公开(公告)号：WO2011105836A2

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：PCT/KR2011/001304

申请日：2011-02-24

Applicant: 한국화학연구원 ,  김창해 ,  최강식 ,  유화성 ,  이정표 ,  채혜원 ,  문인모 ,  정우철

Inventor： 김창해 ,  최강식 ,  유화성 ,  이정표 ,  채혜원 ,  문인모 ,  정우철

IPC: C09K11/86 ,  C09K11/08

CPC classification number: C09K11/7734 ,  C09K11/7792 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 본 발명은 질화물계 형광체의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 유로피움을 활성제로 사용하고, 알칼리토금속과 규소를 주성으로 하는 실리케이트계 전구체를 원료물질로 사용하여 질화규소(Si 3 N 4 ) 단독 화합물 또는 질화규소(Si 3 N 4 )와 이산화규소(SiO 2 )의 혼합물과 소성시켜 질화물계 형광체를 제조하는 방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种制备氮化物系磷光体的方法，更具体地说，涉及一种使用铕作为活性剂制备氮化物系荧光体的方法，以及焙烧硅酸盐系前体，其以作为主要成分的碱土金属 和硅，其与单独的氮化硅（Si 3 N 4）化合物或氮化硅（Si 3 N 4）和二氧化硅（SiO 2）的混合物一起用作原料。

公开(公告)号：WO2012165906A2

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：PCT/KR2012/004354

申请日：2012-06-01

Applicant: 한국화학연구원 ,  김창해 ,  채혜원 ,  최강식 ,  이정표 ,  유화성

Inventor： 김창해 ,  채혜원 ,  최강식 ,  이정표 ,  유화성

IPC: C09K11/55 ,  C09K11/59 ,  C09K11/77 ,  H01L33/00

CPC classification number: H05B33/14 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7733

Abstract: 본 발명은 실리콘질화물계 형광체의 제조 방법, 할로질화물 적색 형광체, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 발광 소자에 관한 것에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 기존의 금속실리콘산질화물계 형광체에 탄소를 첨가하여 실리콘산질화물계 형광체를 제조하는 방법과, 알칼리토금속을 함유한 질화물계 모체에 유로피움을 활성제로 사용하고, 할로겐화 금속을 사용하여 제조되는 할로질화물 적색 형광체, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 발광 소자에 관한 것이다. 또한, 본 발명에 따른 실리콘질화물계 형광체의 제조 방법에 의하면 기존의 금속실리콘산질화물계 형광체를 이용하여 비교적 낮은 온도 및 상압 조건에서 물성이 우수한 실리콘질화물계 형광체를 제조할 수 있으며, 할로질화물 적색 형광체는 추가적인 열처리 과정을 거쳐 입자 크기가 적절하고 향상된 표면 물성을 갖는 할로질화물 적색 형광체를 제조하는 재료로 사용될 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种氮化硅荧光物质的制造方法，氮化镓红色荧光物质及其制造方法及其制造方法，更具体地说，涉及氮化硅荧光体的制造方法 在常规的金属氮氧化硅荧光物质中添加碳的物质，使用铕制造的卤素氮化物红色荧光物质作为活化剂和卤化金属，在含有碱土金属的氮化物系主体材料中 ，其制造方法和包含该方法的发光元件。 此外，根据本发明的氮化硅荧光体制造方法，通过使用常规的金属氮氧化物荧光物质，能够在相对低的温度和常压条件下制造具有优异性能的氮化硅荧光物质，并且氮化硅荧光物质 可以用作制造卤素氮化物红色荧光物质的材料，其经历额外的热处理工艺，因此具有适当尺寸的颗粒和改进的表面性质。

