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公开(公告)号：WO2010147357A4
公开(公告)日：2010-12-23
申请号：PCT/KR2010/003828
申请日：2010-06-15
Abstract: 본 발명은 이종 기판, 그를 이용한 질화물계 반도체 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 이종 기판의 무극성 또는 반극성면에 결정 성장 모드를 조절하여 고품질의 무극성 또는 반극성 질화물층을 형성하기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 무극성 또는 반극성면 중에 하나를 갖는 베이스 기판을 준비하고, 준비된 베이스 기판의 면에 질화물계 결정성장핵층을 형성한다. 결정성장핵층 위에 제1 버퍼층을 성장시키되, 수평 방향에 비해서 수직 방향으로 더 빨리 성장시킨다. 제1 버퍼층 위에 수평성장층을 성장시키되, 수직 방향에 비해서 수평 방향으로 더 빨리 성장시킨다. 그리고 수평성장층 위에 제2 버퍼층을 성장시킨다. 이때 제1 버퍼층 위의 수평성장층과 제2 버퍼층 사이에 복수의 구멍을 갖는 질화실리콘층을 더 형성할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2010131889A3
公开(公告)日：2010-11-18
申请号：PCT/KR2010/002986
申请日：2010-05-11
IPC: H05B37/02
Abstract: 본 발명은 발광다이오드 구동 회로 및 구동 방법에 관한 것으로, 정전류원을 이용하여 발광다이오드를 구동시키는 과정에서 발생되는 전력 낭비와 다중 채널 구동 시 발생하는 채널 별 전류 편차를 최소화하기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 전원 공급 회로는 복수의 발광다이오드에 출력전압을 공급한다. 정전류원 회로는 특정 바이어스 전류 값을 이용하여 상기 부하 트랜지스터의 게이트를 제어함으로써 부하 트랜지스터의 드레인-소스 전류를 정전류값으로 복수의 발광다이오드에 입력하여 구동시킨다. 오차증폭기는 상기 부하 트랜지스터의 드레인-소스 전압과 기준 전압의 차이에 비례하는 전압 값을 출력한다. 그리고 오차증폭기의 출력 전압 값을 이용하여 펄스폭 변조 신호를 만들고 이러한 펄스폭 변조 신호를 이용하여 전원 공급 회로의 출력전압을 제어한다. 이때 오차증폭기는 부하 트랜지스터의 드레인-소스 전압을 전원 공급 회로로 피드백시켜 부하 트랜지스터가 포화영역에서 동작할 수 있는 최소 드레인-소스 전압이 부하 트랜지스터에 인가되도록 전원 공급 회로의 출력전압을 제어한다. 또한, 다수의 병렬 연결된 발광다이오드를 구동하기 위해서 하나의 정전류원 회로에 대해 다수의 부하 트랜지스터를 연결하여 다중 채널 발광다이오드 구동회로를 구현함으로써 각 채널 별 전류 편차를 최소화 할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2014007419A1
公开(公告)日：2014-01-09
申请号：PCT/KR2012/006253
申请日：2012-08-07
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/385
Abstract: 본 발명은 질화물계 반도체 발광 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 전극에서의 고농도의 도핑을 통하여 광출력을 향상시키기 위한 것이다. 본 발명에 따른 질화물계 반도체 발광 소자는 베이스 기판, 버퍼층, 도핑 보강층, p형 반도체층, 활성층, n형 반도체층, p형 전극 및 n형 전극을 포함한다. 질화물계의 버퍼층은 베이스 기판 위에 형성된다. 도핑 보강층은 버퍼층 위에 형성되며, 굴절율이 주기적으로 변하는 알루미늄을 함유하는 복수의 질화물층을 포함하고, 복수의 질화물층 중 적어도 연속되는 두 개의 질화물층이 노출되는 전극 형성부를 갖는다. 질화물계의 p형 반도체층은 적어도 도핑 보강층의 전극 형성부가 노출되게 도핑 보강층 위에 형성된 알루미늄을 함유한다. 질화물계의 활성층은 p형 반도체층 위에 형성된 알루미늄을 함유한다. 질화물계의 n형 반도체층은 활성층 위에 형성된 알루미늄을 함유한다. p형 전극은 전극 형성부 위에 형성된다. 그리고 n형 전극은 n형 반도체층 위에 형성된다.
