公开(公告)号：KR1020130085156A

公开(公告)日：2013-07-29

申请号：KR1020120006100

申请日：2012-01-19

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김정호 ,  공선규 ,  성하진 ,  조창현

IPC: H01L23/64

CPC classification number: H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311

Abstract: PURPOSE: An embedded toroid and a manufacturing method thereof and silicone interposer are provided to precisely measure flowing current by directly measuring an actual circumference of a through silicon via by surrounding thereof inside the silicone interposer. CONSTITUTION: Nearing through silicon vias (NTSV1~NTSV7) are arranged close to the circumference of a through silicon via. Far through silicon vias (FTSV1~FTSV7) are arranged close to the circumference of a through silicon via. Nearing through vias and far through silicon vias are serially connected to the upper wiring pattern (TWP1~TWP7) and bottom wiring pattern (BWP1~BWP6). A test socket (PORT1) is connected to the upper end of the through silicone via. A test socket (PORT2) is connected to the far through silicone via.

Abstract translation: 目的：提供嵌入式环形及其制造方法和硅树脂插入器，以通过在硅氧烷插入件内部包围硅直径来直接测量通过硅通孔的实际周长来精确地测量流动电流。 构成：通过硅通孔（NTSV1〜NTSV7）靠近硅通孔的圆周布置。 通过硅通孔（FTSV1〜FTSV7）远离硅通孔的圆周。 通过通孔和远远通过硅通孔的过程连接到上部布线图案（TWP1〜TWP7）和底部布线图案（BWP1〜BWP6）。 测试插座（PORT1）连接到硅胶通孔的上端。 测试插座（PORT2）连接到远端硅胶通孔。

公开(公告)号：KR101478625B1

公开(公告)日：2015-01-02

申请号：KR1020130060735

申请日：2013-05-29

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김정호 ,  공선규 ,  조창현

IPC: G01R1/067 ,  G01R19/00

Abstract: 전류 프로브는 제1 헬리칼 구조 도선 및 제2 헬리칼 구조 도선을 포함한다. 제1 헬리칼 구조 도선은 입력 전류를 전달 받는다. 제2 헬리칼 구조 도선은 제1 헬리칼 구조 도선과 대칭적으로 배치되어 제1 헬리칼 구조 도선 상의 입력 전류에 의해 유도되는 제1 자기장과 반대 방향으로 제2 자기장을 형성하여 제1 자기장을 상쇄시킨다. 제1 자기장에 의하여 제2 헬리칼 구조 도선에 유도되는 유도 전압 노드의 전압에 기초하여 입력 전류를 측정한다. 제안된 전류 프로브를 사용하면 일반적으로 사용되는 커런트 프로브에서와 같이 기생 저항이나 기생 인덕턴스가 발생하지 않으므로 3차원 집적 회로에서의 전류 측정의 정확도를 높일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020140140221A

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：KR1020130060735

申请日：2013-05-29

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김정호 ,  공선규 ,  조창현

IPC: G01R1/067 ,  G01R19/00

Abstract: 전류 프로브는 제1 헬리칼 구조 도선 및 제2 헬리칼 구조 도선을 포함한다. 제1 헬리칼 구조 도선은 입력 전류를 전달 받는다. 제2 헬리칼 구조 도선은 제1 헬리칼 구조 도선과 대칭적으로 배치되어 제1 헬리칼 구조 도선 상의 입력 전류에 의해 유도되는 제1 자기장과 반대 방향으로 제2 자기장을 형성하여 제1 자기장을 상쇄시킨다. 제1 자기장에 의하여 제2 헬리칼 구조 도선에 유도되는 유도 전압 노드의 전압에 기초하여 입력 전류를 측정한다. 제안된 전류 프로브를 사용하면 일반적으로 사용되는 커런트 프로브에서와 같이 기생 저항이나 기생 인덕턴스가 발생하지 않으므로 3차원 집적 회로에서의 전류 측정의 정확도를 높일 수 있다.

Abstract translation: 电流探头包括第一螺旋形导线和第二螺旋形导线。 第一螺旋形导线接收输入电流。 所述第二螺旋状导线被布置为相对于所述第一螺旋形导线对称，并且沿与所述第一螺旋形导线上的所述第一螺旋形导线的输入电流感应的第一磁场的方向相反的方向产生第二磁场 导线取消第一磁场。 输入电流根据由第一磁场在第二螺旋形导线中感应的感应电压节点上的电压来测量。 通过使用所提出的电流探针，可以抑制在通常使用的电流探针中感应的寄生电阻或寄生电感，从而提高三维集成电路中的电流测量精度。