Abstract:
본 발명은 경제적으로 저순도 망간 및 칼륨 함유물로부터 고순도 황산칼륨(K 2 SO 4 ), 고순도 망간화합물(황산망간일수화물(MnSO 4 ·H 2 O), 사산화삼망가니즈(Mn 3 O 4 ), EMM(Electronic Managese Metal)) 및 망간과 칼륨을 함유하는 비료중 적어도 어느 하나를 하나의 프로세스로 제조하는 방법에 대한 것이다. 즉, 본 발명은, 저순도 망간 및 칼륨 함유물로부터 고순도 황산칼륨, 고순도 망간 화합물, 비료 각각을 제조하는 방법에 대한 것이다. 또한, 저순도 망간 및 칼륨 함유물로부터 고순도 황산칼륨 및 고순도 망간 화합물을 동시에 하나의 프로세스로 제조하는 방법에 대한 것이다. 또한, 저순도 망간 및 칼륨 함유물로부터 고순도 황산칼륨 및 비료를 동시에 하나의 프로세스로 제조하는 방법에 대한 것이다.
Abstract:
본 발명은 망간함유 더스트로부터 고순도 사산화삼망가니즈를 제조하는 방법 및 이에 의하여 제조된 고순도 사산화삼망가니즈에 관한 것이다. 본 발명에 따른 제조방법은 망간 함유 더스트에 황산(H 2 SO 4 ) 및 환원제를 첨가하여 망간을 침출하는 단계와; 상기 침출단계에 의하여 획득한 망간침출액에 칼슘하이드록사이드(Ca(OH) 2 )를 첨가하여 제1불순물을 제거하는 단계와; 상기 제1불순물이 제거된 망간침출액에 황화물을 첨가하여 제2불순물을 제거하는 단계와; 상기 제2 불순물이 제거된 망간침출액에 수산화나트륨(NaOH)을 이용하여 pH조절을 수행하여 망간을 침전시키고 세척 및 건조를 수행하여는 단계와; 상기 건조된 시료에 공기를 주입하여 산화조건에서 열처리를 수행하여 고순도 사산화삼망가니즈를 수득하는 단계를 포함한다. 이에 의해 저순도 망간을 함유하는 더스트로부터 이차전지의 재료로 사용될 수 있는 사산화삼망가니즈를 고순도로 제조할 수 있다.