公开(公告)号：KR102232756B1

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020140059966A

申请日：2014-05-19

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 신현진 ,  김상우 ,  이강혁 ,  박혜정 ,  조은비

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/267 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66015 ,  H01L31/028 ,  Y02E10/547

Abstract: 그래핀-반도체 멀티 접합을 갖는 전자소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 전자소자는 적어도 하나의 그래핀 돌기를 갖는 그래핀층과 이러한 그래핀층을 덮는 반도체층을 포함한다. 상기 그래핀 돌기의 측면은 비평면으로 멀티 에지(edge)를 가질 수 있는데, 상기 그래핀 돌기는 계단식 측면을 가질 수 있다. 상기 그래핀층은 복수의 나노 결정(nano-crystal) 그래핀을 포함한다. 상기 그래핀층은 복수의 나노 결정 그래핀을 포함하는 하부 그래핀층과 상기 하부 그래핀층 상에 형성된 상기 그래핀 돌기를 포함한다. 상기 반도체층은 전이금속 디켈코게나이드(Transition Metal Dichalcogenide)(TMDC)층을 포함할 수 있다. 상기 복수의 그래핀 돌기는 각각 복수의 나노 결정 그래핀을 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020150133088A

公开(公告)日：2015-11-27

申请号：KR1020140059966

申请日：2014-05-19

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 신현진 ,  김상우 ,  이강혁 ,  박혜정 ,  조은비

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/267 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66015 ,  H01L31/028 ,  Y02E10/547

Abstract: 그래핀-반도체멀티접합을갖는전자소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된전자소자는적어도하나의그래핀돌기를갖는그래핀층과이러한그래핀층을덮는반도체층을포함한다. 상기그래핀돌기의측면은비평면으로멀티에지(edge)를가질수 있는데, 상기그래핀돌기는계단식측면을가질수 있다. 상기그래핀층은복수의나노결정(nano-crystal) 그래핀을포함한다. 상기그래핀층은복수의나노결정그래핀을포함하는하부그래핀층과상기하부그래핀층상에형성된상기그래핀돌기를포함한다. 상기반도체층은전이금속디켈코게나이드(Transition Metal Dichalcogenide)(TMDC)층을포함할수 있다. 상기복수의그래핀돌기는각각복수의나노결정그래핀을포함할수 있다.

Abstract translation: 公开了具有石墨烯半导体多结的电子器件及其制造方法。 所公开的电子元件包括：具有至少一个石墨烯突起的石墨烯层; 以及覆盖石墨烯层的半导体层。 石墨烯突起的一侧不是平面的并且具有多边缘，并且石墨烯突起具有梯田侧。 石墨烯层包括多个纳米晶体石墨烯。 石墨烯层包括形成在下部石墨烯层上的石墨烯突起，该石墨烯层包括多个纳米晶体石墨烯。 半导体层包括过渡金属二硫族元素（TMDC）层。 每个石墨烯突起包括多个纳米晶体石墨烯。

公开(公告)号：KR101211947B1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：KR1020100118284

申请日：2010-11-25

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이강혁 ,  김상우 ,  반태호 ,  김성진

IPC: F24J2/04 ,  H01L35/00 ,  F24J2/34

CPC classification number: Y02E10/44

Abstract: 본발명은태양전지와열전소자를이용한온수가열기능을갖는발전시스템에관한것이다. 본발명은태양전지가표면에설치되고, 바닥면에대하여경사진방향으로설치되는열전달판과; 열전달판의상부에설치되는열전소자와; 열전달판의하면에설치되고, 내부에하부로부터냉각수가유입되는냉각판과; 냉각판의상부및 하부와각각연결되고, 냉각판으로유입되어가열된냉각수가유입되어열을전달하는축열탱크를포함한다. 이와같은본 발명에의하면, 태양전지의성능개선과열전소자의성능을증대시켜태양전지및 열전소자에의한전기생산의고효율을확보하고이때태양전지및 열전소자의냉각중에부가적으로얻어지는열로온수의확보가가능한효과가있다.

