公开(公告)号：KR100779078B1

公开(公告)日：2007-11-27

申请号：KR1020060018509

申请日：2006-02-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김경현 ,  박래만 ,  허철 ,  김태엽 ,  신재헌 ,  조관식 ,  성건용

IPC: H01L33/22

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/10 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/34 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0091

Abstract: 본 발명의 실리콘 발광 소자는 하부에 하부 전극층이 형성된 기판과, 상기 기판 상에 형성되고 발광층에 캐리어를 공급하는 하부 도핑층과, 상기 하부 도핑층 상에 형성되고, 실리콘 반도체층에 실리콘 양자점이나 나노점을 갖고 발광 특성을 나타내는 발광층과, 상기 발광층 상에 형성되고 상기 발광층에 캐리어를 공급하는 상부 도핑층과, 상기 상부 도핑층 상에 형성된 상부 전극층을 포함한다. 더하여, 본 발명의 실리콘 발광 소자는 상기 상부 전극층 상에 형성된 전도성 또는 비전도성의 투명 비정질막의 표면 패턴이나, 상기 상부 전극층 및 상부 도핑층을 패터닝하여 마련된 상부 전극 패턴 및 상부 도핑 패턴이나, 상기 표면 패턴, 상부 전극 패턴 및 상부 도핑 패턴을 표면 구조물로 이용하여 기하광학적으로 상기 발광층으로부터 방출되는 빛의 방출 효율을 향상시킨다.

公开(公告)号：KR1020070060970A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020060018509

申请日：2006-02-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김경현 ,  박래만 ,  허철 ,  김태엽 ,  신재헌 ,  조관식 ,  성건용

IPC: H01L33/22

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/10 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/34 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0091

Abstract: A silicon-based light emitting diode for enhancing light extraction efficiency and its fabrication method are provided to reduce a manufacturing cost by using a silicon semiconductor as a base instead of a chemical compound semiconductor. A lower electrode layer(102) is formed on a lower surface of a substrate(100). A lower doping layer(104) is formed on the substrate to supply carriers to an emission layer(106). The emission layer is formed on the lower doping layer and includes a silicon quantum dot or a nano dot formed on a silicon semiconductor layer. An upper doping layer(108) is formed on the emission layer to supply the carriers to the emission layer. An upper electrode layer(110) is formed on the upper doping layer. A surface pattern(112a) is formed on the upper electrode layer.

Abstract translation: 提供了一种用于提高光提取效率的硅基发光二极管及其制造方法，以通过使用硅半导体作为基底而不是化学化合物半导体来降低制造成本。 在基板（100）的下表面上形成下电极层（102）。 在衬底上形成下掺杂层（104），以将载流子提供给发射层（106）。 发射层形成在下掺杂层上，并且包括形成在硅半导体层上的硅量子点或纳米点。 在发射层上形成上掺杂层（108），以将载流子提供给发射层。 在上掺杂层上形成上电极层（110）。 表面图案（112a）形成在上电极层上。

公开(公告)号：KR100833489B1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：KR1020060016665

申请日：2006-02-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 허철 ,  박래만 ,  신재헌 ,  김경현 ,  김태엽 ,  조관식 ,  성건용

IPC: H01L33/00 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01L33/34 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/18 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/774

Abstract: 본 발명은 빛을 발산하는 발광층, 상기 발광층에 형성된 정공 주입층, 상기 정공 주입층과 대향되도록 상기 발광층에 형성된 전자 주입층, 상기 전자 주입층에 형성된 금속 나노 점(nano dot)을 포함하는 금속층, 및 상기 금속층에 형성된 투명 전도성 전극을 포함하는 실리콘 나노 점을 이용한 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법을 개시한다. 상기 발광층으로 실리콘 나노 점을 포함하는 비정질의 실리콘 나이트라이드를 포함한다.
실리콘 나노 점, 반도체 발광 소자, 금속층, 투명 전도성 전극

公开(公告)号：KR1020070083377A

公开(公告)日：2007-08-24

申请号：KR1020060016665

申请日：2006-02-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 허철 ,  박래만 ,  신재헌 ,  김경현 ,  김태엽 ,  조관식 ,  성건용

IPC: H01L33/00 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01L33/34 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/18 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/774

Abstract: A semiconductor light emitting device using silicon nano dots is provided to improve contact force and an electrical characteristic between an electron injection layer and a transparent conductive electrode by forming a metal layer including a metal nano dot between the electron injection layer and the transparent conductive electrode. A light emitting layer(20) emits light. A hole injection layer(10) is formed in the light emitting layer. An electron injection layer(30) is formed in the light emitting layer to confront the hole injection layer. A metal layer(40) includes metal nano dots formed in the electron injection layer. A transparent conductive electrode(50) is formed in the metal layer. The light emitting layer can include an amorphous silicon nitride including silicon nano dots.

Abstract translation: 提供使用硅纳米点的半导体发光器件，通过在电子注入层和透明导电电极之间形成包括金属纳米点的金属层，来提高电子注入层和透明导电电极之间的接触力和电特性。 发光层（20）发光。 在发光层中形成空穴注入层（10）。 在发光层中形成电子注入层（30），以面对空穴注入层。 金属层（40）包括在电子注入层中形成的金属纳米点。 在金属层中形成透明导电电极（50）。 发光层可以包括包含硅纳米点的非晶氮化硅。