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公开(公告)号：KR101751977B1
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：KR1020150151713
申请日：2015-10-30
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/06 , H01L21/768 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L21/56
CPC classification number: H01L21/385 , H01L21/02568 , H01L21/0259 , H01L21/2255 , H01L21/268 , H01L21/428 , H01L21/477 , H01L29/0657 , H01L29/1606 , H01L29/24
Abstract: 본발명은 2차원반도체의도핑방법에관한것으로서, 본발명의일 실시예에따른발명은 2차원반도체의도핑방법은, 기판상에감광입자가포함된절연층을형성하는단계; 열처리공정을통해, 절연층에포함된감광입자를절연층의표면으로이동시키는단계; 절연층상에, 2차원반도체층을형성하는단계; 및절연층에포함된감광입자의흡수파장에대응하는빛을노광시켜, 2차원반도체층에포함된 2차원반도체물질을도핑시키는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150089841A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：KR1020140010889
申请日：2014-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/265 , H01L21/84
CPC classification number: H01L51/002 , H01L21/225 , H01L21/2253 , H01L21/76251 , H01L29/1606 , H01L29/24 , H01L51/0558
Abstract: 2차원반도체의도핑방법이개시된다. 개시된 2차원반도체의도핑방법은기판상에반도체층을형성하는단계와, 상기반도체층에이온을주입하는단계와, 상기반도체층상에 2차원반도체또는유기물반도체로이루어진도프층을형성하는단계와상기기판을열처리하여상기반도체층의상기이온을상기도프층으로확산시켜서상기도프층을도핑하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了掺杂二维半导体的方法。 掺杂二维半导体的方法包括在衬底上形成半导体层的步骤，将离子注入到半导体层中的步骤，在半导体层上形成由二维半导体或有机半导体制成的掺杂层的步骤，以及 通过加热衬底并将半导体层的离子扩散到掺杂层中，在掺杂层上进行掺杂过程的步骤。
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公开(公告)号：KR102256017B1
公开(公告)日：2021-05-24
申请号：KR1020140010889
申请日：2014-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/265 , H01L21/84
Abstract: 2차원반도체의도핑방법이개시된다. 개시된 2차원반도체의도핑방법은기판상에반도체층을형성하는단계와, 상기반도체층에이온을주입하는단계와, 상기반도체층상에 2차원반도체또는유기물반도체로이루어진도프층을형성하는단계와상기기판을열처리하여상기반도체층의상기이온을상기도프층으로확산시켜서상기도프층을도핑하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR102253452B1
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：KR1020180121014
申请日：2018-10-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: B41M5/382 , C08L101/00 , C08L83/04
Abstract: 본발명의일 실시예에따른반데르발스힘을이용한박막필름전사방법은 (a) 제1 표면에너지를갖는고분자기재를형성하는단계; (b) 제2 표면에너지를갖는중합체층을형성하는단계; (c) 고분자기재상에박막물질을박리하는단계; (d) 중합체층을이용하여고분자기재상에박리된박막물질을제1 기판에전사하는단계; 및 (e) 제1 기판에전사된박막물질을제2기판에전사하는단계를포함하되, 제1 표면에너지보다제2 표면에너지가큰 것이다.
