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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102681332A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210129722.8
申请日：2007-05-29
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供对于在基板上形成了成为转印图案的转印图案用薄膜和抗蚀剂膜的掩模基板能仅剥离抗蚀剂膜而再利用转印图案用薄膜和基板的抗蚀剂膜剥离方法、掩模基板的制造方法以及转印掩模的制造方法。其采用以下构成：对于在基板(11)上形成了遮光膜(12)以及曝光、显影前的抗蚀剂膜(14)的掩模基板(1)，当出现抗蚀剂膜(14)的膜厚不均大等不良现象时，或者因在掩模基板(1)的状态下长期保存而使抗蚀剂膜(14)的灵敏度发生变化时，进行使抗蚀剂膜(14)与臭氧水接触而将抗蚀剂膜(14)剥离的臭氧水处理。并且，再次形成抗蚀剂膜(14)，再利用基板(11)和遮光膜(12)。
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公开(公告)号：CN101443886B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200780017495.7
申请日：2007-05-29
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供对于在基板上形成了成为转印图案的转印图案用薄膜和抗蚀剂膜的掩模基板能仅剥离抗蚀剂膜而再利用转印图案用薄膜和基板的抗蚀剂膜剥离方法、掩模基板的制造方法以及转印掩模的制造方法。其采用以下构成：对于在基板(11)上形成了遮光膜(12)以及曝光、显影前的抗蚀剂膜(14)的掩模基板(1)，当出现抗蚀剂膜(14)的膜厚不均大等不良现象时，或者因在掩模基板(1)的状态下长期保存而使抗蚀剂膜(14)的灵敏度发生变化时，进行使抗蚀剂膜(14)与臭氧水接触而将抗蚀剂膜(14)剥离的臭氧水处理。并且，再次形成抗蚀剂膜(14)，再利用基板(11)和遮光膜(12)。
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公开(公告)号：CN102681332B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201210129722.8
申请日：2007-05-29
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供对于在基板上形成了成为转印图案的转印图案用薄膜和抗蚀剂膜的掩模基板能仅剥离抗蚀剂膜而再利用转印图案用薄膜和基板的抗蚀剂膜剥离方法、掩模基板的制造方法以及转印掩模的制造方法。其采用以下构成：对于在基板(11)上形成了遮光膜(12)以及曝光、显影前的抗蚀剂膜(14)的掩模基板(1)，当出现抗蚀剂膜(14)的膜厚不均大等不良现象时，或者因在掩模基板(1)的状态下长期保存而使抗蚀剂膜(14)的灵敏度发生变化时，进行使抗蚀剂膜(14)与臭氧水接触而将抗蚀剂膜(14)剥离的臭氧水处理。并且，再次形成抗蚀剂膜(14)，再利用基板(11)和遮光膜(12)。
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公开(公告)号：CN101443886A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200780017495.7
申请日：2007-05-29
Applicant: HOYA株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F1/08 , H01L21/304
Abstract: 本发明的目的在于提供对于在基板上形成了成为转印图案的转印图案用薄膜和抗蚀剂膜的掩模基板能仅剥离抗蚀剂膜而再利用转印图案用薄膜和基板的抗蚀剂膜剥离方法、掩模基板的制造方法以及转印掩模的制造方法。其采用以下构成：对于在基板(11)上形成了遮光膜(12)以及曝光、显影前的抗蚀剂膜(14)的掩模基板(1)，当出现抗蚀剂膜(14)的膜厚不均大等不良现象时，或者因在掩模基板(1)的状态下长期保存而使抗蚀剂膜(14)的灵敏度发生变化时，进行使抗蚀剂膜(14)与臭氧水接触而将抗蚀剂膜(14)剥离的臭氧水处理。并且，再次形成抗蚀剂膜(14)，再利用基板(11)和遮光膜(12)。
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公开(公告)号：WO2007138747A1
公开(公告)日：2007-12-06
申请号：PCT/JP2007/000573
申请日：2007-05-29
IPC: H01L21/027 , G03F1/08 , H01L21/304
Abstract: 基板上に転写パターンとなる転写パターン用薄膜とレジスト膜が形成されたマスクブランクスにおいて、レジスト膜のみを剥離して転写パターン用薄膜と基板とを再利用可能とするレジスト膜剥離方法、マスクブランクスの製造方法、および転写マスクの製造方法を提供することを目的に以下の構成を採用する。基板(１１)上に遮光膜(１２)、および露光、現像前のレジスト膜(１４)が形成されたマスクブランクス(１)において、レジスト膜(１４)に膜厚むらが大きいなどの不具合が発生した場合、あるいは、マスクブランクス(１)の状態で長期間保存しておいたためレジスト膜(１４)の感度が変化した場合には、レジスト膜(１４)をオゾン水と接触させてレジスト膜(１４)を剥離するオゾン水処理を行う。そして、再度、レジスト膜(１４)を形成して、基板(１１)および遮光膜(１２)を再利用する。
Abstract translation: 提供一种抗蚀剂膜剥离方法，其中使用具有作为转印图案的转印图案薄膜和形成在基板上的抗蚀剂膜的掩模坯料，并且允许转印图案薄膜和基板通过仅剥离 抗蚀膜。 还提供了掩模空白制造方法和转印掩模制造方法。 在掩模坯料（1）中，在基板（11）上形成曝光和显影之前的遮光膜（12）和抗蚀剂膜（14）。 当产生抗蚀剂膜（14）厚度不均匀的问题时，或者由于在掩模坯料（1）的状态下由于长期保存而改变抗蚀剂膜（14）的灵敏度时，进行臭氧水处理 通过使抗蚀剂膜（14）与臭氧水接触来剥离抗蚀剂膜（14）。 然后，再次形成抗蚀膜（14），再次使用基板（11）和遮光膜（12）。
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