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公开(公告)号：KR101566949B1
公开(公告)日：2015-11-13
申请号：KR1020140080707
申请日：2014-06-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0002 , G11C7/20 , G11C13/0021
Abstract: 저항변화메모리의장점인높은집적도와빠른읽기/쓰기를그대로유지하고저항변화전압값의편차를이용하는가변구조형 PUF 장치및 그의동작방법을제시한다. 제시된가변구조형 PUF 장치는저항변화메모리단위셀이어레이되어있는저항변화메모리어레이, 및제 1 가변구조명령을근거로저항변화메모리단위셀을 HRS 저항상태로초기화시킨후 셋전압을인가하고제 2 가변구조명령을근거로저항변화메모리단위셀을 LRS 저항상태로초기화시킨후 리셋전압을인가하는저항변화메모리컨트롤러를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种可重新配置的物理不可克隆功能（PUF）装置，其保持快速读/写和高积分，这是可变电阻存储器的优点并且使用可变电阻电压值的偏差及其操作方法。 可重构PUF装置包括可变电阻存储单元单元布置的可变电阻存储器阵列，以及可变电阻存储器控制器，其基于第一可重构结构命令来初始化具有高电阻状态（HRS）电阻状态的可变电阻存储单元单元 以基于第二可重构结构命令来初始化具有低电阻状态（LRS）电阻状态的可变电阻存储单元单元以施加复位电压。
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公开(公告)号：KR101765209B1
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：KR1020160068866
申请日：2016-06-02
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G06F21/575 , G06F21/602 , G06F21/64 , G06F2211/007
Abstract: 안전부팅장치및 방법이개시된다. 본발명에따른안전부팅장치는, 기본부팅절차를수행한후, 제1 부팅절차수행여부를결정하는안전부팅판단부, 상기제1 부팅절차를수행하는것으로결정된경우, 외부로부터입력된응용프로그램을재암호화하여플래시메모리에저장하는상기제1 부팅절차를수행하는제1 부팅수행부, 그리고상기제1 부팅절차수행후, 상기플래시메모리에저장된상기응용프로그램을복호화하는제2 부팅절차를수행하는제2 부팅수행부를포함한다.
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公开(公告)号：KR101593166B1
公开(公告)日：2016-02-15
申请号：KR1020140066709
申请日：2014-06-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G06F21/70
CPC classification number: G06F11/079 , G06F11/0745 , G06F11/0751 , G11C11/41 , G11C29/08 , G11C29/44 , G11C29/52 , G11C29/56008
Abstract: 본발명은 SRAM(static random access memory) 기반의물리적복제방지함수의비트오류를방지하는장치및 그방법에관한것이다. 물리적복제방지함수의오류를방지하는방법은휘발성메모리소자를기반으로하는물리적복제방지함수에서임의의값을입력값으로선택하고, 선택한입력값에대응하는응답을확인하는단계, 응답에해당하는복수개의비트를가지는셀을오류빈도에따라구분하는단계, 구분한결과중 오류가발생하지않는화이트셀의개수를계산하는단계및 화이트셀의개수가이전에설정한화이트셀의문턱개수보다많은지확인하고, 확인한결과를토대로물리적복제방지함수의입력값을선택하는단계를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019930001162B1
公开(公告)日：1993-02-19
申请号：KR1019890020668
申请日：1989-12-30
IPC: H04M3/22
Abstract: The method displays system alarm data transmitted from a central control maintenance processor (CCMP) utilizing a one-chip microcomputer. The method comprises the steps of: (A) initializing a TDX-10 alarm driver and driving an alarm lamp and an alarm speaker according to received alarm data; (B) checking driven state so that a counterpart alarm driver is operated when a failure occurs in the current alarm driver; (C) transfering operating state for an operating state transfer request signal; (D) executing manual test process when a manual function test request signal is received; and (E) executing timer control routine to control alarm interval.
