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    Plasmonische Hochgeschwindigkeitsvorrichtungen zum Verbessern der Leistungsfähigkeit mikroelektronischer Vorrichtungen
    2.
    发明专利
    Plasmonische Hochgeschwindigkeitsvorrichtungen zum Verbessern der Leistungsfähigkeit mikroelektronischer Vorrichtungen 未知

    公开(公告)号：DE112008002737B4

    公开(公告)日：2015-05-21

    申请号：DE112008002737

    申请日：2008-10-15

    Applicant: HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO

    Inventor： WILLIAMS STANLEY R ,  FATTAL DAVID

    IPC: G02B6/10 ,  B82Y20/00 ,  H01P3/00

    Abstract: Eine photonische Vorrichtung (100), die Folgendes umfasst: eine dielektrische Schicht (104), die eine obere Oberfläche und eine untere Oberfläche aufweist, wobei die untere Oberfläche der dielektrischen Schicht auf der oberen Oberfläche eines Substrats (102) positioniert ist; und ein planares Nanodrahtnetzwerk (106), das zumindest einen Teil der oberen Oberfläche der dielektrischen Schicht bedeckt und dahin gehend konfiguriert ist, einfallende elektromagnetische Strahlung in Oberflächenplasmonen umzuwandeln, die die dielektrische Schicht durchdringen und in zumindest einen Teil des Substrats eindringen, wobei das planare Nanodrahtnetzwerk (106) eine Anzahl von radialen Nanodrähten (201–206), wobei sich jeder Nanodraht-Radialbalken ausgehend von einer Mittenregion des planaren Nanodrahtnetzwerks nach außen erstreckt, und eine Anzahl von quer verlaufenden Nanodrähten (207–212), wobei jeder Nanodraht-Querbalken zwei benachbarte Nanodraht-Radialbalken miteinander verbindet, aufweist.

    Mikroresonatorsysteme und Verfahren zum Herstellen derselben
    3.
    发明专利
    Mikroresonatorsysteme und Verfahren zum Herstellen derselben 未知

    公开(公告)号：DE112008002059B4

    公开(公告)日：2013-11-14

    申请号：DE112008002059

    申请日：2008-07-30

    Applicant: HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO

    Inventor： TAN MICHAEL ,  WANG SHIH-YUAN ,  STEWART DUNCAN ,  FATTAL DAVID

    IPC: H01S3/08 ,  H01S3/109

    Abstract: Ein Mikroresonatorsystem (200), das folgende Merkmale aufweist: ein Substrat (206) mit einer oberen Oberflächenschicht (204); zumindest einen Wellenleiter (214, 216), der in das Substrat (206) eingebettet und benachbart zu der oberen Oberflächenschicht des Substrats positioniert ist; und einen Mikroresonator mit einer oberen Schicht (218), einer Zwischenschicht (222), einer unteren Schicht (220), einer Peripherieregion und einer Peripheriebeschichtung (224), wobei die untere Schicht des Mikroresonators an der oberen Oberflächenschicht des Substrats angebracht ist und in elektrischer Kommunikation mit derselben steht, wobei der Mikroresonator so positioniert ist, dass zumindest ein Abschnitt der Peripherieregion oberhalb des zumindest einen Wellenleiters angeordnet ist, und die Peripheriebeschichtung zumindest einen Abschnitt der Peripherieoberfläche bedeckt und einen relativ niedrigeren Brechungsindex aufweist als die obere, die Zwischen- und die untere Schicht des Mikroresonators.

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