公开(公告)号：WO1991003066A1

公开(公告)日：1991-03-07

申请号：PCT/US1990002184

申请日：1990-04-23

Applicant: HUGHES AIRCRAFT COMPANY

Inventor： HUGHES AIRCRAFT COMPANY ,  BARDAI, Zaher ,  ROLPH, Randy, K. ,  LAMB, Arlene, E. ,  LONGO, Robert, T. ,  MANOLY, Arthur, E. ,  FORMAN, Ralph

IPC: H01J09/02

CPC classification number: H01J9/025

Abstract: Conical field emitter elements (12) are formed on a surface of a substrate (11) after which a layer of metal (20) is deposited on top of the substrate surface (11) and over the field emitter elements (12). A layer of oxide (13) is then deposited over the metal layer (20). Another layer of metal (14) is deposited over the layer of oxide (13) to form a gate metal layer (14). A layer of photoresist (15) is then deposited over the gate metal layer (14). The layer of photoresist (15) is then plasma etched in an oxygen atmosphere to cause portions of the photoresist (15) above respective field emitter elements (12) to be removed and provide self-aligned holes in the photoresist (15) over each of the field emitter elements (12). The size of the holes may be controlled by appropriately controlling process parameter, including plasma etching time and power and/or initial photoresist thickness. The exposed gate metal layer (14) is etched using the layer of photoresist (15) as a mask. The photoresist layer (15) is removed, and the layer of oxide (13) is etched to expose the field emitter elements (12). Another oxide layer (17) and an anode metal layer (18) also may be formed over the gate metal layer (14) to produce a self-aligned triode structure.

公开(公告)号：EP0438544B1

公开(公告)日：1995-01-25

申请号：EP90907546.7

申请日：1990-04-23

Applicant: Hughes Aircraft Company

Inventor： BARDAI, Zaher ,  ROLPH, Randy, K. ,  LAMB, Arlene, E. ,  LONGO, Robert, T. ,  MANOLY, Arthur, E. ,  FORMAN, Ralph

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025

Abstract: Conical field emitter elements (12) are formed on a surface of a substrate (11) after which a layer of metal (20) is deposited on top of the substrate surface (11) and over the field emitter elements (12). A layer of oxide (13) is then deposited over the metal layer (20). Another layer of metal (14) is deposited over the layer of oxide (13) to form a gate metal layer (14). A layer of photoresist (15) is then deposited over the gate metal layer (14). The layer of photoresist (15) is then plasma etched in an oxygen atmosphere to cause portions of the photoresist (15) above respective field emitter elements (12) to be removed and provide self-aligned holes in the photoresist (15) over each of the field emitter elements (12). The size of the holes may be controlled by appropriately controlling process parameter, including plasma etching time and power and/or initial photoresist thickness. The exposed gate metal layer (14) is etched using the layer of photoresist (15) as a mask. The photoresist layer (15) is removed, and the layer of oxide (13) is etched to expose the field emitter elements (12). Another oxide layer (17) and an anode metal layer (18) also may be formed over the gate metal layer (14) to produce a self-aligned triode structure.

公开(公告)号：EP0438544A1

公开(公告)日：1991-07-31

申请号：EP90907546.0

申请日：1990-04-23

Applicant: HUGHES AIRCRAFT COMPANY

Inventor： BARDAI, Zaher ,  ROLPH, Randy, K. ,  LAMB, Arlene, E. ,  LONGO, Robert, T. ,  MANOLY, Arthur, E. ,  FORMAN, Ralph

IPC: H01J9

CPC classification number: H01J9/025

Abstract: Des éléments émetteurs de champs coniques (12) sont formés sur la surface d'un substrat (11), après quoi une couche métallique (20) est déposée sur la surface du substrat (11) et au-dessus des éléments émetteurs de champs (12). Une couche d'oxyde (13) est ensuite déposée au-dessus de la couche métallique (20). Une autre couche métallique (14) est déposée sur la couche d'oxyde (13) pour former une couche métallique de porte (14). Une couche de photoréserve (15) est ensuite déposée sur la couche métallique de porte (14). La couche de photoréserve (15) est ensuite gravée au plasma dans une atmosphère d'oxygène afin de provoquer l'élimination de parties de la photoréserve (15) au-dessus des éléments émetteurs respectifs (12) et de former des trous auto-alignés dans la photoréserve (15) au-dessus de chacun des éléments émetteurs de champs (12). La taille des trous peut être régulée par une commande appropriée des paramètres de traitement, entre autres de la durée et de la puissance de la gravure au plasma et/ou de l'épaisseur initiale de la photoréserve. On grave la couche métallique de porte exposée (14) en utilisant la couche de photoréserve (15) en tant que masque. Cette couche (15) est éliminée, et la couche d'oxyde (13) est gravée pour exposer les éléments émetteurs de champs (12). Une autre couche d'oxyde (17) et une autre couche métallique d'anode (18) peuvent également être formées sur la couche métallique d'anode (14) pour former une structure de triode à auto-alignement.