Abstract translation: 该方法显示利用单片机从中央控制维护处理器（CCMP）发送的系统报警数据。 该方法包括以下步骤：（A）根据接收到的报警数据初始化TDX-10报警驱动程序并驱动报警灯和报警扬声器; （B）检查驱动状态，使得在当前报警驱动器中发生故障时对方报警驱动器被操作; （C）为运行状态转移请求信号传送运行状态; （D）当接收到手动功能测试请求信号时执行手动测试过程; 和（E）执行定时器控制程序来控制报警间隔。
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公开(公告)号：KR101593164B1
公开(公告)日：2016-02-15
申请号：KR1020140080708
申请日：2014-06-30
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 저항변화메모리의장점인높은집적도와빠른읽기/쓰기를그대로유지하고저항변화전압값의편차를이용하는실 난수발생기및 이의동작방법을제시한다. 제시된실 난수발생기는저항변화메모리단위셀에의해난수를생성하는저항변화메모리어레이, 및저항변화메모리단위셀을제 1 저항상태로초기화시킨후 셋전압을인가하여저항변화메모리어레이에서난수를생성하게하거나저항변화메모리단위셀을제 2 저항상태로초기화시킨후 리셋전압을인가하여저항변화메모리어레이에서난수를생성하게하는저항변화메모리컨트롤러를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020160002027A
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：KR1020140080708
申请日：2014-06-30
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G11C13/0002 , G06F7/58 , G11C7/20 , G11C13/0021
Abstract: 저항변화메모리의장점인높은집적도와빠른읽기/쓰기를그대로유지하고저항변화전압값의편차를이용하는실 난수발생기및 이의동작방법을제시한다. 제시된실 난수발생기는저항변화메모리단위셀에의해난수를생성하는저항변화메모리어레이, 및저항변화메모리단위셀을제 1 저항상태로초기화시킨후 셋전압을인가하여저항변화메모리어레이에서난수를생성하게하거나저항변화메모리단위셀을제 2 저항상태로초기화시킨후 리셋전압을인가하여저항변화메모리어레이에서난수를생성하게하는저항변화메모리컨트롤러를포함한다.
Abstract translation: 提供了一种真正的随机数发生器及其操作方法。 真正的随机数发生器维持高集成密度和快速读/写速度，这是电阻随机存取存储器的优点，并且使用电阻变化电压值的偏差。 所提供的实数发生器包括：电阻随机存取存储器阵列，其根据电阻随机存取存储器的单位单元产生随机数; 以及电阻随机存取存储器控制器，其使电阻随机存取存储器阵列在将电阻随机存取存储单元单元初始化为第一电阻状态之后施加设定电压来产生随机数，或使电阻随机存取存储器阵列产生 通过在将电阻随机存取存储单元单元初始化为第二电阻状态之后施加复位电压的随机数。
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公开(公告)号：KR1020150138611A
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：KR1020140066709
申请日：2014-06-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G06F21/70
CPC classification number: G06F11/079 , G06F11/0745 , G06F11/0751 , G11C11/41 , G11C29/08 , G11C29/44 , G11C29/52 , G11C29/56008 , G06F21/70
Abstract: 본발명은 SRAM(static random access memory) 기반의물리적복제방지함수의비트오류를방지하는장치및 그방법에관한것이다. 물리적복제방지함수의오류를방지하는방법은휘발성메모리소자를기반으로하는물리적복제방지함수에서임의의값을입력값으로선택하고, 선택한입력값에대응하는응답을확인하는단계, 응답에해당하는복수개의비트를가지는셀을오류빈도에따라구분하는단계, 구분한결과중 오류가발생하지않는화이트셀의개수를계산하는단계및 화이트셀의개수가이전에설정한화이트셀의문턱개수보다많은지확인하고, 확인한결과를토대로물리적복제방지함수의입력값을선택하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种基于静态随机存取存储器（SRAM）来防止物理防复制功能中的位错误的装置和方法。 用于防止物理防止复制功能中的错误的方法包括以下步骤：基于易失性存储器件选择随机数作为物理防止复制功能的输入值，并检查对应于所选择的响应的响应 输入值 根据误差频率分离具有与响应相对应的多个比特的小区; 计算分离结果中没有错误的白细胞数; 并且检查白色单元的数量是否大于预先设置的白色单元的阈值数量，并且基于检查结果选择物理防止功能的另一个输入值。
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公开(公告)号：KR101521807B1
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：KR1020140006864
申请日：2014-01-20
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은버스데이터를획득할수 없는위치에서 PUF(Physically Unclonable Function)와연동하여버스데이터순서를변환하는데이터전송제어장치및 그방법에관한것이다. 데이터전송제어방법은주 처리장치로부터데이터를수신하는단계, 데이터에대응하는응답을 PUF로부터전달받는단계및 응답을기반으로데이터전송순서를제어하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于控制数据传输的装置和方法。 该装置在不能获得总线数据的位置处链接到物理上不可克隆的功能（PUF），然后改变总线数据的序列。 该方法包括以下步骤：从主处理器接收数据; 接收对应于来自PUF的数据的答案; 并根据答案控制数据传输顺序。
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