Abstract translation: 氮化物半导体发光元件及其制造方法技术领域本发明涉及氮化物半导体发光元件及其制造方法。 本发明的目的是通过电极中的高密度掺杂来提高光功率。 根据本发明的氮化物半导体发光元件包括基底，缓冲层，掺杂增强层，p型半导体层，有源层，n型半导体层，p型电极 ，和n型电极。 在基底基板上形成氮化物基团的缓冲层。 掺杂增强层形成在缓冲层上，包括多个包含铝的氮化物层，其折射率周期性变化，并且具有电极形成部分，多个氮化物层中的至少两个连续的氮化物层通过该电极形成部分暴露 。 氮化物基团的p型半导体层包括形成在掺杂增强层上的铝，以至少露出掺杂增强层的电极形成部分。 氮化物基团的有源层包括在p型半导体层上形成的铝。 氮化物基团的n型半导体层包括在有源层上形成的铝。 p型电极形成在电极形成部分上。 n型电极形成在n型半导体层上。
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公开(公告)号：KR101363432B1
公开(公告)日：2014-02-18
申请号：KR1020110144256
申请日：2011-12-28
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 LED 칩 내부에서 방출 되는 빛이 기판 측으로 새어 나가 발생하는 빛의 손실을 최소화할 수 있는 질화물 반도체 발광소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자는, 베이스 기판; 상기 기판 상에 격자 구조로 형성되는 반사막 패턴; 상기 반사막 패턴 상에 형성되는 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 형성되는 pn 접합을 갖는 반도체층;을 포함하여 구성되므로, 반사막 패턴에 의해 반사 효율을 극대화시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020140004361A
公开(公告)日：2014-01-13
申请号：KR1020120071793
申请日：2012-07-02
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/0008 , H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/36 , H01L2924/12041 , H01L2933/0016
Abstract: The present invention relating to a nitride based semiconductor light emitting device having a superlattice structure enhances an optical power by enhancing resistance characteristics. In the nitride based semiconductor light emitting device including a p type electrode and an n type electrode, the p type electrode and the n type electrode are formed on a supperlattice layer including a plurality of nitride layers whose composition changes cyclically, the superlattice layer has an electrode forming part where at least two continuous nitride layers among the nitride layers are exposed, and either the p type electrode or the n type electrode is formed on the electrode forming part.
Abstract translation: 涉及具有超晶格结构的氮化物基半导体发光器件的本发明通过增强电阻特性来提高光功率。 在包括ap型电极和n型电极的氮化物基半导体发光器件中，p型电极和n型电极形成在包括其组成周期性变化的多个氮化物层的超晶格层上，超晶格层具有电极 形成部分，其中氮化物层中的至少两个连续的氮化物层被暴露，并且在电极形成部分上形成p型电极或n型电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101303589B1
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：KR1020120071804
申请日：2012-07-02
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/385
Abstract: PURPOSE: A nitride semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the same are provided to improve optical power by forming electrodes on a distributed bragg reflector (DBR) layer. CONSTITUTION: A buffer layer is formed on a base substrate. A doping enhancement layer (30) is formed on the buffer layer. The doping enhancement layer has an electrode formation part. A p-type electrode (70) is formed on the electrode formation part. An n-type electrode (80) is formed on an n-type semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供氮化物半导体发光器件及其制造方法，以通过在分布式布拉格反射器（DBR）层上形成电极来提高光功率。 构成：在基底基板上形成缓冲层。 在缓冲层上形成掺杂增强层（30）。 掺杂增强层具有电极形成部分。 在电极形成部上形成p型电极（70）。 n型电极（80）形成在n型半导体层上。
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公开(公告)号：KR1020130075931A
公开(公告)日：2013-07-08
申请号：KR1020110144256
申请日：2011-12-28
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/58 , H01L2924/12041 , H01L2933/0058
Abstract: PURPOSE: A nitride semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the same are provided to maximize reflection efficiency by using a distributed bragg reflector for reflecting light. CONSTITUTION: A reflection layer pattern (12) is formed on a substrate having a lattice structure. A buffer layer (13) is formed on the reflection layer pattern. A semiconductor layer (14,15,16) has a PN junction. The PN junction is formed on a buffer layer. A first refraction layer and a second refraction layer are alternately laminated.
