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公开(公告)号:KR1020170035666A
公开(公告)日:2017-03-31
申请号:KR1020150134852
申请日:2015-09-23
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명에따르면, 나노와이어를핫엠보싱공정을통해고분자기재내에내재시킬수 있으며, 나노와이어의크기, 배열, 위치및 간격을정확히제어할수 있기때문에, 신뢰성및 재현성이우수하도록하이브리드필름을제조할수 있다. 또한, 단일공정및 간단한조작을통해손쉽게하이브리드필름을제조할수 있으므로, 포토디텍터(photodetector) 뿐만아니라 CTF 메모리를비롯한다양한반도체소자, 이미지센서, 발광다이오드및 레이저다이오드등 다양한분야에효과적으로사용할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明,通过热压印过程中,纳米线,和sikilsu在聚合物基材料中固有的,因为可以精确地控制纳米线的尺寸,布置,位置和间距,可以制备一种混合膜可靠性和可重复性,以yiwoosu。 此外,由于它可以很容易地在一个步骤和简单的操作制造杂化膜,所述光检测器(光检测器),以及能够有效地用于各种领域,例如各种半导体器件,图像传感器,发光二极管和激光二极管,包括CTF存储器。
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公开(公告)号:KR1020160144654A
公开(公告)日:2016-12-19
申请号:KR1020150081071
申请日:2015-06-09
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 본발명은금속-반도체-금속구조의나노선을포함함으로써, 추가적인필터없이도, 선택적으로자외선파장만을센싱할수 있으며, 자외선조사시매우안정적이고빠른광반응을나타낸다는효과를달성할수 있다. 또한, 본발명의모든공정은웨이퍼수준에서일괄공정방식에의해제작되도록하여저가, 대량생산이가능하도록하는효과를달성할수 있다.에관한것이다.
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公开(公告)号:KR101767254B1
公开(公告)日:2017-08-10
申请号:KR1020150134852
申请日:2015-09-23
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명에따르면, 나노와이어를핫엠보싱공정을통해고분자기재내에내재시킬수 있으며, 나노와이어의크기, 배열, 위치및 간격을정확히제어할수 있기때문에, 신뢰성및 재현성이우수하도록하이브리드필름을제조할수 있다. 또한, 단일공정및 간단한조작을통해손쉽게하이브리드필름을제조할수 있으므로, 포토디텍터(photodetector) 뿐만아니라 CTF 메모리를비롯한다양한반도체소자, 이미지센서, 발광다이오드및 레이저다이오드등 다양한분야에효과적으로사용할수 있다.
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