公开(公告)号：KR1020120140485A

公开(公告)日：2012-12-31

申请号：KR1020110060243

申请日：2011-06-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송용원 ,  홍재민 ,  임정아 ,  김학성 ,  권성지

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02521 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/66742

Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal oxide pattern and a method for manufacturing a thin film transistor are provided to minimize damage to a substrate by sintering metal oxide ink using a white light short pulse under the atmosphere for milliseconds. CONSTITUTION: An ink composition including a metal oxide precursor or metal oxide nanoparticle and solvents is prepared. A pattern is formed on a substrate by discharging the ink composition on the substrate. The formed pattern is optically sintered. The metal oxide precursor has an ion form.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成金属氧化物图案的方法和薄膜晶体管的制造方法，以通过在大气中使用白光短脉冲烧结金属氧化物油墨几毫秒来最小化对基板的损坏。 构成：制备包含金属氧化物前体或金属氧化物纳米颗粒和溶剂的油墨组合物。 通过将油墨组合物排出到基板上，在基板上形成图案。 形成的图案是光学烧结的。 金属氧化物前体具有离子形式。

公开(公告)号：KR101275856B1

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：KR1020110060243

申请日：2011-06-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송용원 ,  홍재민 ,  임정아 ,  김학성 ,  권성지

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02521 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/7869

Abstract: 금속 산화물 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로, 적어도 하나의 금속 산화물 전구체 또는 금속 산화물 나노 입자; 및 용매를 포함하는 잉크 조성물을 준비하는 단계; 상기 잉크 조성물을 기판 상에 토출시켜 상기 기판 상에 패턴을 형성시키는 단계; 및 상기 형성된 패턴을 광소결하는 단계;를 포함하고, 상기 금속 산화물 전구체는 이온 형태인 것인 금속 산화물 패턴의 형성 방법을 제공할 수 있다.

Abstract translation: 公开了一种用于形成金属氧化物图案的方法和使用图案化金属氧化物制造薄膜晶体管的方法。 形成金属氧化物图案的方法包括：制备包含至少一种金属氧化物前体或金属氧化物纳米颗粒的油墨组合物和溶剂; 将油墨组合物喷射在基材上以在基材上形成图案; 并打印形成的图案。 这里，金属氧化物前体是离子型的。