公开(公告)号：KR1020120088599A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：KR1020120009576

申请日：2012-01-31

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김상우 ,  이주혁 ,  이강혁 ,  이근영 ,  이진영 ,  승완철

IPC: H01L41/02 ,  H01L41/16 ,  H01L41/22

CPC classification number: H01L41/18 ,  B82Y30/00 ,  H01L41/113 ,  H01L41/29 ,  H01L41/312

Abstract: PURPOSE: A nano power generation element and a method for manufacturing thereof are provided to independently and consistently operate by using piezoelectric characteristics of a hexagonal boron nitride atomic layer. CONSTITUTION: A hexagonal boron nitride atomic layer(120) is formed on a base substrate(110). The hexagonal boron nitride atomic layer has a single layer structure combined with a nitrogen atom and a boron atom in a hexagon. The hexagonal boron nitride atomic layer has piezoelectric characteristics to convert from the physical energy to the electrical energy. A first electrode(130) is formed on the hexagonal boron nitride atomic layer. A second electrode(140) is separately formed with the first electrode.

Abstract translation: 目的：提供纳米发电元件及其制造方法，以通过使用六方氮化硼原子层的压电特性来独立且一致地操作。 构成：在基底基板（110）上形成六方氮化硼原子层（120）。 六方氮化硼原子层具有与氮原子和六角形中的硼原子结合的单层结构。 六方氮化硼原子层具有从物理能量转换为电能的压电特性。 在六方氮化硼原子层上形成第一电极（130）。 与第一电极分开形成第二电极（140）。

公开(公告)号：KR102026736B1

公开(公告)日：2019-11-04

申请号：KR1020130034789

申请日：2013-03-29

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 김상우 ,  이강혁

IPC: H01B17/62 ,  C01B32/182

公开(公告)号：KR1020160112245A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：KR1020150037562

申请日：2015-03-18

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김상우 ,  김태호 ,  이강혁

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14

Abstract: 본발명은도선및 반도체소자배선용나노카본재료및 육방정계질화붕소적층구조물에관한것이고, 또한도선및 반도체소자배선용나노카본재료및 육방정계질화붕소적층구조물의제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른도선및 반도체소자배선용나노카본재료및 육방정계질화붕소적층구조물을제조하는방법은, 기판상에나노카본재료를전사하는단계; 상기전사된나노카본재료상에패턴된전극을형성하는단계; 상기전사된나노카본재료를상기전극과연결시키기위한전자수송채널을형성하는단계; 및상기나노카본재료를보호하기위해육방정계질화붕소를전사하는단계를포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于斜拉丝和半导体器件线，六方氮化硼堆叠结构的纳米碳材料，以及制造用于斜拉线的纳米碳材料和半导体器件线以及六方氮化硼堆叠结构的方法。 根据本发明的一个实施例，该方法包括：在衬底上印刷纳米碳材料的步骤; 在印刷的纳米碳材料上形成图案化电极的步骤; 形成电子传输通道以将印刷的纳米碳材料与电极连接的步骤; 以及印刷六方氮化硼以保护纳米碳材料的步骤。

公开(公告)号：KR101537492B1

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：KR1020140190907

申请日：2014-12-26

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김상우 ,  이강혁 ,  유한준 ,  이주혁 ,  김태호

IPC: H01L29/80

CPC classification number: H01L29/80 ,  H01L29/808

Abstract: 본발명은강유전체를이용한 2차원구조물질의 p-n 접합형성방법과강유전체를이용하여 p-n 접합된 2차원구조물질에관한것이다. 본발명은양극성(ambipolar) 특성을갖는 2차원물질의정전기적도핑에있어기존의 2개의분리된게이트전극구조를통해지속적으로외부전압을유지해야하는종래기술에따른구조를개선하여음극/양극이서로교차되어정렬되어있는영역을포함하는강유전체기판을이용하여 p-n 접합구조를구현하고, 나아가굽힘가능하고투명한 p-n 접합기반전자소자를구현하고자한다.

