公开(公告)号：CN101523983B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200780038254.0

申请日：2007-09-28

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 折田政宽 ,  成岛隆 ,  柳田裕昭

IPC: H05B33/28 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/26

CPC classification number: H05B33/26 ,  H01L51/5206

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种在与空穴注入层之间得到能带匹配，适合在玻璃衬底及聚合物衬底上能形成阳极电极的p型半导体材料及半导体元件，对于p型半导体材料，其特征在于，在包含Zn和Se的化合物中含有1×1018～5×1020cm-3的Ag，对于半导体元件，其特征在于，具备衬底、和位于该衬底上且具有上述任一种p型半导体材料的p型电极层。

公开(公告)号：CN101523983A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780038254.0

申请日：2007-09-28

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 折田政宽 ,  成岛隆 ,  柳田裕昭

IPC: H05B33/28 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/26

CPC classification number: H05B33/26 ,  H01L51/5206

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种在与空穴注入层之间得到能带匹配，适合在玻璃衬底及聚合物衬底上能形成阳极电极的p型半导体材料及半导体元件，对于p型半导体材料，其特征在于，在包含Zn和Se的化合物中含有1×1018～5×1020cm－3的Ag，对于半导体元件，其特征在于，具备衬底、和位于该衬底上且具有上述任一种p型半导体材料的p型电极层。