Abstract translation: 目的：提供氮化物半导体发光器件及其制造方法，以通过使用用于反射光的分布式布拉格反射器来最大化反射效率。 构成：在具有格子结构的基板上形成反射层图案（12）。 在反射层图案上形成缓冲层（13）。 半导体层（14,15,16）具有PN结。 PN结形成在缓冲层上。 第一折射层和第二折射层交替层叠。
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公开(公告)号：KR101270578B1
公开(公告)日：2013-06-03
申请号：KR1020110045052
申请日：2011-05-13
Applicant: 전자부품연구원
IPC: F21V29/51 , F21V29/80 , F21V29/71 , F21Y101/02
Abstract: 본 발명은 발광다이오드(Light Emitting Diode; LED) 조명 장치 및 그의 냉각 장치에 관한 것으로, LED에서 발생되는 열을 유체의 상변화 현상을 이용하여 효과적으로 외부로 방출시킬 수 있는 LED 조명 장치 및 그의 냉각 장치를 제공하기 위한 것이다. 본 발명에 따른 LED 조명 장치의 냉각 장치는 방열 케이스, 파우더, 상변화 유체 및 히트 싱크를 포함한다. 방열 케이스는 전면에 LED가 실장된 기판의 후면에 형성되며, 기판의 후면을 포함하여 내부 공간을 형성한다. 파우더는 방열 케이스의 내부 공간에 전체적으로 채워진다. 상변화 유체는 방열 케이스의 내부 공간에 주입되어 파우더의 공극 사이에 분포되고, LED에서 발생되는 열에 의해 기화된다. 그리고 히트 싱크는 방열 케이스의 기판이 형성된 면과 반대쪽 외부 면에 형성되며, 방열 케이스에서 전달받은 열을 외부로 방출한다. 본 발명에 따른 LED 조명 장치는 적어도 하나의 LED와, 전면에 LED가 실장된 기판 및 LED가 실장된 영역을 덮도록 기판의 후면에 설치된 냉각 장치를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101189477B1
公开(公告)日：2012-10-15
申请号：KR1020100071033
申请日：2010-07-22
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: Y02A50/22
Abstract: 본 발명은 자외선 발광 다이오드(UVLED, Ultra Violet Light Emitting Diode)를 이용한 살균 기능을 가지는 공기청정기에 관한 것으로, 공기청정기에 자외선 발광 다이오드로 구성된 살균 모듈을 추가함으로서 가정 및 사무실내의 공기청정기, 공공기관, 공조시스템의 기계실, 자동차내 공조기 등 기타 에어클린이 필요한 공간에서 UV를 이용한 살균 기능을 이용할 수 있도록 하기 위한 것이다. 본 발명은 팬, 팬 케이스, 자외선 발광 다이오드 모듈 및 필터부를 포함한다. 상기 팬은 공급된 전원을 이용하여 일정 방향으로 회전함으로써 공기 유입 흐름을 생성한다. 상기 팬 케이스는 상기 팬이 안착되는 공간을 제공하며, 상기 자외선 발광 다이오드 모듈은 상기 팬 케이스의 내측면 중 적어도 일부 영역에 배치되어 자외선을 조사하고, 상기 필터부는 상기 팬 케이스의 개구면을 덮도록 배치된다. 이러한 본 발명의 공기청정기는 자외선 발광 다이오드 및 광촉매부를 이용한 살균 기능을 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101142520B1
公开(公告)日：2012-05-07
申请号：KR1020100031992
申请日：2010-04-07
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 자외선 발광 다이오드를 이용한 살균 기능을 가지는 진공청소기에 관한 것으로, 이러한 본 발명은 내부를 진공 상태로 만들어 외부의 공기와 함께 먼지 등을 흡입하여 청소하는 진공청소기에 자외선 발광 다이오드를 칩 형태로 제작한 살균 장치를 구비하여, 청소 대상물의 먼지의 청소와 함께 살균함으로써, 환경 문제, 살균의 효율 및 성능을 개선할 수 있는 살균 기능을 가지는 진공청소기를 제공한다.
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