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公开(公告)号：KR1020170051896A
公开(公告)日：2017-05-12
申请号：KR1020150153559
申请日：2015-11-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은환원된산화그래핀의제조방법에관한것으로, 본발명의일 실시예에따른환원된산화그래핀의제조방법은산화그래핀수용액에감광입자를혼합하는단계; 및수용액속에포함된감광입자의흡수파장에대응하는빛을노광시켜, 산화그래핀을환원시키는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及生产还原氧化石墨烯的方法和生产还原氧化石墨烯的方法，其包括：在氧化石墨烯的水溶液中混合光刻胶颗粒; 并且曝光与包含在水溶液中的光敏颗粒的吸收波长相对应的光以还原氧化的石墨烯。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170050316A
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020150151713
申请日：2015-10-30
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/06 , H01L21/768 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L21/56
CPC classification number: H01L21/385 , H01L21/02568 , H01L21/0259 , H01L21/2255 , H01L21/268 , H01L21/428 , H01L21/477 , H01L29/0657 , H01L29/1606 , H01L29/24
Abstract: 본발명은 2차원반도체의도핑방법에관한것으로서, 본발명의일 실시예에따른발명은 2차원반도체의도핑방법은, 기판상에감광입자가포함된절연층을형성하는단계; 열처리공정을통해, 절연층에포함된감광입자를절연층의표면으로이동시키는단계; 절연층상에, 2차원반도체층을형성하는단계; 및절연층에포함된감광입자의흡수파장에대응하는빛을노광시켜, 2차원반도체층에포함된 2차원반도체물질을도핑시키는단계를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的掺杂二维半导体的方法和掺杂二维半导体的方法包括：在衬底上形成包含光敏颗粒的绝缘层; 通过热处理工艺将包含在绝缘层中的光敏颗粒移动到绝缘层的表面; 在绝缘层上形成二维半导体层; 并且使与包含在绝缘层中的光敏粒子的吸收波长对应的光曝光，从而掺杂包含在二维半导体层中的二维半导体材料。
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公开(公告)号：KR102257243B1
公开(公告)日：2021-05-27
申请号：KR1020140010721
申请日：2014-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/16 , H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 튜너블배리어를구비한그래핀트랜지스터가개시된다. 개시된그래핀트랜지스터는반도체기판상에배치된절연박막과, 상기절연박막상의그래핀층과, 상기그래핀층의일단부와연결된제1전극과, 상기그래핀층의타단부로부터이격되며상기반도체기판과접촉하는제2전극과, 상기그래핀층상의게이트전극을포함한다. 상기반도체기판및 상기그래핀층사이에튜너블에너지배리어가형성된다.
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公开(公告)号：KR101826052B1
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR1020160018873
申请日：2016-02-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L27/15 , H01L21/768 , H01L21/3213 , H01L21/28 , H01L33/36
CPC classification number: H01L31/072 , H01L31/0224 , H01L31/022466 , H01L31/028 , H01L31/1864 , H01L31/1884 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 2차원반도체를이용한전자소자의전극형성시, 기판상에 n형또는 p형으로도핑된 2차원반도체층을형성하고, 도핑된 2차원반도체층의제 1 영역및 제 2 영역을미리정해진패턴의형상대로패터닝하고, 패터닝된제 1 영역및 제 2 영역의상부에각각제 1 전극및 제 2 전극을형성한다.
Abstract translation: 在使用二维半导体形成用于电子器件的电极的情况下，在衬底上形成掺杂成n型或p型的二维半导体层，掺杂二维半导体的第一区域和第二区域 层被图案化为预定的图案形状，并且第一电极和第二电极分别形成在图案化的第一区域和第二区域上。
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公开(公告)号：KR101797145B1
公开(公告)日：2017-11-13
申请号：KR1020150153559
申请日：2015-11-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은환원된산화그래핀의제조방법에관한것으로, 본발명의일 실시예에따른환원된산화그래핀의제조방법은산화그래핀수용액에감광입자를혼합하는단계; 및수용액속에포함된감광입자의흡수파장에대응하는빛을노광시켜, 산화그래핀을환원시키는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170097300A
公开(公告)日：2017-08-28
申请号：KR1020160018873
申请日：2016-02-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L27/15 , H01L21/768 , H01L21/3213 , H01L21/28 , H01L33/36
CPC classification number: H01L31/072 , H01L31/0224 , H01L31/022466 , H01L31/028 , H01L31/1864 , H01L31/1884 , Y02E10/547
Abstract: 2차원반도체를이용한전자소자의전극형성시, 기판상에 n형또는 p형으로도핑된 2차원반도체층을형성하고, 도핑된 2차원반도체층의제 1 영역및 제 2 영역을미리정해진패턴의형상대로패터닝하고, 패터닝된제 1 영역및 제 2 영역의상부에각각제 1 전극및 제 2 전극을형성한다.
Abstract translation: 一种在衬底上形成掺杂有n型或p型的二维半导体层的方法，以预定图案形成掺杂二维半导体层的第一区域和第二区域 并且，第一电极和第二电极分别形成在图案化的第一区域和第二区域上。
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