전도성필름의제조방법이제공된다. 본발명의일 실시예에따른산화된나노탄소기반의투명전도성필름의제조방법은, 나노탄소를산화제와혼합하여산화나노탄소를제공하는단계, 상기산화나노탄소를용매와혼합하여분산액을제공하는단계, 상기분산액에서상기용매를제거하고건조시켜나노탄소필름을제조하는단계, 및상기나노탄소필름을염기성세척액으로세척하는단계를포함한다.

    Abstract translation: 提供一种基于氧化纳米碳的透明导电膜的制造方法。 根据本发明的实施方案,基于氧化纳米碳的透明导电膜的制造方法包括以下步骤:通过将纳米碳与氧化剂混合来提供氧化的纳米碳; 通过将氧化的纳米碳与溶剂混合来提供分散体; 通过从分散体中除去溶剂并干燥分散体来制造纳米碳膜; 并用碱性清洗液清洗纳米碳膜。 本发明的制造方法可以通过改变纳米碳的表面而不向表面引入特定的官能团或使用表面活性剂来改善基于氧化的纳米碳的透明导电膜的分散性。

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