公开(公告)号：KR101389089B1

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：KR1020110058351

申请日：2011-06-16

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김창해 ,  최강식 ,  이정표 ,  유화성

IPC: C09K11/55 ,  C09K11/65 ,  H01L33/00

Abstract: 본 발명은 실리콘질화물계 형광체의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 기존의 금속실리콘산질화물계 형광체에 탄소를 첨가하여 실리콘산질화물계 형광체를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 실리콘질화물계 형광체의 제조 방법에 의하면 기존의 금속실리콘산질화물계 형광체를 이용하여 비교적 낮은 온도 및 상압 조건에서 물성이 우수한 실리콘질화물계 형광체를 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020110097735A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：KR1020110017381

申请日：2011-02-25

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김창해 ,  최강식 ,  유화성 ,  이정표 ,  채혜원 ,  문인모 ,  정우철

IPC: C09K11/59 ,  H01L33/00

CPC classification number: C09K11/7734 ,  C09K11/7792 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 본 발명은 질화물계 형광체의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 유로피움을 활성제로 사용하고, 알칼리토금속과 규소를 주성으로 하는 실리케이트계 전구체를 원료물질로 사용하여 질화규소(Si
3 N
4 ) 단독 화합물 또는 질화규소(Si
3 N
4 )와 이산화규소(SiO
2 )의 혼합물과 소성시켜 질화물계 형광체를 제조하는 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020130000010A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：KR1020110058351

申请日：2011-06-16

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김창해 ,  최강식 ,  이정표 ,  유화성

IPC: C09K11/55 ,  C09K11/65 ,  H01L33/00

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a silicon-nitride-based phosphor is provided to manufacture a silicon-nitride-based phosphor at relatively low temperatures and atmospheric condition by using existing metal silicon nitride-based phosphor. CONSTITUTION: A manufacturing method of a silicon-nitride-based phosphor comprises: a step for manufacturing a metal silicon nitride phosphor; a step for weighing the metal silicon nitride phosphor, an alkali-metal precursor, an alkali earth metal precursor, transition metal or lanthanum metal precursor of which the oxidation number is +3, an europium precursor, a silicon precursor, carbon and solvent to form a mixture; a step for drying the mixture; and a step for sintering the dried mixture in a mixed gas atmosphere of hydrogen and nitrogen. [Reference numerals] (AA) Embodiment 4; (BB) Embodiment 7; (CC) Embodiment 18; (DD) Embodiment 24; (EE) Embodiment 25; (FF) Embodiment 29; (GG) Embodiment 126

Abstract translation: 目的：提供一种氮化硅系荧光体的制造方法，通过使用现有的金属氮化硅系荧光体，在较低温度和大气条件下制造氮化硅系荧光体。 构成：氮化硅系荧光体的制造方法包括：制造金属氮化硅荧光体的工序; 称量金属氮化硅荧光体，碱金属前体，碱土金属前体，过渡金属或镧金属前体的氧化数为+3的步骤，铕前体，硅前体，碳和溶剂形成 混合物; 干燥混合物的步骤; 以及在氢气和氮气的混合气体气氛中烧结干燥的混合物的步骤。 （附图标记）（AA）实施例4; （BB）实施例7; （CC）实施例18; （DD）实施例24; （EE）实施例25; （FF）实施例29; （GG）实施例126

公开(公告)号：KR101196847B1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：KR1020110017381

申请日：2011-02-25

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김창해 ,  최강식 ,  유화성 ,  이정표 ,  채혜원 ,  문인모 ,  정우철

IPC: C09K11/59 ,  H01L33/00

CPC classification number: C09K11/7734 ,  C09K11/7792 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 본 발명은 질화물계 형광체의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 유로피움을 활성제로 사용하고, 알칼리토금속과 규소를 주성으로 하는 실리케이트계 전구체를 원료물질로 사용하여 질화규소(Si
3 N
4 ) 단독 화합물 또는 질화규소(Si
3 N
4 )와 이산화규소(SiO
2 )의 혼합물과 소성시켜 질화물계 형광체를 제조하는 방법에 관한 것이다.