Abstract translation: 本发明涉及使用铁电体物质形成二维结构材料的p-n结的方法和使用铁电物质的具有p-n结的二维结构材料。 本发明的目的是提供一种使用含铁电基板的pn结结构，该铁电基板包含阳极/阴极交叉排列的区域，通过改进根据现有技术的结构，其中外部电压应通过 两个分离的栅电极相对于具有双极特性的二维材料的静电掺杂的现有结构。 此外，本发明的目的是提供一种透明且可弯曲的基于p-n结的电子器件。

公开(公告)号：KR102232756B1

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020140059966

申请日：2014-05-19

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 신현진 ,  김상우 ,  이강혁 ,  박혜정 ,  조은비

IPC: H01L21/20

Abstract: 그래핀-반도체멀티접합을갖는전자소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된전자소자는적어도하나의그래핀돌기를갖는그래핀층과이러한그래핀층을덮는반도체층을포함한다. 상기그래핀돌기의측면은비평면으로멀티에지(edge)를가질수 있는데, 상기그래핀돌기는계단식측면을가질수 있다. 상기그래핀층은복수의나노결정(nano-crystal) 그래핀을포함한다. 상기그래핀층은복수의나노결정그래핀을포함하는하부그래핀층과상기하부그래핀층상에형성된상기그래핀돌기를포함한다. 상기반도체층은전이금속디켈코게나이드(Transition Metal Dichalcogenide)(TMDC)층을포함할수 있다. 상기복수의그래핀돌기는각각복수의나노결정그래핀을포함할수 있다.

公开(公告)号：KR101841365B1

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：KR1020160147978

申请日：2016-11-08

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김상우 ,  승완철 ,  윤홍준 ,  곽성수 ,  김동훈 ,  김태윤 ,  강민기 ,  이강혁 ,  김성균 ,  이정환 ,  김성수

IPC: G06F3/01 ,  H02N1/00 ,  H01L41/113 ,  H01L41/083 ,  H01L41/18

CPC classification number: G06F3/016 ,  G06F3/011 ,  G09B21/004 ,  H01L41/083 ,  H01L41/113 ,  H01L41/18 ,  H02N1/002

Abstract: 본발명은기존의가상현실, 증강현실장치에쓰일촉각피드백장치및 모방현실구축에관한것으로정전기력를이용한팁-어레이(Tip-array)형촉각피드백장치를제작하여이를통해기존에는시각에만국한되어있던가상현실을촉각과더불어질감까지느낄수 있는다차원감각을제공하고자한다.

Abstract translation: 本发明常规虚拟现实，如用于构建的触觉反馈装置和模拟现实在增强现实设备到虚拟和形成阵列（提示阵列）类型的触觉反馈装置，其被限制在过去被使用，通过该时间的提示jeongjeongiryeokreul 我想提供一个多维感觉，可以感受到触感的质感。

公开(公告)号：KR101685791B1

公开(公告)日：2016-12-13

申请号：KR1020150037562

申请日：2015-03-18

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김상우 ,  김태호 ,  이강혁

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14

Abstract: 본발명은도선및 반도체소자배선용나노카본재료및 육방정계질화붕소적층구조물에관한것이고, 또한도선및 반도체소자배선용나노카본재료및 육방정계질화붕소적층구조물의제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른도선및 반도체소자배선용나노카본재료및 육방정계질화붕소적층구조물을제조하는방법은, 기판상에나노카본재료를전사하는단계; 상기전사된나노카본재료상에패턴된전극을형성하는단계; 상기전사된나노카본재료를상기전극과연결시키기위한전자수송채널을형성하는단계; 및상기나노카본재료를보호하기위해육방정계질화붕소를전사하는단계를포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体元件的配线导体和纳米碳材料和六方氮化硼栈，还涉及一种制造半导体元件的配线导体的方法和纳米碳材料和六方氮化硼栈。 用于制造根据本发明的一个实施例的半导体元件的布线导体和纳米碳材料和六方氮化硼堆方法包括传送所述衬底上的纳米碳材料的工序; 在转移的纳米碳材料上形成图案化的电极; 形成用于将转移的纳米碳材料连接到电极的电子传输通道; 并转移六方氮化硼保护纳米碳材料。